SMD型
晶体管
IC
NPN外延平面硅晶体管
2SC4399
特点
高功率增益: PG = 25分贝典型值( F = 100MHz时) 。
应用组要作出小巧玲珑。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
30
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反向传输电容
基极 - 集电极时间常数
功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
CRE
rbb'Cc
PG
NF
Testconditons
V
CB
= 10V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 6V ,我
C
= 1毫安
V
CB
= 6V , F = 1MHz的
V
CB
= 6V ,我
C
= 1mA时, F = 31.9MHz
V
CB
= 6V ,我
C
= 1mA时, F = 100MHz的
V
CB
= 6V ,我
C
= 1mA时, F = 100MHz的
60
200
320
0.9
12
25
3.0
1.2
20
民
典型值
最大
0.1
0.1
270
兆赫
pF
ps
dB
dB
单位
ìA
ìA
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
3
60 120
F
4
90 180
5
135 270
www.kexin.com.cn
1
产品speci fi cation
2SC4399
特点
高功率增益: PG = 25分贝典型值( F = 100MHz时) 。
应用组要作出小巧玲珑。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
30
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反向传输电容
基极 - 集电极时间常数
功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
CRE
rbb'Cc
PG
NF
Testconditons
V
CB
= 10V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 6V ,我
C
= 1毫安
V
CB
= 6V , F = 1MHz的
V
CB
= 6V ,我
C
= 1mA时, F = 31.9MHz
V
CB
= 6V ,我
C
= 1mA时, F = 100MHz的
V
CB
= 6V ,我
C
= 1mA时, F = 100MHz的
60
200
320
0.9
12
25
3.0
1.2
20
民
典型值
最大
0.1
0.1
270
兆赫
pF
ps
dB
dB
单位
ìA
ìA
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
3
60 120
F
4
90 180
5
135 270
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
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