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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第297页 > 2SC4336
数据表
硅功率晶体管
2SC4336
NPN硅外延型晶体管
对于高速切换
描述
该2SC4336是开发高模功率晶体管
高速开关，并配有非常低的集电极 - 发射极
饱和。该晶体管非常适合用于开关电源的使用
17 ±0.2
封装图（单位：mm ）
10.5最大。
7 ±0.2
4.7 MAX 。
φ
3.2 ±0.2
5 ±0.1
3.0 MAX 。
2.8 ±0.2
5 ±0.2
供应器，DC / DC转换器，电动机驱动器，螺线管驱动器，并且
其它低电压的电源装置，以及用于高电流
切换。
特点
模制封装不需要的绝缘板或
绝缘套管
开关速度快
低集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
≤
0.3 V MAX 。 （我
C
= 6.0 A)
0.8 ±0.1
2.54 TYP 。
1.3 ±0.2
1.5 ±0.2
2.54 TYP 。
13.5最小。
12 ±0.2
0.5 ±0.1
2.5 ±0.1
订购信息
产品型号
2SC4336
包
孤立的TO-220 （MP -45）
1 2 3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
结温
储存温度
记
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
I
B（ DC ）
P
T
P
T
T
j
T
英镑
100
100
7.0
10
20
6.0
30
2.0
150
55
+150
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
记
PW
≤
300
S，占空比
≤
10%
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D17261EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2004年7月NS CP （ K）
日本印刷
2004
2SC4336
电气特性（T
A
= 25°C)
参数
集电极到发射极电压
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX （ SUS）的
集电极截止电流
I
CBO
I
CER
I
CEX1
I
CEX2
发射极截止电流
直流电流增益
记
条件
I
C
= 5.0 A，I
B
= 0.6 A，L = 1毫亨
I
C
= 5.0 A，I
B1
=
I
B2
= 0.6 A,
V
BE （OFF）的
=
1.5
V，L = 180
H，钳位
V
CB
= 100 V，I
E
= 0
V
CE
= 100 V ，R
BE
= 50
,
T
A
= 125°C
V
CE
= 100 V, V
BE （OFF）的
=
1.5
V
V
CE
= 100 V, V
BE （OFF）的
=
1.5
V,
T
A
= 125°C
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 1.0 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 6.0 A
I
C
= 6.0 A，I
B
= 0.3 A
I
C
= 8.0 A，I
B
= 0.4 A
I
C
= 6.0 A，I
B
= 0.3 A
I
C
= 8.0 A，I
B
= 0.4 A
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 0.5 A
I
C
= 6.0 A，R
L
= 8.3
,
I
B1
=
I
B2
= 0.3 A，V
CC
50 V
参考测试电路。
分钟。
100
100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
10
1.0
10
1.0
10
100
100
60
0.3
0.5
1.2
1.5
120
150
0.3
1.5
0.3
200
400
A
mA
A
mA
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
A
集电极饱和电压
记
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
V
V
V
pF
兆赫
基本饱和电压
记
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
集电极电容
增益带宽积
开启时间
贮存时间
下降时间
C
ob
f
T
t
on
t
英镑
t
f
s
s
s
记
脉冲： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
h
FE
分类
记号
h
FE2
M
100至200
L
150至300
K
200至400
切换时间（T
on
, t
英镑
, t
f
）测试电路
R
L
= 8.3
V
IN
I
B1
I
B2
PW
PW
50
s
占空比
≤
2%
V
BB
5
V
t
on
t
英镑
t
f
T.U.T.
V
CC
50 V
集电极电流
波形
90%
I
C
基极电流
波形
I
B2
I
B1
I
C
10%
2
数据表D17261EJ1V0DS
2SC4336
典型特征（T
A
= 25°C)
总功耗对比
外壳温度
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
30
安全工作区降额曲线
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 -
°C
P
T
- 总功耗 - W
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
S / B有限公司
耗散有限公司
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
100
I
（P ulse ）
I
C
- 集电极电流 - 一个
1毫秒
200毫秒
10毫秒
10
I
C（ DC ）
1
DC耗散有限公司
0.1
单脉冲
T
C
= 25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
CE
- 集电极Emittor电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
R
日（J -C ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
100
R
第（章-a）的
= 62.5℃ / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 4.17C / W
1
单脉冲
0.1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D17261EJ1V0DS
3
2SC4336
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
12
百毫安
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
h
FE
- 直流电流增益
50毫安
8
30毫安
6
20毫安
4
I
B
= 10毫安
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
CE
- 集电极Emittor电压 - V
100
1000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
10
V
CE
= 2.0 V
脉冲
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
I
C
- 集电极电流 - 一个
集电极饱和电压和BASE
饱和电压与集电极电流
10000
增益带宽积主场迎战
集电极电流
1000
V
CE
- 集电极饱和电压 - 毫伏
V
BE
- 基本饱和电压 - 毫伏
1000
V
BE （ SAT ）
f
T
- 增益带宽积 - 兆赫
100
V
CE （ SAT ）
10
I
C
= 10
I
B
脉冲
1
0.01
0.1
1
10
100
100
V
CE
= 10 V
10
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
集电极电容与
集电极 - 基极电压
1000
I
C
- 集电极电流 - 一个
导通时间，储存时间和下降时间
与集电极电流
10000
t
英镑
1000
t
f
t
on
C
ob
- 集电极电容 - pF的
I
E
= 0
F = 1 MHz的
100
t
f
, t
英镑
, t
on
- 下降时间，启动时间和存储时间 - NS
100
10
1
10
100
I
C
= 20 A
I
B1
=
20
I
B2
10
0.1
1
10
100
V
CB
- 集电极基极电压 - V
I
C
- 集电极电流 - 一个
4
数据表D17261EJ1V0DS
2SC4336
本文档中的信息为7月， 2004年的信息如有变化
恕不另行通知。在实际设计时，请参阅各产品的数据表或最新出版
数据手册等，对本公司产品的最先进的最新规格。不是所有的
产品和/或型号都向每个国家供应。请与本公司销售查询
代表性的产品供应及其他信息。
本文件的任何部分不得复制或未经事先转载于任何形式或任何方式
NEC电子的书面同意。 NEC电子对任何错误概不承担任何责任的可能
本文件中。
NEC Electronics不承担侵权专利，版权或其他知识产权的任何法律责任
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或因使用这类制品的任何其他责任所产生的。没有许可证，明示，暗示或其他，是
任何专利，版权或NEC电子或他人的其他知识产权的授权。
提供用于说明电路，软件和本文件中的相关信息的描述
半导体产品操作和应用实例。这些纳入
电路，软件和信息在客户的设备的设计应在全面完成
对客户的责任。 NEC电电子不承担任何损失承担任何责任
客户或因使用这些电路，软件和信息时造成第三方。
虽然本公司致力于提高半导体产品的质量，可靠性和安全性，
客户同意并确认缺陷的可能不能完全消除。对
最大限度地减少财产损失，或伤害（包括死亡）的风险，而产生的缺陷NEC人士
电子产品，客户必须在设计过程中应加强安全措施，比如
冗余度，防火和防故障功能。
本公司产品分为以下三个质量等级： "Standard" ， "Special"和
＆ QUOT ;比＆ QUOT ;.
该"Specific"质量等级只适用于基于一个开发的日电电子产品
指定"quality保证program"针对特定应用程序。在NEC的推荐应用
电子产品取决于其质量等级，详见如下。客户必须检查的质量等级
以前每次NEC电子的产品在一个特定的应用程序中使用它。
＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;：计算机，办公自动化设备，通信设备，测试和测量设备，音频
·视频设备，家用电子电器，机械工具，个人电子设备
与工业机器人。
＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;：运输设备（汽车，火车，船舶等） ，交通控制系统，防灾
系统，防止犯罪系统，安全设备和医疗设备（不包括专门设计的
生命支持） 。
＆ QUOT ;比＆ QUOT ;:飞机，航空航天设备，海底中继设备，原子能控制系统，生命
支持系统和生命支持等医疗设备
日电电子产品的质量等级是"Standard"除非在NEC明确规定
电子数据表或数据手册等，如果客户希望使用本公司产品的应用
不打算由NEC电子，它们必须提前联系NEC电子销售代表
确定NEC Electronics是否支持该应用。
（注）
（ 1 ） ＆ QUOT ; NEC电子QUOT ;作为本声明中表示NEC电子公司和它的
控股子公司。
（ 2 ） ＆ QUOT ; NEC电子的产品和QUOT ;是指由或为NEC电子开发或生产的任何产品（如
如上文所定义） 。
M8E 02. 11-1
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4336
描述
·带
TO- 220Fa包
·快速
开关速度
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
在开关电源， DC / DC使用
转换器，电机驱动器，电磁驱动器等
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（ DC ）
T
C
=25℃
P
T
总功耗
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
100
100
7
10
20
6
30
w
单位
V
V
V
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BEsat-1
V
BEsat-2
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5.0A ，我
B
=0.6A;L=1mH
I
C
= 6A ，我
B
=0.3A
I
C
= 8A ，我
B
=0.4A
I
C
= 6A ，我
B
=0.3A
I
C
= 8A ，我
B
=0.4A
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
CE
=100V; V
BE
（关闭）
=-1.5V
T
a
=125℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 2A ; V
CE
=2V
I
C
= 6A ; V
CE
=2V
I
E
=0; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
100
100
60
120
150
民
100
2SC4336
典型值。
最大
单位
V
0.3
0.5
1.2
1.5
10
10
1.0
10
V
V
V
V
μA
μA
mA
μA
400
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 6A ，我
B1
=-I
B2
=0.3A
V
CC
≈50V;R
L
=8.3Ω
0.3
1.5
0.3
μs
μs
μs
h
FE-2
分类
M
100-200
L
150-300
N
200-400
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4336
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4336
描述
·带
TO- 220Fa包
·快速
开关速度
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
在开关电源， DC / DC使用
转换器，电机驱动器，电磁驱动器等
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（ DC ）
T
C
=25℃
P
T
总功耗
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
100
100
7
10
20
6
30
w
单位
V
V
V
A
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BEsat-1
V
BEsat-2
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5.0A ，我
B
=0.6A;L=1mH
I
C
= 6A ，我
B
=0.3A
I
C
= 8A ，我
B
=0.4A
I
C
= 6A ，我
B
=0.3A
I
C
= 8A ，我
B
=0.4A
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
CE
=100V; V
BE
（关闭）
=-1.5V
T
a
=125℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 2A ; V
CE
=2V
I
C
= 6A ; V
CE
=2V
I
E
=0; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
100
100
60
120
150
民
100
2SC4336
典型值。
最大
单位
V
0.3
0.5
1.2
1.5
10
10
1.0
10
V
V
V
V
μA
μA
mA
μA
400
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 6A ，我
B1
=-I
B2
=0.3A
V
CC
≈50V;R
L
=8.3Ω
0.3
1.5
0.3
μs
μs
μs
h
FE-2
分类
M
100-200
L
150-300
N
200-400
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4336
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4336
描述
·采用TO- 220Fa包
·快速开关速度
·低集电极饱和电压
应用
·对于开关电源， DC / DC使用
转换器，电机驱动器，电磁驱动器等
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（ DC ）
T
C
=25
P
T
总功耗
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
100
100
7
10
20
6
30
w
单位
V
V
V
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5.0A ，我
B
=0.6A;L=1mH
I
C
= 6A ，我
B
=0.3A
I
C
= 8A ，我
B
=0.4A
I
C
= 6A ，我
B
=0.3A
I
C
= 8A ，我
B
=0.4A
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
CE
=100V; V
BE
（关闭）
=-1.5V
T
a
=125
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 2A ; V
CE
=2V
I
C
= 6A ; V
CE
=2V
I
E
=0; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
100
100
60
民
100
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BEsat-1
V
BEsat-2
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
2SC4336
典型值。
最大
单位
V
0.3
0.5
1.2
1.5
10
10
1.0
10
V
V
V
V
A
A
mA
A
400
120
150
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 6A ，我
B1
=-I
B2
=0.3A
V
CC
C50V;R
L
=8.3E
0.3
1.5
0.3
s
s
s
h
FE-2
分类
M
100-200
L
150-300
N
200-400
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4336
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
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2358
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26-60-5160
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2-825433-4
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