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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第106页 > 2SC4782
SMD型
NPN硅外延平面型
2SC4782
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位:mm
高速开关。
+0.1
2.4
-0.1
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
迷你型封装,设备和自动的让瘦身
通过插入磁带包装盒包装。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
25
20
5
300
200
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SC4782
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
贮存时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 2V ,我
C
=0
V
CE
= 10 V,I
C
= 1毫安
晶体管
IC
典型值
最大
0.1
0.1
单位
ìA
ìA
40
0.17
0.76
200
500
2
17
200
0.25
1.0
V
V
兆赫
4
pF
ns
ns
ns
V
CE ( SAT )
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
f
T
C
re
t
on
t
关闭
t
英镑
参考的测算电路
V
CB
= 10 V,I
E
= -1毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= -1毫安, F = 10.7兆赫
15
7
h
FE
分类
记号
h
FE
P
40 80
DV
Q
60 120
R
90 200
2
www.kexin.com.cn
晶体管
2SC4782
NPN硅外延平面型
对于高速开关
单位:mm
s
特点
q
q
q
2.8
–0.3
0.65±0.15
+0.2
1.5
–0.05
+0.25
0.65±0.15
2
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
25
20
5
300
200
200
150
–55 ~ +150
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
JEDEC : TO- 236
EIAJ : SC- 59
迷你型包装
标记符号:
DV
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
打开-O FF时间
贮存时间
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
关闭
t
英镑
参考的测算电路
条件
V
CB
= 10V ,我
E
= 0
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
V
CE
= 1V ,我
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= -10mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
200
40
0.17
0.76
500
2
17
15
7
4
典型值
最大
0.1
0.1
200
0.25
1.0
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
单位
A
A
*
h
FE
等级分类
h
FE
标记符号
P
40 ~ 80
DVP
Q
60 ~ 120
DVQ
R
90 ~ 200
DVR
0-0.1
参数
符号
评级
单位
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.8
(Ta=25C)
1.1
–0.1
s
绝对最大额定值
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
0.4
–0.05
高速开关。
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装盒自动插入
包装。
0.95
2.9
–0.05
1
1.9±0.2
+0.2
0.95
3
+0.1
1.45
1
晶体管
开关时间测量电路
t
on
, t
关闭
测试电路
0.1F
V
OUT
220
V
in
=10V
50
3.3k
3.3k
V
bb
=
–3V
50
V
in
=10V
V
CC
=3V
500
50
V
bb
=2V
V
CC
=10V
A
910
0.1F 500
90
2SC4782
P
C
- TA
t
英镑
测试电路
0.1F
1k
V
OUT
240
集电极耗散功率P
C
( mW)的
200
160
120
80
V
in
V
OUT
10%
90%
V
in
V
OUT
10%
90%
0
V
in
10%
10%
t
英镑
(波形A处)
40
V
OUT
t
on
t
关闭
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta (C )
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
120
Ta=25C
100
I
B
=3.0mA
2.5mA
80
2.0mA
1.5mA
60
1.0mA
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
V
CE ( SAT )
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
30
100
300
1000
1
3
V
BE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极电流I
C
(MA )
Ta=–25C
25C
75C
25C
Ta=75C
–25C
40
0.5mA
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
h
FE
— I
C
240
V
CE
=1V
1200
f
T
— I
E
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CB
=10V
Ta=25C
f=200MHz
6
C
ob
— V
CB
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
200
过渡频率f
T
(兆赫)
1000
5
160
800
4
120
Ta=75C
80
25C
–25C
40
600
3
400
2
200
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
–1
0
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
2
SMD型
SMD型
IC
产品speci fi cation
2SC4782
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
高速开关。
+0.1
2.4
-0.1
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
迷你型封装,设备和自动的让瘦身
通过插入磁带包装盒包装。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
25
20
5
300
200
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
贮存时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 2V ,我
C
=0
V
CE
= 10 V,I
C
= 1毫安
40
2SC4782
典型值
最大
0.1
0.1
200
0.17
0.76
200
500
2
17
参考的测算电路
15
7
4
0.25
1.0
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
f
T
C
re
t
on
t
关闭
t
英镑
V
CB
= 10 V,I
E
= -1毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= -1毫安, F = 10.7兆赫
h
FE
分类
记号
h
FE
P
40 80
DV
Q
60 120
R
90 200
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC4782
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SC4782
PANASONIC/松下
2443+
23000
SOT-323
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
2SC4782
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-323
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:247773782 复制

电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
2SC4782
PANASONIC/松下
18+
16238
SOT-323
房间现货原装低价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
2SC4782
PANASONIC/松下
24+
21000
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SC4782
PANASONIC/松下
24+
32000
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SC4782
PANASONIC/松下
22+
32570
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SC4782
PANASONIC/松下
20+
7800
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SC4782
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8431
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SC4782
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9656
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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