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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第466页 > 2SC4570
数据表
数据表
硅晶体管
2SC4570
NPN硅外延型晶体管
超级迷你模具
描述
该2SC4570是专为UHF低电压晶体管
OSC / MIX 。
它适合于高密度的表面，因为安装组件
晶体管已经应用于超小型模压封装。
包装尺寸
（单位：毫米）
2.1±0.1
1.25±0.1
高F
T
： 5.5 GHz的典型。 （ @ V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安， F = 1千兆赫）
低C
ob
： 0.7 pF的典型。 （ @ V
CB
= 5 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz）的
超级迷你模具套餐。 （ EIAJ ： SC- 70 ）
0.3
0
0.65 0.65
特点
2.0±0.2
+0.1
2
订购信息
部分
数
2SC4570-T1
QUANTITY
3千件/卷
包装方式
压纹带8mm宽。引脚3 （珍藏）面
穿孔带的一侧。
压纹带8mm宽。引脚1 （发射极） ，引脚2
（基材）面与磁带的穿孔侧。
0.9±0.1
0.3
记号
0.15
0.05
+0.1
2SC4570-T2
3千件/卷
*请与NEC负责人，如果你需要评估咨询，
样本。样本股数量为50个。 （部件号： 2SC4570 ）
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
绝对最大额定值（T
A
= 25

C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑

55
20
12
3
30
120
125
+125
V
V
V
mA
mW

C

C
一号文件P10408EJ2V0DS00 （第2版）
（上一页第TC- 2434 ）
发布日期1997年三月
日本印刷
0-0.1
0.3
0
+0.1
1
3
1993
2SC4570
电气特性（T
A
= 25

C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极饱和电压
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
插入功率增益
符号
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
40
100
5.5
0.7
5.0
0.9
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
0.1
0.5
200
GHz的
pF
dB
单位
测试条件
V
CB
= 15 V ， IE = 0
V
EB
= 1V ， IC = 0
h
FE
= 10，集成电路= 5毫安
V
CE
= 5 V ， IC = 5毫安
*1
V
CE
= 5 V ， IC = 5毫安， F = 1 GHz的
V
CB
= 3V ， IE = 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ， IC = 5毫安， F = 1 GHz的

A

A
V

S
21e

2
*1
脉冲测量PW

350

S，占空比

2 %
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
T72
T72
40至80
T73
T73
60至120
T74
T74
100至200
2
2SC4570
典型特征（T
A
= 25

C)
总功耗对比
环境温度
150
24
120毫瓦
自由的空气
V
CE
= 5 V
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
P
T
- 总功率耗散mW的
I
C
-collector电流毫安
100
16
50
8
0
50
100
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
a
- 环境温度 - ℃，
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
30
200
V
BE
- 基极 - 发射极电压V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 5 V
I
C
-collector电流毫安
20
140
A
120
A
100
A
80
A
60
A
40
A
20
A
h
NF
-DC电流增益
10
I
B
= 160
A
100
50
10
20
0
2
4
6
8
10
0.5
1
2
5
10
20
50
V
CE
-collector到发射极电压-V
I
C
-collector电流毫安
增益带宽积主场迎战
集电极电流
8
16
插入功率增益与
集电极电流
f
T
- 获得带宽积GHz的
|S
21e
|
2
-Insertion功率增益分贝
F = 1 GHz的
6
F = 1 GHz的
12
V
CE
= 5 V
3V
8
V
CE
= 5 V
4
3V
2
4
0
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0
0.5
1
2
5
10
20
50
I
C
-collector电流毫安
I
C
-collector电流毫安
3
2SC4570
ISERTION功率增益主场迎战
FREQUEUCY
25
|S
21e
|
2
-Insertion功率增益分贝
I
C
= 5毫安
20
C
ob
- 输出电容pF的
1.0
0.7
0.5
2.0
F = 1 MHz的
输出电容与
集电极 - 基极电压
15
V
CE
= 5 V
10
5
0
0.1
3V
0.2
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
1
2
5
7
10
20
F-频率GHz的
V
CB
-collector基极电压-V
4
2SC4570
S参数
(V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安，Z
O
= 50

)
频率
兆赫
100.00
200.00
300.00
400.00
500.00
600.00
700.00
800.00
900.00
1000.00
1100.00
1200.00
1300.00
1400.00
1500.00
1600.00
1700.00
1800.00
1900.00
2000.00
2100.00
2200.00
2300.00
2400.00
2500.00
2600.00
2700.00
2800.00
2900.00
3000.00
S
11
MAG
.887
.781
.663
.555
.456
.388
.328
.285
.250
.223
.201
.184
.169
.159
.150
.145
.141
.137
.136
.139
.140
.141
.145
.148
.154
.158
.163
.167
.173
179
S
21
S
12
昂
156.4
140.8
127.9
117.0
107.9
100.7
94.4
89.2
84.3
80.2
76.5
72.8
69.4
66.0
63.1
60.1
57.1
54.5
51.6
48.8
46.4
43.9
41.3
38.9
36.4
34.1
31.8
29.5
27.3
25.1
MAG
.024
.042
.057
.067
.076
.085
.094
.103
.111
.122
.129
.138
.147
.156
.166
.174
.183
.193
.201
.210
.219
.229
.239
.247
.258
.266
.273
.284
.291
.299
昂
76.9
68.3
62.6
60.4
59.2
58.1
58.3
57.9
58.0
56.7
57.1
56.5
55.9
55.6
55.0
54.2
53.5
53.2
52.4
51.4
50.6
49.5
48.5
47.7
46.3
45.5
44.3
43.3
42.4
41.2
MAG
.940
.832
.735
.662
.606
.567
.540
.520
.503
.490
.482
.474
.467
.463
.457
.453
.448
.445
.439
.429
.423
.417
.413
.406
.401
.397
.393
.394
.395
.396
S
22
昂
MAG
8.517
8.107
7.483
6.775
6.086
5.369
4.815
4.342
3.955
3.618
3.334
3.101
2.899
2.724
2.561
2.428
2.314
2.206
2.114
2.029
1.946
1.875
1.816
1.757
1.708
1.658
1.614
1.570
1.534
1.498
昂

106.3

113.2

120.2

127.0

133.9

140.6

148.7

155.8

162.4

168.8

175.8

177.0

170.8

165.7

160.2

155.2

150.9

146.8

142.4

138.3

135.3

131.3

16.9

34.4

49.9

63.2

74.9

83.6

92.0

99.2

13.3

22.8

28.2

31.4

33.4

35.0

36.3

37.6

38.8

40.1

41.5

42.9

44.4

45.7

47.1

48.4

49.8

51.3

52.7

54.9

56.7

58.9

61.1

63.7

66.8

70.0

73.0

76.5

79.8

82.7
(V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安，Z
O
= 50

)
频率
兆赫
100.00
200.00
300.00
400.00
500.00
600.00
700.00
800.00
900.00
1000.00
1100.00
1200.00
1300.00
1400.00
1500.00
1600.00
1700.00
1800.00
1900.00
2000.00
2100.00
2200.00
2300.00
2400.00
2500.00
2600.00
2700.00
2800.00
2900.00
3000.00
S
11
MAG
.929
.868
.785
.700
.613
.543
.469
.412
.363
.323
.290
.262
.241
.224
.208
.197
.189
.180
.174
.171
.170
.168
.169
.170
.173
.175
.179
.183
.187
.191
S
21
S
12
昂
162.2
147.4
135.7
125.9
116.9
109.1
101.8
95.5
89.9
84.8
80.4
76.2
72.3
68.6
65.3
61.9
58.7
55.7
52.7
49.9
47.1
44.2
41.7
39.1
36.6
34.1
31.6
29.2
26.9
24.7
MAG
.025
.046
.063
.076
.086
.096
.103
.112
.119
.126
.135
.143
.149
.157
.165
.173
.181
.189
.198
.207
.215
.223
.231
.239
.248
.257
.263
.274
.282
.289
昂
78.4
70.8
64.4
59.3
56.7
55.1
53.8
52.9
52.4
51.5
51.6
51.6
51.3
50.5
50.4
50.1
49.4
49.1
48.7
48.1
47.6
46.8
46.0
45.4
44.4
43.6
42.6
42.0
40.9
40.1
MAG
.968
.900
.823
.756
.698
.656
.620
.594
.572
.554
.542
.534
.523
.517
.509
.502
.497
.491
.484
.478
.469
.464
.458
.452
.446
.443
.440
.440
.441
.442
S
22
昂
MAG
5.432
5.334
5.158
4.873
4.628
4.216
3.934
3.645
3.383
3.153
2.936
2.752
2.577
2.438
2.310
2.193
2.095
2.000
1.918
1.848
1.779
1.719
1.664
1.609
1.566
1.522
1.483
1.444
1.411
1.380
昂

102.8

109.7

116.1

122.4

129.3

136.0

142.4

148.9

155.2

161.7

169.2

175.5
178.7
172.8
167.5
162.3
157.6
152.6
147.9
144.0
139.8

14.0

26.8

39.6

51.3

62.7

71.7

80.8

88.7

96.1

10.1

18.5

24.5

29.0

32.2

34.8

36.7

38.6

40.0

41.6

43.0

44.8

46.1

47.4

48.9

50.2

51.6

53.2

54.9

56.8

58.6

60.9

63.1

65.7

68.7

72.0

74.9

78.3

81.4

84.5
5
INCHANGE半导体
ISC
RF产品规格
ISC
硅NPN晶体管RF
2SC4570
描述
高
电流增益带宽积
f
T
= 5.5 GHz的典型。 @V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安， F = 1.0 GHz的
ULOW
C
OB
的0.7 pF TYP 。 @V
CB
= 5 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
应用
·设计
在超高频振荡器和混频器使用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
20
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
12
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
3.0
V
I
C
集电极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
30
mA
P
C
0.12
W
T
J
125
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~125
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
RF产品规格
ISC
硅NPN晶体管RF
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC4570
典型值。
最大
单位
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 15V ;我
E
= 0
0.1
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 1V ;我
C
= 0
0.1
μA
V
CE（
SAT
)
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5毫安;我
B
- 0.5毫安
0.5
V
直流电流增益
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5V
40
200
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5V
5.5
GHz的
C
OB
︱
S
21e
︱
2
输出电容
I
E
= 0 ; V
CB
= 3V ; F = 1.0MHz的
0.7
0.9
pF
插入功率增益
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5V ; F = 1.0GHz的
5.0
dB
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
T72
T72
40-80
T73
T73
60-120
T74
T74
100-200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
RF产品规格
ISC
硅NPN晶体管RF
2SC4570
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
RF产品规格
2SC4570
ISC
硅NPN晶体管RF
S参数
V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安，Z
O
= 50Ω
监控系。
兆赫
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
2900
3000
MAG
0.887
0.781
0.663
0.555
0.456
0.388
0.328
0.285
0.250
0.223
0.201
0.184
0.169
0.159
0.150
0.145
0.141
0.137
0.136
0.139
0.140
0.141
0.145
0.148
0.154
0.158
0.163
0.167
0.173
0.179
S
11
昂
-16.9
-34.4
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