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晶体管
2SC4691J
NPN硅外延平面型
1.60
+0.05
–0.03
1.00
±0.05
0.80
±0.05
对于高速切换
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
SS-迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装自动插入
单位:mm
0.12
+0.03
–0.01
3
1.60
±0.05
0.85
+0.05
–0.03
1
0.27
±0.02
2
(0.50)(0.50)
0至0.02
(0.80)
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(E -B的短)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
40
40
5
100
300
125
125
55
to
+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
5
0.70
+0.05
–0.03
5
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ :SC- 89
SSMini3 -F1套餐
标记符号: 2Y
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
*
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
开启时间
打开-O FF时间
贮存时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
关闭
t
英镑
条件
V
CB
=
40 V,I
E
=
0
V
EB
=
4 V,I
C
=
0
V
CE
=
1 V,I
C
=
10毫安
I
C
=
10毫安,我
B
=
1毫安
I
C
=
10毫安,我
B
=
1毫安
V
CB
=
10 V,I
E
= 10
毫安,女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
指的是测量电路
450
2
17
17
10
6
60
0.17
典型值
最大
0.1
0.1
200
0.25
1.0
单位
A
A
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
h
FE
Q
60至120
R
90至200
无秩
60至200
无等级的产品不分类网络版,并没有任何迹象的排名。
0.10最大。
(0.375)
出版日期: 2003年1月
SJC00282BED
1
2SC4691J
测量电路
t
on
, t
关闭
测试电路
220
V
IN
=
10 V 3.3 kΩ的
50
3.3 k
V
BB
= 3
V
0.1
F
V
OUT
A
50
V
CC
=
3 V
V
IN
=
10 V 0.1
F
50
910
500
500
V
BB
=
2 V
1 k
90
V
CC
=
10 V
t
英镑
测试电路
0.1
F
V
OUT
10%
V
IN
10%
90%
V
OUT
90%
t
on
t
关闭
V
OUT
t
英镑
V
IN
10%
10%
(波形A处)
P
C
T
a
150
250
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
1
V
CE ( SAT )
I
C
T
a
= 25°C
I
C
/ I
B
=
10
集电极耗散功率P
C
( mW)的
125
I
B
=
8毫安
200
100
集电极电流I
C
(MA )
7毫安
6毫安
5毫安
4毫安
3毫安
2毫安
T
a
= 75°C
150
25°C
0.1
25°C
75
100
1毫安
50
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
1
2
3
4
5
6
0.01
0.1
1
10
100
1 000
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
V
BE ( SAT )
I
C
10
h
FE
I
C
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
160
140
V
CE
=
1 V
C
ob
V
CB
100
F = 1 MHz的
T
a
= 25°C
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/ I
B
=
10
正向电流传输比H
FE
T
a
= 75°C
120
100
80
60
40
20
25°C
10
1
25°C
T
a
= 75°C
25°C
25°C
1
0.1
0.1
1
10
100
0
0.1
1
10
100
1 000
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
2
SJC00282BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
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电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
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