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2SC4784
NPN硅外延
REJ03G0730-0300
（上ADE- 208-1121A ）
Rev.3.00
Aug.10.2005
应用
VHF / UHF宽带放大器
特点
高增益带宽积
f
T
= 10 GHz的典型值。
高增益，低噪声系数
PG = 15.0分贝典型， NF = 1.2 dB典型值，在f = 900 MHz的
概要
瑞萨封装代码： PTSP0003ZA -A
（包名称： CMPAK
R
)
3
1.发射器
2.基
3.收集
1
2
注意：
标记是“宝丽雅” 。
* CMPAK是瑞萨科技公司的商标。
注意：这是静电敏感器件。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
15
8
1.5
20
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Rev.3.00 2005年8月10日第1页8
2SC4784
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极输出电容
增益带宽积
功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
COB
f
T
PG
NF
民
—
—
—
50
—
7.0
12.0
—
典型值
—
—
—
120
0.45
10.0
15.0
1.2
最大
10
1
10
250
0.8
—
—
2.5
单位
A
mA
A
pF
GHz的
dB
dB
测试条件
V
CB
= 15 V，I
E
= 0
V
CE
= 8 V ，R
BE
=
∞
V
EB
= 1.5 V，I
C
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
V
CB
= 5 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安，
F = 900兆赫
V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安，
F = 900兆赫
Rev.3.00 2005年8月10日第2页8
2SC4784
主要特点
直流电流传输比
与集电极电流
200
直流电流传输比H
FE
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
120
100
80
60
40
20
160
V
CE
= 5V
120
80
V
CE
= 1V
40
0
50
100
150
0
0.1 0.2
0.5 1
2
5
10 20
50
环境温度Ta （C ）
增益带宽积
与集电极电流
集电极输出电容C
ob
（PF ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
0.56
I
E
= 0
F = 1 MHz的
12
f
T
（千兆赫）
10
8
6
V
CE
= 5 V
0.52
增益带宽积
0.48
V
CE
= 1 V
4
2
0
0.44
0.40
0.36
0.5
1
2
5
10
20
50
1
2
5
10
20
集电极电流I
C
（MA ）
功率增益与集电极电流
20
F = 900兆赫
5
集电极基极电压V
CB
(V)
噪声系数与集电极电流
F = 900兆赫
（ dB）的
噪声系数NF （ dB）的
16
V
CE
= 5V
4
PG
12
V
CE
= 1V
3
V
CE
= 5V
功率增益
8
2
4
1
V
CE
= 1V
0
0.3
1
3
10
30
0
0.3
1
3
10
30
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
Rev.3.00 2005年8月10日第3页8
2SC4784
S11参数与频率的关系
.6
.4
.2
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
S21参数与频率的关系
90°
120°
3
4
5
10
150°
30°
规模： 4 / DIV 。
60°
.8
1
1.5
2
0
.2
.4
10
180°
–10
–5
–4
–3
–.4
–.6
–.8 –1
–1.5
–2
–120°
–60°
–90°
条件： V
CE
= 5 V ，Z0 = 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA）的
0°
–.2
–150°
–30°
条件： V
CE
= 5 V ，Z0 = 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA）的
S12参数与频率的关系
90°
120°
规模： 0.04 / DIV 。
60°
S22参数与频率的关系
.6
.4
.8
1
1.5
2
3
4
5
10
.2
.4
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
10
150°
30°
.2
180°
0°
0
–10
–.2
–150°
–60°
–90°
–30°
–.4
–2
–.6
–5
–4
–3
–120°
条件： V
CE
= 5 V ，Z0 = 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA）的
–1.5
–.8 –1
条件： V
CE
= 5 V ，Z0 = 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA）的
Rev.3.00 2005年8月10日第4页8
2SC4784
S11参数与频率的关系
.8
1
S21参数与频率的关系
90°
2
3
4
5
10
0
.2
.4
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
10
规模： 0.8 / DIV 。
60°
.6
.4
.2
1.5
120°
150°
30°
180°
–10
0°
–.2
–.4
–.6
–.8
–1
–1.5
–2
–5
–4
–3
–150°
–120°
–60°
–90°
–30°
条件： V
CE
= 1 V ，莫宁= 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 0.5 mA）的
(I
C
= 1 mA）的
条件： V
CE
= 1 V ，莫宁= 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 0.5 mA）的
(I
C
= 1 mA）的
S12参数与频率的关系
90°
120°
规模： 0.06 / DIV 。
60°
.4
30°
.2
S22参数与频率的关系
.6
.8
1
1.5
2
3
4
5
10
0
.2
.4
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
10
150°
180°
0°
–.2
–10
–5
–4
–3
–.4
–2
–.6
–1.5
–.8 –1
条件： V
CE
= 1 V ，莫宁= 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 0.5 mA）的
(I
C
= 1 mA）的
–150°
–120°
–60°
–90°
–30°
条件： V
CE
= 1 V ，莫宁= 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 0.5 mA）的
(I
C
= 1 mA）的
Rev.3.00 2005年8月10日第5页8
2SC4784
NPN硅外延
应用
VHF / UHF宽带放大器
特点
高增益带宽积
f
T
= 10 GHz的典型值。
高增益，低噪声系数
PG = 15.0分贝典型， NF = 1.2 dB典型值，在f = 900 MHz的
概要
CMPAK
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
2SC4784
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
15
8
1.5
20
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极输出电容
增益带宽积
功率增益
噪声系数
注：标记为“宝丽雅” 。
I
EBO
h
FE
COB
f
T
PG
NF
民
—
—
—
50
—
7.0
12.0
—
典型值
—
—
—
120
0.45
10.0
15.0
1.2
最大
10
1
10
250
0.8
—
—
2.5
pF
GHz的
dB
dB
单位
A
mA
A
测试条件
V
CB
= 15 V，I
E
= 0
V
CE
= 8 V ，R
BE
=
∞
V
EB
= 1.5 V，I
C
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
V
CB
= 5 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安，
F = 900兆赫
V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安，
F = 900兆赫
注意：这是静电sensitve设备。
2
2SC4784
直流电流传输比
与集电极电流
200
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
120
100
80
60
40
20
最大集电极耗散曲线
直流电流传输比H
FE
160
V
CE
= 5V
120
80
V
CE
= 1V
40
0
50
100
150
环境温度Ta （C ）
0
0.1 0.2
0.5 1
2
5
10 20
50
集电极电流I
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
f
T
（千兆赫）
12
10
8
6
V
CE
= 1 V
4
2
0
1
2
5
10
20
集电极电流I
C
（MA ）
50
V
CE
= 5 V
集电极输出电容科夫（PF ）
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
0.56
I
E
= 0
0.52
F = 1 MHz的
增益带宽积
0.48
0.44
0.40
0.36
0.5
1
2
5
10
20
集电极基极电压V
CB
(V)
3
2SC4784
功率增益与集电极电流
20
F = 900兆赫
F = 900兆赫
（ dB）的
噪声系数NF （ dB）的
16
V
CE
= 5V
4
5
噪声系数与集电极电流
PG
12
V
CE
= 1V
3
V
CE
= 5V
2
功率增益
8
4
1
V
CE
= 1V
0
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
（MA ）
30
0
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
（MA ）
30
4
2SC4784
S11参数与频率的关系
.6
.4
.2
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
S21参数与频率的关系
90°
120°
规模： 4 / DIV 。
60°
30°
.8
1
1.5
2
3
4
5
10
150°
0
.2
.4
10
180°
–10
0°
–.2
–.4
–.6
–.8 –1
–1.5
–5
–4
–3
–2
–150°
–120°
–60°
–30°
条件： V
CE
= 5 V ，Z0 = 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA）的
–90°
条件： V
CE
= 5 V ，Z0 = 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA）的
S12参数与频率的关系
90°
120°
规模： 0.04 / DIV 。
60°
S22参数与频率的关系
.6
.4
.8
1
1.5
2
3
.2
4
5
10
.2
.4
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
10
150°
30°
180°
0°
0
–10
–150°
–60°
–90°
–30°
–.2
–.4
–120°
–.6
–2
–5
–4
–3
条件： V
CE
= 5 V ，Z0 = 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA）的
–1.5
–.8 –1
条件： V
CE
= 5 V ，Z0 = 50
200至2000兆赫（ 200兆赫步骤）
(I
C
= 5 mA）的
(I
C
= 10 mA）的
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