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首字符2的型号第390页
> 2SC4848
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4848
描述
ULOW
集电极饱和电压
: V
CE ( SAT )
= 0.6V (最大值) @我
C
= 5A
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 120V (最小值)
高
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·设计
对功率放大器和通用
应用程序。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
250
V
120
V
12
V
7
A
15
A
2
W
I
C
I
CM
集电极电流连续
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
40
150
℃
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEX ( SUS)的
V
CE(
SAT
)
V
BE (
SAT
)
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
条件
I
CP
= 8A ;我
B1
= -I
B2
= 0.5A ,我
C
= 5A;
L = 200μH ,钳位
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
2SC4848
民
125
典型值。
最大
单位
V
0.6
1.2
10
2.0
10
200
20
150
V
V
μA
mA
μA
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
V
CB
= 100V ;我
E
= 0
V
CE
= 100V ;我
B
= 0; T
a
= 125℃
V
EB
= 12V ;我
C
= 0
电流增益带宽积
输出电容
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
100
I
E
= -0.5A ; V
CE
= 10V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
I
C
= 5A ;我
B1
= -I
B2
= 0.5A;
R
L
= 10Ω; V
CC
≈
50V
兆赫
pF
0.5
2.5
0.5
μs
μs
μs
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4848
描述
ULOW
集电极饱和电压
: V
CE ( SAT )
= 0.6V (最大值) @我
C
= 5A
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 120V (最小值)
高
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·设计
对功率放大器和通用
应用程序。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
250
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
120
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
12
V
I
C
I
CM
集电极电流连续
7
A
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
15
A
2
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
40
150
℃
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEX ( SUS)的
V
CE(
SAT
)
V
BE (
SAT
)
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
电流增益带宽积
输出电容
条件
I
CP
= 8A ;我
B1
= -I
B2
= 0.5A ,我
C
= 5A;
L = 200μH ,钳位
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
2SC4848
民
125
典型值。
最大
单位
V
0.6
1.2
10
2.0
10
100
20
150
200
V
V
μA
mA
μA
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
V
CB
= 100V ;我
E
= 0
V
CE
= 100V ;我
B
= 0; T
a
= 125℃
V
EB
= 12V ;我
C
= 0
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
I
E
= -0.5A ; V
CE
= 10V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5A ;我
B1
= -I
B2
= 0.5A;
R
L
= 10Ω; V
CC
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