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2SC4906
硅NPN双极晶体管
应用
VHF & UHF宽带amplifire
CMPAK
特点
高增益带宽积
f
T
= 5.8 GHz的典型值
高增益,低噪声系数
PG值12.0 dB典型值,
NF = 1.6 dB典型值,在f = 900 MHz的
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
表1绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
评级
20
12
2
50
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
2SC4906
表2电气特性
( TA = 25°C )
收藏家基地
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号
V
( BR ) CBO
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
COB
20
典型值
最大
单位
V
测试条件
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
V
CB
= 15 V,
I
E
= 0
V
CE
= 12 V,
R
BE
=
V
EB
= 2 V,
I
C
= 0
V
CE
= 5 V,
I
C
= 20毫安
pF
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 5 V,
I
C
= 20毫安
V
CE
= 5 V,
I
C
= 20毫安,
F = 900兆赫
V
CE
= 5 V,
I
C
= 5毫安,
F = 900兆赫
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
1
A
——————————————————————————————
1
mA
———————————————————————————————————————————
10
A
———————————————————————————————————————————
直流电流传输比
50
120
250
———————————————————————————————————————————
输出电容
0.9
1.4
———————————————————————————————————————————
增益带宽
产品
功率增益
f
T
PG
4
5.8
GHz的
———————————————————————————————————————————
9.5
12.0
dB
———————————————————————————————————————————
噪声系数
NF
1.6
3.0
dB
———————————————————————————————————————————
为2SC4906标记为“ YN- ” 。
2SC4906
直流电流传输比
与集电极电流
200
直流电流传输比H
FE
V
CE
= 5V
最大集电极耗散功率曲线
集电极耗散功率PC(毫瓦)
200
160
150
120
100
80
50
40
0
0.1 0.2
0
50
100
150
环境温度Ta (C )
200
0.5 1 2
5 10 20
集电极电流I
C
(MA )
50
增益带宽积与集电极电流
集电极输出电容科夫(PF )
10
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
V
CE
= 5 V
8
1.6
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
I
E
= 0
F = 1 MHz的
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
1
2
5
10
20
集电极电流I
C
(MA )
50
0.8
0.6
0.5
1
2
5
10
20
集电极基极电压V
CB
(V)
2SC4906
功率增益与集电极电流
20
V
CE
= 5V
F = 900兆赫
功率增益PG (分贝)
NF( dB)的
16
4
5
噪声系数与集电极电流
V
CE
= 5V
F = 900MHz的
12
3
8
噪声系数
2
4
0
1
2
5
10
20
集电极电流I
C
(MA )
50
1
0
1
20
5
10
2
集电极电流I
C
(MA )
50
S21参数对比集电极电流
20
|S
21
| ( dB)的
S
21
参数
V
CE
= 5V
F = 1 GHz的
16
12
8
4
0
1
2
5
10
20
集电极电流I
C
(MA )
50
2SC4906
S11参数与频率的关系
.6
.4
.2
.2
.4
.6
1
1.5 2
3 45
.8
1
1.5
2
3
4
5
10
10
S21参数与频率的关系
规模:5 / DIV 。
90°
120°
60°
150°
30°
0
180°
–10
–.2
–.4
–.6
–.8 –1
–1.5
–5
–4
–3
–2
–150°
–120°
–90°
–60°
–30°
条件: V
CE
= 5 V ,Z0 = 50
100至1000兆赫(100兆赫步骤)
(I
C
= 5 mA)的
(I
C
= 20 mA)的
条件: VCE = 5 V ,Z0 = 50
100至1000兆赫(100兆赫步骤)
(I
C
= 5 mA)的
(I
C
= 20 mA)的
S12参数与频率的关系
90°
120°
规模: 0.04 / DIV 。
60°
.4
150°
30°
.2
S22参数与频率的关系
.6
.8
1
1.5
2
3
4
5
10
.2
.4 .6 .8 1
1.5 2
3 45
10
180°
0
–10
–.2
–150°
–120°
–90°
条件: V
CE
= 5 V ,Z0 = 50
100至1000兆赫(100兆赫步骤)
(I
C
= 5 mA)的
(I
C
= 20 mA)的
–60°
–30°
–.4
–.6
–.8
–1
–1.5
–2
–5
–4
–3
条件: V
CE
= 5 V ,Z0 = 50
100至1000兆赫(100兆赫步骤)
(I
C
= 5 mA)的
(I
C
= 20 mA)的
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    联系人:杨小姐
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    2SC4906
    -
    -
    -
    -
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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23000
SOT323
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电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱小姐 刘小姐
地址:深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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24+
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SOT-323SC-70CMPAK
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电话:0755-82798529
联系人:钟小姐
地址:广东省深圳市福田区佳和大厦五楼5C041
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HITACHI/日立
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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HITACHI
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DIP
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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联系人:欧阳
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地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
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