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2SC4541
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
2SC4541
功率放大器的应用
电源开关应用
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.5 V （最大值） （我
C
= 1.5 A)
高速开关时间：吨
英镑
= 0.5微秒（典型值）。
小扁包
P
C
= 1.02.0 W（安装在陶瓷基板）
补充2SA1736
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C
（注）
T
j
T
英镑
2
等级
80
50
6
3
0.6
500
1000
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
mW
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-62
2-5K1A
重量0.05克（典型值）。
注意：安装在一个陶瓷基体（ 250毫米× 0.8吨）
1
2004-07-07
2SC4541
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
h
FE （2）
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
t
on
20 μs输入
开关时间
贮存时间
t
英镑
I
B1
I
B2
下降时间
t
f
I
B1
=
I
B2
= 75毫安，
占空比
≤
1%
I
B1
I
B2
测试条件
V
CB
= 80 V，I
E
= 0
V
EB
= 6 V，I
C
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 100毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 2 A
I
C
= 1.5 A，I
B
= 75毫安
I
C
= 1.5 A，I
B
= 75毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 100毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
产量
20
民
―
―
50
120
40
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
100
20
0.1
最大
0.1
0.1
―
400
―
0.5
1.2
―
―
―
V
V
兆赫
pF
单位
A
A
V
30 V
―
0.5
―
s
―
0.1
―
记号
产品型号（或缩写代码）
K
LOT号
D
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2004-07-07
2SC4541
I
C
– V
CE
4
共发射极
1000
h
FE
– I
C
I
C
(A)
60
3
Ta
=
25°C
50
30
20
300
Ta
=
100°C
h
FE
40
100
25
30
25
集电极电流
2
15
10
直流电流增益
10
1
IB
=
5毫安
3
0
0
0
1
2
3
4
5
1
1
3
10
30
100
共发射极
VCE
=
2 V
300
1000
3000
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流
I
C
（MA ）
V
CE （SAT）
– I
C
10
共发射极
100
IC / IB
=
20
V
BE （SAT）
– I
C
共发射极
IC / IB
=
20
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
基射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
3
30
1
10
0.3
3
Ta
= 25°C
1
0.1
Ta
=
100°C
0.03
25
25
3
10
30
100
300
1000
3000
0.3
25
100
0.01
1
0.1
1
3
10
30
100
300
1000
3000
集电极电流
I
C
（MA ）
集电极电流
I
C
（MA ）
3
2004-07-07
2SC4541
I
C
– V
BE
3.0
共发射极
2.5
VCE
=
2 V
3
10
IC最大
（连续）
安全工作区
集成电路最大值（脉冲） *
*100
ms
*10
ms
*t
=
1毫秒
I
C
(A)
I
C
(A)
集电极电流
Ta
=
100°C
25
25
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.0
1
**:
直流操作
Ta
=
25°C
40
×
50
×
0.8 t
**:
直流操作
Ta
=
25°C
250 mm
2
×
0.8 t
0.1
**:
直流操作
Ta
=
25°C
0.3
0.03
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
**:
安装在陶瓷基板
曲线必须是线性降额
0.01
同的温度升高
0.005
0.1
1
3
0.3
集电极电流
1.5
1.0
0.5
0
0
基射极电压
V
BE
(V)
VCEO
最大
10
30
100
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
P
C
- TA
1.4
P
C
(W)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
(1)
（1）安装在陶瓷基板上
2
(250 mm
×
0.8 t)
（ 2 ）无散热片
集电极耗散功率
(2)
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度
Ta
(°C)
4
2004-07-07
2SC4541
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品
现卖，根据任何法律和法规。
5
2004-07-07
SMD型
电源开关应用
2SC4541
晶体管
特点
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 0.5V （最大值） （我
C
= 1.5A)
高速开关时间：吨
英镑
= 0.5ìs （典型值）。
小扁包
P
C
= 1 2W （安装在陶瓷基板）
补充2SA1736
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在一个陶瓷基体（ 250毫米
2
×0.8 T）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
80
50
6
3
0.6
500
1000
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
50
120
40
0.5
1.2
100
20
0.1
见测试电路。
0.5
0.1
ìs
V
V
兆赫
pF
400
民
典型值
最大
0.1
0.1
单位
ìA
ìA
V
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
h
FE
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 2V ，我
C
= 2A
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1.5A ，我
B
= 75毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 1.5A ，我
B
= 75毫安
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SC4541
测试电路
晶体管
记号
记号
KD
电气特性曲线
2
www.kexin.com.cn
SMD型
2SC4541
晶体管
www.kexin.com.cn
3
SMD型
产品speci fi cation
2SC4541
特点
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 0.5V （最大值） （我
C
= 1.5A)
高速开关时间：吨
英镑
= 0.5ìs （典型值）。
小扁包
P
C
= 1 2W （安装在陶瓷基板）
补充2SA1736
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在一个陶瓷基体（ 250毫米
2
×0.8 T）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
80
50
6
3
0.6
500
1000
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
50
120
40
0.5
1.2
100
20
0.1
见测试电路。
0.5
0.1
ìs
V
V
兆赫
pF
400
民
典型值
最大
0.1
0.1
单位
ìA
ìA
V
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
h
FE
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 2V ，我
C
= 2A
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1.5A ，我
B
= 75毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 1.5A ，我
B
= 75毫安
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1第3
SMD型
产品speci fi cation
2SC4541
测试电路
记号
记号
KD
电气特性曲线
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 3
SMD型
产品speci fi cation
2SC4541
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
3 3
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25LC040A-E/MC
2SC4226-T1
2SC4226T1
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22-28-2248
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2SB24U9-9
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22-28-2170
29F016-90
270U324R501A1A1
232-7162-71-3857
2N5151L
2SK2762
2SK1151
274-7029-006
2SC4869-4
2SCR293P
22-16-2101
2SA1208
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC4541
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市集创讯科技有限公司
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电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
2SC4541
TOSHIBA/东芝
24+
68500
SOT-89
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
深圳市科恒伟业电子有限公司
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电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
2SC4541
TOSHIBA
1844+
6852
SOT89
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市科恒伟业电子有限公司
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2SC4541
TOSHIBA/东芝
1844+
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SOT89
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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TOSHIBA
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10000
SOT89
全新原装正品/质量有保证
深圳市晶美隆科技有限公司
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电话：0755-82865294/82517859
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地址：深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
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TOSHIBA/东芝
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假一罚十，原装进口正品现货供应，只做原装
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电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
2SC4541
TOSHIBA
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！
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TOSHIBA/东芝
24+
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2SC4541
TOSHIBA/东芝
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