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JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4517 2SC4517A
描述
·带
TO- 220F封装
电压开关晶体管
应用
For
开关稳压器和
通用应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 220F )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC4517
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC4517A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
开基
集电极开路
发射极开路
1000
550
7
3
6
1.5
30
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
条件
价值
900
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -0.25A ; V
CE
=12V
2SC4517 2SC4517A
550
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.2
100
100
10
35
6
30
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1.0A我
B1
=0.15A
I
B2
=-0.45A
V
CC
= 250V ,R
L
=250Ω
0.7
4.0
0.5
μs
μs
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4517 2SC4517A
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4517 2SC4517A
4
2SC4517/4517A
硅NPN三重扩散平面晶体管
(高压Switchihg晶体管)
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
应用:
开关稳压器和通用
(Ta=25°C)
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
C
OB
条件
V
CB
=800V
V
EB
=7V
I
C
=10mA
V
CE
= 4V ,我
C
=1A
I
C
= 1A ,我
B
=0.2A
I
C
= 1A ,我
B
=0.2A
V
CE
= 12V,我
E
=–0.25A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
外形尺寸
FM20(TO220F)
4.0
±0.2
10.1
±0.2
4.2
±0.2
2.8 c0.5
符号2SC4517 2SC4517A
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
900
550
7
3(
脉冲
6)
1.5
30(Tc=25°C)
150
-55到+150
1000
2SC4517 2SC4517A
100
最大
100
最大
550
10至30
0.5
最大
1.2
最大
6
典型值
35
典型值
单位
A
V
V
13.0min
16.9
±0.3
8.4
±0.2
A
V
兆赫
pF
1.35
±0.15
1.35
±0.15
0.85
+0.2
-0.1
0.45
+0.2
-0.1
2.54
2.2
±0.2
2.4
±0.2
s
典型的开关特性(共发射极)
V
CC
(V)
250
R
L
()
250
I
C
(A)
1
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
(A)
0.15
I
B2
(A)
–0.45
t
on
(
s)
0.7
最大
t
英镑
(
s)
4
最大
t
f
(
s)
0.5
最大
2.54
3.9
B权证
±0.2
I
C
– V
CE
特征
(典型值)
3
40
0m
A
V
CE
(SAT) ,V
BE
(SAT) - 我
C
温度特性
(典型值)
OL讲师 - 在uration V LT岁; V。E MI TT ER S
权证(S一T)
(V )
巴SE - é MIT TE R 5在uration武LT年龄V
B E( s的)
( V )
1.5
I
C
/I
B
= 5℃ 纳秒吨。
I
C
– V
温度特性
(典型值)
3
( V
CE
= 4 V )
300mA
20 0米一
C 0 L L权证T O服务铜R R简T I
C
( A )
15 0米一
2
百毫安
C 0 L L EC T或C ü R R简T I
C
( A )
1.0
V
BE
( SA T)
2
1
I
B
= 4000万
0.5
1
V
权证
( SA T)
0
0.03 0.05
0. 1
0 .5
1
5
0
0
0. 2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
1
2
3
4
联合升乐克拉 -Em I T吨ER V OL标签ê V
权证
(V)
联合L L EC为R C乌尔 - [R EN T I
C
( A)
巴发E - ê米I T T或V 0 1吨GE V
( V)
( V
CE
= 4 V )
50
D C ú R R简吨克有效成分N·H
FE
12 5 C
25 C
SW I T C喜体中T I M E
t
上?
t
ST克
t
f
(
s )
7
5
t
s TG
V
CC
2 5 0 V
I
C
: I
B 1
: I
B2
= 1: 0. 1 5: –0 . 45
1
0.5
t
on
0.1
0.2
t
f
瞬态热阻
θ
J-一
(℃ / W)的
h
FE
– I
C
温度特性
(典型值)
t
0:N
t
S T摹
t
f
– I
C
特征
(典型值)
θ
的J - 一
- T特征
4
– 55 C
1
10
0 .5
0 .3
5
0. 02
0.05
0. 1
0.5
1
3
0.5
1
3
1
10
时间t( ms)的
0.8
±0.2
a
b
3.3
±0.2
重量:约2.0克
一。型号
B 。批号
10 0
1000
醇L E克拉 铜RRE NT I
C
( A)
OL升EC T或C UR 鄂西北我
C
( A)
安全工作区
(单脉冲)
10
50
反向偏置安全工作区
10
30
电脑 - 钽降额
5
s
马个IM UM P流è R D所I S的I P A TI O 4 N P
C
( W )
10
s
5
0
W
第i个
山口LEC吨 R C ü R R简T I
C
( A )
1
0.5
欧莱(C T)或Cu R R简T I
C
(A )
1
0.5
20
In
ITE
he
at
si
nk
0.1
0.05
无需散热器
自然冷却
0.1
0.05
无需散热器
自然冷却
L=3mH
I
B2
=–1.0A
职务:小于1 %
2SC 45 1 7
10
2S 45 1 7的
1 00 0
W I个 ü吨 E A吨的I N·K
2
0
0
25
50
75
10 0
125
150
0.01
2
5
10
50
1 00
50 0 1 0 0 0
0.01
50
10 0
5 00
醇L E CT或 - EM它吨呃武L T AG电子V
权证
(V)
联合升乐C到的R - EM它吨呃武升踏歌V
权证
( V)
A M B即N t个牛逼EM P ER在ü 吨( C)
112
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4517 2SC4517A
描述
·带
TO- 220F封装
电压开关晶体管
应用
For
开关稳压器和
通用应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 220F )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC4517
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC4517A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
开基
集电极开路
发射极开路
1000
550
7
3
6
1.5
30
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
条件
价值
900
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -0.25A ; V
CE
=12V
2SC4517 2SC4517A
550
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.2
100
100
10
35
6
30
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1.0A我
B1
=0.15A
I
B2
=-0.45A
V
CC
= 250V ,R
L
=250Ω
0.7
4.0
0.5
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4517 2SC4517A
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4517 2SC4517A
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4517 2SC4517A
描述
·采用TO- 220F封装
·高电压开关晶体管
应用
·对于开关稳压器和
通用应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 220F )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
参数
2SC4517
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC4517A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
开基
集电极开路
发射极开路
1000
550
7
3
6
1.5
30
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
条件
价值
900
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -0.25A ; V
CE
=12V
2SC4517 2SC4517A
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
550
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.2
100
100
10
35
6
30
V
V
A
A
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1.0A我
B1
=0.15A
I
B2
=-0.45A
V
CC
= 250V ,R
L
=250B
0.7
4.0
0.5
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4517 2SC4517A
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4517 2SC4517A
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4517 2SC4517A
描述
·带
TO- 220F封装
电压开关晶体管
应用
For
开关稳压器和
通用应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 220F )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
固电
导½
参数
2SC4517
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
基极电流
的HAn
INC。
2SC4517A
ES
G
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
900
1000
550
7
3
6
1.5
单位
V
开基
集电极开路
V
V
A
A
A
W
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
30
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -0.25A ; V
CE
=12V
2SC4517 2SC4517A
550
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.2
100
100
10
35
30
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
固电
下降时间
开启时间
贮存时间
IN
ES
CH
导½
I
C
= 1.0A我
B1
=0.15A
I
B2
=-0.45A
V
CC
= 250V ,R
L
=250Ω
ON
MIC
E
OR
DUT
6
0.7
4.0
0.5
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4517 2SC4517A
固电
IN
ES
CH
导½
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4517 2SC4517A
固电
IN
ES
CH
导½
ON
MIC
E
OR
DUT
4
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厂家
批号
数量
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC4517
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
2SC4517
SANKEN
20+
88800
TO-220F
进口原装公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SC4517
SANKEN
2443+
23000
TO220F
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SC4517
SANKEN
24+
12300
TO-220F
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SC4517
SANKEN
21+22+
12600
TO-220
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SC4517
SANKEN
49
TO-220
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