2SC458 （ LG ） ， 2SC2310
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SC458 （ LG）
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
30
30
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
3
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
500
0.2
0.75
—
3.5
5
—
—
—
—
2SC2310
民
55
50
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
3
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
320
0.2
0.75
—
3.5
5
—
—
—
—
S
V
V
兆赫
pF
dB
k
×
10
–6
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 18 V，I
E
= 0
V
EB
= 2 V，I
C
= 0
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= 6 V，I
C
= 0.1毫安，
F = 120赫兹，R
g
= 500
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安，
F = 270赫兹
直流电流传输比H
FE
*
1
集电极到发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
噪声系数
小信号输入
阻抗
小信号电压
反馈率
小信号电流
传输比
小信号输出
导纳
注意：
B
2SC458 （ LG）的100至200
2SC2310
100至200
COB
NF
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
1. 2SC458 （LG）和2SC2310被用h分组
FE
如下。
C
160到320
160到320
D
250至500
—
3
2SC458 （ K）
集电极到发射极饱和
电压与电流基地
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
1.0
直流电流传输比H
FE
240
200
160
120
80
40
0
0.5
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
0.8
I
C
= 5毫安
TA =
100
°
C
75
50
25
0
V
CE
= 1 V
0.6
100
10
20
50
0.4
–25
–50
0.2
0
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2
基极电流I
B
（MA ）
5
10
20
1.0
2
5
10
20
集电极电流I
C
（MA ）
50
100
基地发射极饱和电压V
BE （SAT）
(V)
基地发射极饱和电压与
集电极电流
I
C
= 10 I
B
–25
25
°
C
TA = 75
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
0.28
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
0
1
2
5
10 20
50 100
集电极电流I
C
（MA ）
TA = 25°C
–50
I
C
= 10 I
B
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
2
5
10
20
50
集电极电流I
C
（MA ）
100
5
2SC458 ， 2SC2308
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SC458
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
30
30
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
4
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
500
0.2
0.75
—
3.5
10
—
—
—
—
2SC2308
民
55
50
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
4
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
320
0.2
0.75
—
3.5
10
—
—
—
—
S
V
V
兆赫
pF
dB
k
×
10
–6
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 18 V，I
E
= 0
V
EB
= 2 V，I
C
= 0
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= 6 V，I
C
= 0.1毫安，
F = 1千赫，R
g
= 500
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安，
F = 270赫兹
直流电流传输比H
FE
*
1
集电极到发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
噪声系数
小信号输入
阻抗
小信号电压
反馈率
小信号电流
trancefer比
小信号输出
导纳
注意：
B
2SC458
2SC2308
100至200
100至200
COB
NF
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
1. 2SC458和2SC2308被用h分组
FE
如下。
C
160到320
160到320
D
250至500
—
见2SC458 （LG）和2SC2310的除了以下特性曲线。
3
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SC458 （ LG ） ， 2SC2310
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SC458 （ LG）
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
30
30
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
3
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
500
0.2
0.75
—
3.5
5
—
—
—
—
2SC2310
民
55
50
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
3
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
320
0.2
0.75
—
3.5
5
—
—
—
—
S
V
V
兆赫
pF
dB
k
×
10
–6
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
BE
=
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CB
= 18 V，I
E
= 0
V
EB
= 2 V，I
C
= 0
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= 6 V，I
C
= 0.1毫安，
F = 120赫兹，R
g
= 500
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安，
F = 270赫兹
直流电流传输比H
FE
*
1
集电极到发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
噪声系数
小信号输入
阻抗
小信号电压
反馈率
小信号电流
传输比
小信号输出
导纳
注意：
B
2SC458 （ LG）的100至200
2SC2310
100至200
COB
NF
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
1. 2SC458 （LG）和2SC2310被用h分组
FE
如下。
C
160到320
160到320
D
250至500
—
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SC458 （ LG ） ， 2SC2310
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SC458 （ LG）
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
30
30
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
3
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
500
0.2
0.75
—
3.5
5
—
—
—
—
2SC2310
民
55
50
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
3
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
320
0.2
0.75
—
3.5
5
—
—
—
—
S
V
V
兆赫
pF
dB
k
×
10
–6
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
BE
=
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CB
= 18 V，I
E
= 0
V
EB
= 2 V，I
C
= 0
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= 6 V，I
C
= 0.1毫安，
F = 120赫兹，R
g
= 500
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安，
F = 270赫兹
直流电流传输比H
FE
*
1
集电极到发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
噪声系数
小信号输入
阻抗
小信号电压
反馈率
小信号电流
传输比
小信号输出
导纳
注意：
B
2SC458 （ LG）的100至200
2SC2310
100至200
COB
NF
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
1. 2SC458 （LG）和2SC2310被用h分组
FE
如下。
C
160到320
160到320
D
250至500
—
2SC458 ， 2SC2308
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SC458
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
30
30
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
4
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
500
0.2
0.75
—
3.5
10
—
—
—
—
2SC2308
民
55
50
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
4
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
320
0.2
0.75
—
3.5
10
—
—
—
—
S
V
V
兆赫
pF
dB
k
×
10
–6
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 18 V，I
E
= 0
V
EB
= 2 V，I
C
= 0
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= 6 V，I
C
= 0.1毫安，
F = 1千赫，R
g
= 500
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安，
F = 270赫兹
直流电流传输比H
FE
*
1
集电极到发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
噪声系数
小信号输入
阻抗
小信号电压
反馈率
小信号电流
trancefer比
小信号输出
导纳
注意：
B
2SC458
2SC2308
100至200
100至200
COB
NF
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
1. 2SC458和2SC2308被用h分组
FE
如下。
C
160到320
160到320
D
250至500
—
见2SC458 （LG）和2SC2310的除了以下特性曲线。
3
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SC458 （ LG ） ， 2SC2310
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SC458 （ LG）
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
30
30
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
3
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
500
0.2
0.75
—
3.5
5
—
—
—
—
2SC2310
民
55
50
5
—
—
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
0.67
230
1.8
3
16.5
70
130
11.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
320
0.2
0.75
—
3.5
5
—
—
—
—
S
V
V
兆赫
pF
dB
k
×
10
–6
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
BE
=
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CB
= 18 V，I
E
= 0
V
EB
= 2 V，I
C
= 0
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V，I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
V
CE
= 6 V，I
C
= 0.1毫安，
F = 120赫兹，R
g
= 500
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安，
F = 270赫兹
直流电流传输比H
FE
*
1
集电极到发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
噪声系数
小信号输入
阻抗
小信号电压
反馈率
小信号电流
传输比
小信号输出
导纳
注意：
B
2SC458 （ LG）的100至200
2SC2310
100至200
COB
NF
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
1. 2SC458 （LG）和2SC2310被用h分组
FE
如下。
C
160到320
160到320
D
250至500
—
QQ：2880707522 复制
