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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压，高频率
应用
色度
输出应用HDTV
视频
输出应用高
高分辨率显示屏
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
250
250
5
150
300
50
2
W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
1.0
V
V
BESAT
I
CBO
基射极饱和电压
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
V
CB
= 200V ;我
E
=0
1.0
V
μA
μA
集电极截止电流
100
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
10
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 10毫安; V
CE
=10V
40
200
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
20
f
T
跃迁频率
I
C
= 40毫安; V
CE
=10V
240
兆赫
C
OB
集电极输出电容
f=1MHz;V
CB
=30V
3.3
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
包装外形
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压，高频率
应用
色度
输出应用HDTV
视频
输出应用高
高分辨率显示屏
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极开路
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25℃
OR
CT
U
价值
250
250
5
150
300
50
2
单位
V
V
V
mA
mA
mA
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
10
150
-55~150
W
T
j
T
英镑
结温
储存温度
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
1.0
V
V
BESAT
I
CBO
基射极饱和电压
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
V
CB
= 200V ;我
E
=0
1.0
V
μA
μA
集电极截止电流
100
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
10
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 10毫安; V
CE
=10V
40
200
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
20
f
T
C
OB
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
集电极输出电容
f=1MHz;V
CB
=30V
跃迁频率
I
C
= 40毫安; V
CE
=10V
OR
CT
U
240
3.3
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
包装外形
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
描述
·采用TO- 220F封装
·高电压，高频率
应用
·色度输出应用的HDTV
·视频输出应用高
高分辨率显示屏
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
250
250
5
150
300
50
2
W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10毫安; V
CE
=10V
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
I
C
= 40毫安; V
CE
=10V
f=1MHz;V
CB
=30V
40
20
240
3.3
兆赫
pF
民
典型值。
最大
1.0
1.0
100
10
200
单位
V
V
A
A
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
包装外形
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4448
4
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅功率晶体管
2SC4448
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压，高频率
应用
色度
输出应用HDTV
视频
输出应用高
高分辨率显示屏
钉扎
针
1
2
3
BASE
描述
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散
集电极耗散
结温
储存温度
T
a
=25℃
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
250
250
5
150
300
50
2
10
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
W
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安我
B
=5mA
I
C
= 50毫安我
B
=5mA
V
CB
= 200V我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10毫安; V
CE
=10V
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
I
C
= 40毫安; V
CE
=10V
f=1MHz;V
CB
=30V
40
20
240
3.3
民
典型值。
2SC4448
最大
1.0
1.0
100
10
200
单位
V
V
μA
μA
兆赫
pF
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅功率晶体管
包装外形
2SC4448
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.10
mm)
JMnic
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2N2775
27HC641-70I/SJ
284CX12
2SC3951
2058AG
2N4994
20045HS-12A00
2512R
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    2SC4448
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