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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4769

描述

·带

TO- 3PML包

高

击穿电压，高可靠性

.

高

速度

.Built式

阻尼二极管

应用

·超高解像度

彩色显示器

·水平

偏转输出应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（ TC = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

固电

IN

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

ES

昂

CH

导½

半

发射极开路

ON

MIC

E

条件

OR

DUT

价值

1500

800

6

7

16

单位

V

V

V

A

A

开基

集电极开路

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

60

W

3

T

j

T

英镑

结温

储存温度

150

-55~150

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4769

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CESAT

V

BESAT

V

CEO （ SUS ）

I

EBO

I

CBO

I

CES

h

FE-1

h

FE-2

V

F

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极 - 发射极电压维持

发射极截止电流

集电极截止电流

集电极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

二极管的正向电压

条件

I

C

=5A;I

B

=1.7 A

I

C

=5A;I

B

=1.7 A

I

C

=100mA;I

B

=0

V

EB

= 4V ;我

C

=0

V

CB

= 800V ;我

E

=0

V

CE

= 1500V ;

BE

=0

I

C

= 1 ; V

CE

=5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

I

EC

=7A

8

3

8

2.0

V

800

40

130

10

1

民

典型值。

最大

5

1.5

单位

V

V

V

mA

μA

mA

开关时间

t

英镑

t

f

固电

下降时间

贮存时间

h

FE-2

分类

1

3-5

2

4-6

IN

ES

昂

CH

3

5-8

导½

半

I

C

=4A;R

L

=33.3Ω

I

B1

= 0.8A ; - 我

B2

=1.6A

V

CC

=200V

ON

MIC

E

OR

DUT

3.0

0.1

0.2

μs

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4769

固电

IN

ES

昂

CH

导½

半

ON

MIC

E

OR

DUT

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4769

固电

IN

ES

昂

CH

导½

半

ON

MIC

E

OR

DUT

4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4769

描述

·带

TO- 3PML包

高

击穿电压，高可靠性

.

高

速度

.Built式

阻尼二极管

应用

·超高解像度

彩色显示器

·水平

偏转输出应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（ TC = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

3

T

j

T

英镑

结温

储存温度

150

-55~150

℃

℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

1500

800

6

7

16

60

W

单位

V

V

V

A

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4769

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CESAT

V

BESAT

V

CEO （ SUS ）

I

EBO

I

CBO

I

CES

h

FE-1

h

FE-2

V

F

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极 - 发射极电压维持

发射极截止电流

集电极截止电流

集电极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

二极管的正向电压

条件

I

C

=5A;I

B

=1.7 A

I

C

=5A;I

B

=1.7 A

I

C

=100mA;I

B

=0

V

EB

= 4V ;我

C

=0

V

CB

= 800V ;我

E

=0

V

CE

= 1500V ;

BE

=0

I

C

= 1 ; V

CE

=5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

I

EC

=7A

8

3

8

2.0

V

800

40

130

10

1

民

典型值。

最大

5

1.5

单位

V

V

V

mA

μA

mA

开关时间

t

英镑

t

f

贮存时间

下降时间

I

C

=4A;R

L

=33.3Ω

I

B1

= 0.8A ; - 我

B2

=1.6A

V

CC

=200V

3.0

0.1

0.2

μs

μs

h

FE-2

分类

1

3-5

2

4-6

3

5-8

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4769

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4769

4

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4769

描述

·采用TO- 3PML包

·高击穿电压，高可靠性

.

·高速

·内置阻尼二极管

应用

·超高清晰度彩色显示器

·水平偏转输出应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（ TC = 25 ）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

C

=25

P

C

集电极耗散功率

3

T

j

T

英镑

结温

储存温度

150

-55~150

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

1500

800

6

7

16

60

W

单位

V

V

V

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4769

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极 - 发射极电压维持

发射极截止电流

集电极截止电流

集电极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

二极管的正向电压

条件

I

C

=5A;I

B

=1.7 A

I

C

=5A;I

B

=1.7 A

I

C

=100mA;I

B

=0

V

EB

= 4V ;我

C

=0

V

CB

= 800V ;我

E

=0

V

CE

= 1500V ;

BE

=0

I

C

= 1 ; V

CE

=5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

I

EC

=7A

8

3

8

2.0

V

800

40

130

10

1

民

典型值。

最大

5

1.5

单位

V

V

V

mA

A

mA

符号

V

CESAT

V

BESAT

V

CEO （ SUS ）

I

EBO

I

CBO

I

CES

h

FE-1

h

FE-2

V

F

开关时间

t

英镑

t

f

贮存时间

下降时间

I

C

=4A;R

L

=33.3A

I

B1

= 0.8A ; - 我

B2

=1.6A

V

CC

=200V

3.0

0.1

0.2

s

s

h

FE-2

分类

1

3-5

2

4-6

3

5-8

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4769

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4769

4

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3PML包

高

击穿电压，高可靠性

.

高

速度

·内置

在阻尼二极管

应用

·超高解像度

彩色显示器

·水平

偏转输出应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

2SC4769

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

最大绝对额定值（ TC = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

Collectorl功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

1500

800

6

7

16

60

3

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

W

W

℃

℃

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SC4769

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CESAT

V

BESAT

V

CEO （ SUS ）

I

EBO

I

CBO

I

CES

h

FE-1

h

FE-2

V

F

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极 - 发射极电压维持

发射极截止电流

集电极截止电流

集电极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

二极管的正向电压

条件

I

C

=5A;I

B

=1.7 A

I

C

=5A;I

B

=1.7 A

I

C

=100mA;I

B

=0

V

EB

= 4V我

C

=0

V

CB

= 800V我

E

=0

V

CE

= 1500V ;

BE

=0

I

C

= 1 ; V

CE

=5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

I

EC

=7A

8

3

8

2.0

V

800

40

130

10

1

民

典型值。

最大

5

1.5

单位

V

V

V

mA

μA

mA

开关时间

t

英镑

t

f

贮存时间

下降时间

I

C

=4A;R

L

=33.3Ω

I

B1

= 0.8A ; - 我

B2

=1.6A

V

CC

=200V

3.0

0.1

0.2

μs

μs

h

FE-2

分类

1

3-5

2

4-6

3

5-8

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硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4769

图2外形尺寸

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