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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4757
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
ULOW
饱和电压
应用
·水平
偏转输出高分辨率的显示。
高
加快开关电源输出的应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流 - 连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1500
V
600
V
5
V
7
A
14
A
3.5
A
50
W
I
CP
集电极电流脉冲
I
B
B
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC4757
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
= 0
600
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1.2A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1.2A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
C
OB
输出电容
开关时间阻性负载
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
4
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
1
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
I
CP
= 5A ，我
B1
= 1A ;我
B2
= -2A
R
L
=39Ω
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
10
μA
8
3
兆赫
175
pF
t
英镑
贮存时间
2.5
μs
t
f
下降时间
0.2
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4757
w
.CN
i
em
cs
。是
w
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产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
2SC4757
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
ULOW
饱和电压
应用
·水平
偏转输出高分辨率的显示。
高
加快开关电源输出的应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
600
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流 - 连续
7
A
I
CP
集电极电流脉冲
14
A
I
B
B
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
3.5
A
P
C
50
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
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℃
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电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
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典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
= 0
600
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1.2A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1.2A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
10
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
4
8
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
1
3
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
175
pF
开关时间阻性负载
t
英镑
贮存时间
I
CP
= 5A ，我
B1
= 1A ;我
B2
= -2A
R
L
=39Ω
2.5
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t
f
下降时间
0.2
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212D12HFS
2SD1411AY
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