【2SC458(K)NPN硅外延ADE - 208-1045 （ Z）1日。版2001年3月应用低频放】,IC型号2SC458KC,2SC458KC PDF资料,2SC458KC经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SC458(K)

NPN硅外延

ADE - 208-1045 （ Z）

1日。版

2001年3月

应用

低频放大器

中速开关

概要

TO-92 （1）

1.发射器

2.收集

3. BASE

3

2

1

2SC458 （ K）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

发射极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

E

P

C

Tj

TSTG

评级

30

30

5

100

–100

200

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

V

（ BR ） CBO

民

30

30

5

—

—

100

—

—

100

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

80

300

260

最大

—

—

—

0.5

1.0

500

0.4

1.0

—

4

—

—

—

V

V

兆赫

pF

ns

ns

ns

I

C

= I

B1

= –I

B2

= 20毫安，

V

CC

= 5 V

单位

V

V

V

A

A

测试条件

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

C

= 1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 18 V，I

E

= 0

V

EB

= 4 V，I

C

= 0

V

CE

= 1 V，I

C

= 10毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1毫安

V

CE

= 10 V，I

C

= 10毫安

V

CB

= 10 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

I

C

= 10 I

B1

= –10 I

B2

= 10毫安，

V

CC

= 10 V

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极电压

增益带宽积

集电极输出电容

启动时间

关闭时间

贮存时间

注意：

B

100至200

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

*

1

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

COB

t

on

t

关闭

t

英镑

1. 2SC458 （K）用h分组

FE

如下。

C

160到320

D

250至500

2

2SC458 （ K）

小信号h参数

项

输入阻抗

电压反馈比例

电流传输比

输出导纳

符号

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

典型值

16.5

70

130

11

S

单位

k

×

10

–6

测试条件

V

CE

= 5 V，I

C

= 0.1毫安，

F = 270赫兹

开关时间测试电路

t

on

, t

关闭

测试电路

开关时间测试电路

t

英镑

测试电路

6k

P.G.

TR ， TF

＆ LT ;

20纳秒

=

PW

＆ GT ;

2

s

=

6k

D.U.T

0.005

0.005

CRT

1k

P.G.

tr

＆ LT ;

10纳秒

=

PW

＆ GT ;

1

s

=

D.U.T

0.5

220

100

200

7V

0.002

0.002

CRT

240

50

–6 V

– +

50

– +

50

10 V

单位R： Ω

：F

– +

50

– +

50

5V

单位R： Ω

：F

响应波形

13 V

输入

0

90%

产量

10%

t

on

t

关闭

响应波形

0

输入

–9 V

产量

10%

t

英镑

10%

I

C

10毫安

I

B1

1毫安

I

B2

= 1毫安

V

CC

10 V

V

BB

–6 V

V

in

13 V

I

C

I

B1

I

B2

V

CC

5V

V

BB

7V

V

in

–9 V

20毫安20毫安-20毫安

3

2SC458 （ K）

集电极截止电流 -

集电极 - 基极电压

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

C

（ mW）的

集电极截止电流I

CBO

（ nA的）

250

200

150

100

50

100

30

10

3

1.0

0.3

0.1

0.03

0

50

100

环境Tmperature TA（ ° C）

150

0

5

10 15 20 25 30

集电极基极电压V

CB

(V)

TA = 25°C

75

125

100

50

典型的输出特性（ 1）

100

集电极电流I

C

（MA ）

2.0

.8

1

.6

1

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

典型的输出特性（ 2）

2.0

14

12

10

集电极电流I

C

（MA ）

80

1.8

60

1.2

8

6

0.8

4

40

0.2

20

0.1毫安

0.4

I

B

= 0

0

1.6

0.4

0.8

1.2

2.0

集电极到发射极电压V

CE

(V)

0

2

1

A

I

B

= 0

20

40

60

80

100

集电极到发射极电压V

CE

(V)

4

2SC458 （ K）

集电极到发射极饱和

电压与电流基地

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

1.0

直流电流传输比H

FE

240

200

160

120

80

40

0

0.5

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

0.8

I

C

= 5毫安

TA =

100

°

C

75

50

25

0

V

CE

= 1 V

0.6

100

10

20

50

0.4

–25

–50

0.2

0

0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2

基极电流I

B

（MA ）

5

10

20

1.0

2

5

10

20

集电极电流I

C

（MA ）

50

100

基地发射极饱和电压V

BE （SAT）

(V)

基地发射极饱和电压与

集电极电流

I

C

= 10 I

B

–25

25

°

C

TA = 75

集电极到发射极饱和

电压与集电极电流

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

0.28

0.24

0.20

0.16

0.12

0.08

0.04

0

1

2

5

10 20

50 100

集电极电流I

C

（MA ）

TA = 25°C

–50

I

C

= 10 I

B

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1

2

5

10

20

50

集电极电流I

C

（MA ）

100

5

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