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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4542
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
应用
·水平
偏转输出高分辨率的显示。
高
高速开关稳压器的输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
600
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流 - 连续
10
A
I
CM
集电极电流 - 峰值
20
A
I
B
B
基极电流
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
5
A
P
C
50
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC4542
典型值。
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.7A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.7A
B
1.5
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我我
B
= 0
600
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
1
3
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
210
pF
开关时间
t
英镑
贮存时间
I
CP
= 7A ，我
B1
= 1.4A ;我
B2
= -2.8A;
R
L
= 28.5Ω
1.8
2.5
μs
t
f
下降时间
0.1
0.2
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4542
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
应用
·水平
偏转输出高分辨率的显示。
高
高速开关稳压器的输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流 - 连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1500
V
600
V
5
V
10
A
20
A
5
A
50
W
I
CM
集电极电流 - 峰值
I
B
B
基极电流
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC4542
典型值。
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.7A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.7A
B
1.5
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我我
B
= 0
600
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
h
FE
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
C
OB
输出电容
开关时间
t
英镑
贮存时间
w
em
cs
。是
w
w
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
.CN
i
8
1
10
μA
3
兆赫
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
210
pF
1.8
I
CP
= 7A ，我
B1
= 1.4A ;我
B2
= -2.8A;
R
L
= 28.5Ω
2.5
μs
t
f
下降时间
0.1
0.2
μs
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2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 3P （H ） IS包
·高速
·高电压
应用
·水平偏转输出
高分辨率显示器
·高速开关稳压器
输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SC4542
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
10
20
5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4542
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
T
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
C
= 7A ;我
B
=1.7A
I
C
= 7A ;我
B
=1.7A
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
E
= 0.1A ; V
CE
=10V
600
V
集电极 - 发射极饱和电压
5
V
基射极饱和电压
1.5
V
集电极截止电流
1.0
mA
发射极截止电流
10
A
直流电流增益
8
15
集电极输出电容
210
pF
跃迁频率
1
3
兆赫
开关时间阻性负载
t
s
t
f
贮存时间
I
CP
=7A;I
B1
=1.4A
I
B2
= -2.8A ;
L
=28.5A
下降时间
1.8
2.5
s
0.1
0.2
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4542
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4542
4
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2SK1519
2CTA470470MQ20T
2DEB-2-W20T
2SD0602Q
2389
2020-6602-06
24LC08BH-I/P
212U01S220FN3
2SK404F
供货商
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    2SC4542
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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SC4542
TOS
14+
56000
DIP
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电话：13910052844（微信同步）
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