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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第615页 > 2SC4518
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4518 2SC4518A
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压开关晶体管
应用
For
开关稳压器;照明逆变器
和通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC4518
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC4518A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
开基
集电极开路
发射极开路
1000
550
7
5
10
2.5
35
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
条件
价值
900
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1.8A ;我
B
=0.36A
I
C
= 1.8A ;我
B
=0.36A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1.8A ; V
CE
=4V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -0.35A ; V
CE
=12V
2SC4518 2SC4518A
民
550
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.2
100
100
10
50
6
25
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1.8A ;我
B1
=0.27A
I
B2
=-0.9A
V
CC
= 250V ，R
L
=139Ω
0.7
4.0
0.5
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4518 2SC4518A
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4518 2SC4518A
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4518 2SC4518A
描述
·采用TO- 220F封装
·高电压开关晶体管
应用
·对于开关稳压器，照明逆变器
和通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SC4518
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC4518A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
开基
集电极开路
发射极开路
1000
550
7
5
10
2.5
35
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
条件
价值
900
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1.8A ;我
B
=0.36A
I
C
= 1.8A ;我
B
=0.36A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1.8A ; V
CE
=4V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -0.35A ; V
CE
=12V
2SC4518 2SC4518A
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
民
550
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.2
100
100
10
50
6
25
V
V
A
A
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1.8A ;我
B1
=0.27A
I
B2
=-0.9A
V
CC
= 250V ，R
L
=139B
0.7
4.0
0.5
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4518 2SC4518A
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4518 2SC4518A
4
2SC4518/4518A
硅NPN三重扩散平面晶体管
（高压Switchihg晶体管）
应用：
开关稳压器，照明逆变器和通用
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号2SC4518 2SC4518A
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
900
550
7
5(
脉冲
10)
2.5
35(Tc=25°C)
150
-55到+150
1000
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
OB
条件
V
CB
=800V
V
EB
=7V
I
C
=10mA
V
CE
= 4V ，我
C
=1.8A
I
C
= 1.8A ，我
B
=0.36A
I
C
= 1.8A ，我
B
=0.36A
V
CE
= 12V，我
E
=–0.35A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(Ta=25°C)
2SC4518 2SC4518A
100
最大
100
最大
550
民
10至25
0.5
最大
1.2
最大
6
典型值
50
典型值
V
V
兆赫
pF
单位
外形尺寸
FM20(TO220F)
4.0
±0.2
10.1
±0.2
4.2
±0.2
2.8 c0.5
A
V
16.9
±0.3
8.4
±0.2
A
13.0min
1.35
±0.15
1.35
±0.15
0.85
+0.2
-0.1
0.45
+0.2
-0.1
2.54
2.2
±0.2
2.4
±0.2
s
典型的开关特性（共发射极）
V
CC
(V)
250
R
L
()
139
I
C
(A)
1.8
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
(A)
0.27
I
B2
(A)
–0.9
t
on
(
s)
0.7
最大
t
英镑
(
s)
4
最大
t
f
(
s)
0.5
最大
2.54
3.9
B权证
±0.2
0.8
±0.2
a
b
3.3
±0.2
重量：约2.0克
一。型号
B 。批号
I
C
– V
权证
特征
（典型值）
5
70
0
mA
600mA
V
CE
（SAT） ，V
BE
（SAT） - 我
C
温度特性
（典型值）
OL讲师 - é英里TT呃萨turation V ℃的GE V
权证（S AT）
( V )
B ASE - 对V olta GE V EM伊特尔萨图拉缇
B E（ s的）
( V)
1.5
I
C
/ I
B
= 5 ns的合作吨。
I
C
– V
BE
温度特性
（典型值）
5
( V
CE
= 4V )
C 0升L E C到R C ü R R简T I
C
( A)
25 0米一
3
1.0
V
Bé
（S一T）
醇L E （C T） R C乌尔 - [R EN T I
C
( A)
0.5
1
5
10
4
40 0米一
4
3
15 0米一
2
2
0.5
I
B
=50mA
1
1
V
权证
（ SA T）
0
0.03 0.05
0 .1
0
0
0. 2
0.4
0.6
0 .8
1. 0
1.2
0
0
1
2
3
4
联合升乐克拉 -Em I T吨ER V OL标签ê V
权证
(V)
联合L L EC为R C乌尔 - [R EN T I
C
( A)
B一个发E - EM I T T O服务武L T A G é V
Bé
( V )
( V
CE
= 4 V )
50
瞬态热阻
θ
J-一
（ ° C / W）
h
FE
– I
C
温度特性
（典型值）
125C
D C C-UR重新NT嘎我N·H
FE
S W I T C喜体中T I M E
t
上？
t
ST克
t
f
(
s )
7
5
t
0：N
t
S T摹
t
f
– I
C
特征
（典型值）
θ
的J - 一
- T特征
4
25C
V
CC
2 5 0 V
I
C
: I
B 1
: I
B2
=1 :0 . 15 :– 0 .5
1
t
f
0 .5
t
on
0 .1
0.2
t
s TG
–55C
1
10
0. 5
0. 3
5
0.02
0.05
0.1
0 .5
1
5
0. 5
1
5
1
10
时间t（ ms）的
100
10 0 0
OL升EC T或C urre NT I
C
(A )
联合升乐于r铜R R EN T I
C
( A)
安全工作区
（单脉冲）
20
10
5
欧莱C到R C ü R R简T I
C
( A )
合作LLE CTO R C ü R R简T I
C
( A )
10
0
反向偏置安全工作区
20
10
5
马个IM UM P流è R D所I S的I P A T I对P
C
( W )
35
电脑 - T A降额
s
30
W
第i个
In
鳍
ITE
1
0.5
1
0 .5
无需散热器
自然冷却
L=3mH
I
B2
=–1.0A
职务：小于1 ％
2SC 45 1 8
10 0
50 0
20
he
at
si
nk
10
0.1
0.05
0.03
10
无需散热器
自然冷却
0 .1
0.05
W I吨浩ü吨，他一吨的I NK
2S的C 4 5一18
10 00
2
0
0
25
50
75
100
1 25
150
50
10 0
5 00
1000
0.03
50
合作LL ê CT -Em I T吨ER武L标签ê V
权证
(V)
联合升乐C到的R - ê米它吨呃武升踏歌V
权证
( V)
上午B I E N t个率T e米PE R A吨ü 吨（ C）
113
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4518 2SC4518A
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压开关晶体管
应用
For
开关稳压器;照明逆变器
和通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC4518
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC4518A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
开基
集电极开路
发射极开路
1000
550
7
5
10
2.5
35
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
条件
价值
900
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1.8A ;我
B
=0.36A
I
C
= 1.8A ;我
B
=0.36A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1.8A ; V
CE
=4V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -0.35A ; V
CE
=12V
2SC4518 2SC4518A
民
550
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.2
100
100
10
50
6
25
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1.8A ;我
B1
=0.27A
I
B2
=-0.9A
V
CC
= 250V ，R
L
=139Ω
0.7
4.0
0.5
μs
μs
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4518 2SC4518A
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4518 2SC4518A
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4518 2SC4518A
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压开关晶体管
应用
For
开关稳压器;照明逆变器
和通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
固电
导½
半
参数
2SC4518
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
基极电流
的HAn
INC。
2SC4518A
ES
G
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
900
1000
550
7
5
10
2.5
单位
V
开基
集电极开路
V
V
A
A
A
W
℃
℃
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
35
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1.8A ;我
B
=0.36A
I
C
= 1.8A ;我
B
=0.36A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1.8A ; V
CE
=4V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -0.35A ; V
CE
=12V
2SC4518 2SC4518A
民
550
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.2
100
100
10
50
25
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
固电
下降时间
开启时间
贮存时间
IN
ES
昂
CH
导½
半
I
C
= 1.8A ;我
B1
=0.27A
I
B2
=-0.9A
V
CC
= 250V ，R
L
=139Ω
ON
MIC
E
OR
DUT
6
0.7
4.0
0.5
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4518 2SC4518A
固电
IN
ES
昂
CH
图2外形尺寸
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4518 2SC4518A
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
4
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251UL160S15
2SJ335
2-103688-1
20W-1A22E1
2CTF-V02M-Q24T
2SC1468
2474R-15L
25C040X-ST
2RD412-1X36841
2SD1775AP
250B15L102B1NA
2N3964CSM
2SD866P
249-001-19-C
250JB4L
24AA64-SN
225P18291W
2N3997
22R685MC
2038-42-SM
供货商
型号
厂家
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数量
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操作
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    -
    -
    -
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2SC4518
T
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