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2SC4704
NPN硅外延
应用
高频放大器
特点
出色的高频特性F
T
= 300 MHz的典型
高电压和低输出电容V
首席执行官
= 200 V ,COB = 5.0 pF的典型值
适合于宽频带视频放大器
互补对2SA1810的
概要
TO- 126 MOD
1
1.发射器
2.收集
3. BASE
2
3
2SC4704
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
P
C
P
C
*
结温
储存温度
注意:
1.价值在T
C
= 25°C.
Tj
TSTG
1
评级
200
200
4
0.2
0.5
1.25
10
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
200
200
4
1
典型值
300
5.0
最大
10
200
1.0
1.0
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= 10 μA ,我
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
= _
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
V
CB
= 160 V,I
E
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 30毫安
I
C
= 30 mA时,我
B
= 3毫安
V
CE
= 20 V,I
C
= 30毫安
V
CB
= 30 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和
电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意:
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
*
V
BE
V
CE (SAT)
f
T
COB
60
200
V
V
兆赫
pF
1. 2SC4704用h分组
FE
其规格如下。
B
60至120
C
100至120
2
2SC4704
最大集电极耗散曲线
12
集电极耗散功率PC( W)
10
8
6
4
2
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
安全工作区
150
1.0
0.5
集电极电流I
C
(A)
1次脉冲
TA = 25°C
0.2
0.1
0.05
s
0m
n
=1
TIO
PW
ERA
OP 5
°
C)
DC = 2
(T
C
0.02
0.01
10
20
50 100 200
500 1,000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
200
1.0
集电极电流I
C
(MA )
160
1.8 1.6 1.4 1.2
2.0
0.8
0.6
0.4
P
c
= 1.25 W
120
80
0.2毫安
40
I
B
= 0
0
2
4
6
8
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比
与集电极电流
1,000
直流电流传输比H
FE
500
200
100
50
20
10
1
2
5 10 20
50 100 200
集电极电流I
C
(MA )
V
CE
= 5 V
脉冲
T
C
=7
5
°
C
25
°
C
5
°
C
–2
3
2SC4704
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
1.0
l
C
/l
B
= 10
0.5脉冲
0.2
T
C
0.1
0.05
0.02
0.01
1
2
=7
5
°
C
–25°C
25°C
5
10 20
50 100 200
集电极电流I
C
(MA )
典型的传输特性
200
100
集电极电流I
C
(MA )
50
20
10
–25°C
5
2
1
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
T
C
= 75°C
25°C
V
CE
= 5 V
脉冲
增益带宽积
与集电极电流
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
1,000
500
200
100
50
20
10
1
2
5 10 20
50 100 200
集电极电流I
C
(MA )
V
CE
= 20 V
T
C
= 25°C
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
(PF )
100
50
20
10
5
I
E
= 0
F = 1 MHz的
2
5
10 20
50 100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
1.0
1.0
4
2SC4704
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日立的半导体产品的性能。日立公司不承担任何责任,不
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或日立有限公司
6.医疗应用:日立的产品不得用于医疗用途
应用程序,而日立的销售公司相应人员的书面同意。
这种使用包括,但不限于,生命维持系统中的使用。日立的产品购买者
请计划使用的产品用于医疗时,通知相关日立销售办事处
应用程序。
株式会社日立制作所
半导体& IC事业部。
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100 ,日本
联系电话:东京( 03 ) 3270-2111
传真: ( 03 ) 3270-5109
欲了解更多信息,写信至:
日立美国有限公司
半导体& IC事业部。
2000塞拉利昂点百汇
布里斯班, CA. 94005-1835
美国
联系电话: 415-589-8300
传真: 415-583-4207
日立欧洲公司
电子元件组
欧洲大陆
Dornacher大街3
D- 85622克恩
慕尼黑
联系电话: 089-9 91 80-0
传真: 089-9 29 30 00
日立欧洲公司
电子元器件事业部。
北欧总部
Whitebrook公园
较低的Cookham路
梅登黑德
伯克希尔SL6 8YA
英国
电话: 0628-585000
传真: 0628-778322
日立(亚洲) 。有限公司
16哥烈码头20-00 #
日立塔
新加坡0104
联系电话: 535-2100
传真: 535-1533
日立亚洲(香港)有限公司
单元706 ,北塔,
环球金融中心
海港城,广东道
尖沙咀,九龙
香港
联系电话: 27359218
传真: 27306071
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