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JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4804
描述
·带
的ITO -220封装
高
击穿电压
应用
切换
调节器和高电压
切换应用程序
高
加快DC - DC转换器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
600
7
3
5
1
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4804
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0
600
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安，我
E
=0
900
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
7
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.8A ;我
B
=0.16A
0.6
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 0.8A ;我
B
=0.16A
1.2
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 800V ;我
E
=0
0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.8A ; V
CE
=5V
10
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4804
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4804
描述
·带
的ITO -220封装
高
击穿电压
应用
切换
调节器和高电压
切换应用程序
高
加快DC - DC转换器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
ES
昂
CH
导½
半
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
900
600
7
3
5
1
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
开基
集电极开路
T
C
=25℃
30
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4804
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0
600
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安，我
E
=0
900
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
7
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.8A ;我
B
=0.16A
0.6
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 0.8A ;我
B
=0.16A
1.2
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 800V ;我
E
=0
0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
h
FE
固电
IN
直流电流增益
ES
昂
CH
导½
半
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.8A ; V
CE
=5V
ON
MIC
E
OR
DUT
10
0.1
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4804
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4804
描述
·带
的ITO -220封装
高
击穿电压
应用
切换
调节器和高电压
切换应用程序
高
加快DC - DC转换器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
600
7
3
5
1
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4804
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0
600
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安，我
E
=0
900
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
7
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.8A ;我
B
=0.16A
0.6
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 0.8A ;我
B
=0.16A
1.2
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 800V ;我
E
=0
0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.8A ; V
CE
=5V
10
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4804
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4804
描述
·随着ITO -220封装
·高击穿电压
应用
·开关稳压器和高电压
切换应用程序
·高速的DC-DC转换器的应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
600
7
3
5
1
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4804
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 0.8A ;我
B
=0.16A
I
C
= 0.8A ;我
B
=0.16A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.8A ; V
CE
=5V
600
V
集电极 - 基极击穿电压
900
V
发射极 - 基极击穿电压
7
V
集电极 - 发射极饱和电压
0.6
V
基射极饱和电压
1.2
V
集电极截止电流
0.1
mA
发射极截止电流
0.1
mA
直流电流增益
10
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4804
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）
3
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