【2SC4265NPN硅外延应用甚高频射频放大器，本地振荡器，混频器概要CMPAK3121.发射器2.】,IC型号2SC4265,2SC4265 PDF资料,2SC4265经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC4265

NPN硅外延

应用

甚高频射频放大器，本地振荡器，混频器

概要

CMPAK

1.发射器

2.基

3.收集

2SC4265

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

评级

100

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

集电极到发射极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极饱和

电压

直流电流传输比

集电极输出电容

增益带宽积

注：标记为“ JC ” 。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

COB

民

—

600

典型值

—

最大

—

0.5

1.0

—

1.5

—

兆赫

单位

测试条件

= 10

= 0

= 1毫安，R

∞

= 15 V，I

= 0

= 3 V，I

= 0

= 20 mA时，我

= 4毫安

= 10 V，I

= 10毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 10 V，I

= 10毫安

见2SC2735的特性曲线。

2SC4265

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

（ mW）的

120

100

150

环境温度Ta （C ）

单位：mm

0.425

2.0

0.2

0.1

0.3

+ 0.05

–

0.1

0.16

+ 0.06

–

1.25

0.1

2.1

0.3

0 – 0.1

0.2

0.9

0.1

0.65 0.65

1.3

0.2

0.425

0.1

0.3

+ 0.05

–

0.1

0.3

+ 0.05

–

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

CMPAK

—

符合

0.006 g

注意事项

1.日立公司并不保证或日立或任何权利，任何第三方的专利授权许可，

本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。

日立公司承担着可能出现的第三方的权利问题，包括不承担任何责任

知识产权与使用本文档中包含的信息连接。

2.产品和产品规格可能会随时更改，恕不另行通知。确认您拥有

收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。

3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。不过，

使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处

质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险

人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，

交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。

4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别

对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装

条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时

超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期

失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -

保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它

间接损失是由于日立产品的操作。

5，本产品不设计成抗辐射。

6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不

书面批准日立。

7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题

产品。

株式会社日立制作所

半导体&集成电路。

立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本

联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111传真：（ 03 ） 3270-5109

网址

北美洲

： HTTP ： semiconductor.hitachi.com/

欧洲

： http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg

亚洲（新加坡）

： http://www.has.hitachi.com.sg/grp3/sicd/index.htm

亚洲（台湾）

： http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm

亚洲（香港）： http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm

日本

： http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm

欲了解更多信息，写信至：

日立半导体

（美国）有限公司

179东塔斯曼驱动器，

圣何塞， CA 95134

联系电话： <1> （ 408 ） 433-1990

传真： <1> （ 408 ） 433-0223

日立欧洲公司

电子元件组

Dornacher大街3

D- 85622克恩，慕尼黑

德国

联系电话： <49> （ 89 ） 9 9180-0

传真： <49> （ 89 ） 9 29 30 00

日立欧洲公司

电子元件组。

Whitebrook公园

较低的Cookham路

梅登黑德

伯克希尔SL6 8YA ，英国

联系电话： <44> （ 1628 ） 585000

传真： <44> （ 1628 ） 778322

日立（亚洲）。有限公司

16哥烈码头20-00 ＃

日立塔

新加坡049318

联系电话： 535-2100

传真： 535-1533

日立亚洲有限公司

台北分公司

3F ，洪郭建设。 167号，

敦华北路，台北（ 105 ）

联系电话： <886> （ 2 ） 2718-3666

传真： <886> （ 2 ） 2718-8180

日立亚洲（香港）有限公司

第三组（电子元器件）

7 / F。，北塔，世界金融中心，

海港城，广东道，尖沙咀，

香港九龙

联系电话： <852> （ 2 ） 735 9218

传真： <852> （ 2 ） 730 0281

电传： 40815国际展贸中心HX

2SC4265

NPN硅外延

REJ03G0722-0300

（上ADE- 208-1102A ）

Rev.3.00

Aug.10.2005

应用

甚高频射频放大器，本地振荡器，混频器

概要

瑞萨封装代码： PTSP0003ZA -A

（包名称： CMPAK

)

1.发射器

2.基

3.收集

注意：

标记为“ JC ” 。

* CMPAK是瑞萨科技公司的商标。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

评级

100

150

-55到+150

单位

°C

Rev.3.00 2005年8月10日第1页5

2SC4265

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿电压

集电极到发射极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极饱和电压

直流电流传输比

集电极输出电容

增益带宽积

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

COB

民

—

600

典型值

—

最大

—

0.5

1.0

—

1.5

—

单位

兆赫

测试条件

= 10

= 0

= 1毫安，R

∞

= 15 V，I

= 0

= 3 V，I

= 0

= 20 mA时，我

= 4毫安

= 10 V，I

= 10毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 10 V，I

= 10毫安

Rev.3.00 2005年8月10日第2页5

2SC4265

主要特点

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

（ mW）的

120

100

200

直流电流传输比

与集电极电流

直流电流传输比H

160

120

= 10 V

100

150

环境温度Ta （C ）

集电极电流I

（MA ）

集电极输出电容

与集电极 - 基极电压

集电极输出电容C

（PF ）

2.0

= 0

F = 1 MHz的

增益带宽积

与集电极电流

增益带宽乘积F

（千兆赫）

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

= 10 V

0.4

集电极电流I

（MA ）

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容C

（PF ）

基本时间常数r

bb'

（ ps的）

2.0

发射器通用

F = 1 MHz的

集电极基极电压V

(V)

基本时间常数

与集电极电流

1.6

= 10 V

F = 31.8兆赫

1.2

0.8

0.4

集电极基极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

Rev.3.00 2005年8月10日第3页5

2SC4265

振荡输出电压

与集电极电流

振荡输出电压V

osc1

（毫伏）

500

= 12 V

OSC

= 300 MHz的

振荡输出电压

- 电源电压

振荡输出电压V

osc1

（毫伏）

250

400

200

300

150

200

100

= 7毫安

OSC

= 300 MHz的

100

集电极电流I

（MA ）

振荡输出电压

与集电极电流

振荡输出电压V

osc2

（毫伏）

200

电源电压V

(V)

振荡输出电压

- 电源电压

振荡输出电压V

osc2

（毫伏）

200

160

120

= 12 V

OSC

= 930兆赫

= 7毫安

OSC

= 930兆赫

集电极电流I

（MA ）

电源电压V

(V)

转换增益与集电极电流

= 12 V

F = 200 MHz的

OSC

= 230兆赫

（为0 dBm ）

噪声系数与集电极电流

转换增益CG （分贝）

噪声系数NF （ dB）的

= 12 V

F = 200 MHz的

OSC

= 230兆赫

（为0 dBm ）

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

Rev.3.00 2005年8月10日第4

2SC4265

包装尺寸

JEITA封装代码

SC-70

瑞萨代码

PTSP0003ZA-A

包名称

CMPAK / CMPAKV

质量[典型值]

0.006g

×M的

参考

符号

尺寸以毫米为单位

A-A部分

终端位置的区域格局

民

0.8

0.25

0.1

1.8

1.15

1.8

0.3

0.1

0.2

喃

0.9

0.25

0.32

0.3

0.13

0.11

2.0

1.25

0.65

2.1

最大

1.1

0.1

1.0

0.4

0.15

2.2

1.35

2.4

0.7

0.5

0.6

0.05

0.45

0.9

1.5

0.2

订购信息

部件名称

2SC4265JCTL-E

QUANTITY

3000

中海集装箱

178毫米卷轴， 8毫米浮雕大坪

注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态

订购产品之前生产。

Rev.3.00 2005年8月10日第5

INCHANGE半导体

ISC

RF产品规格

ISC

硅NPN晶体管RF

2SC4265

描述

ULOW

噪音

高

收益

应用

·设计

在甚高频射频放大器，本地振荡器，混频器使用。

绝对最大额定值（T

=25

℃)

符号

参数

价值

单位

CBO

集电极 - 基极电压

首席执行官

集电极 - 发射极电压

EBO

发射极 - 基极电压

3.0

集电极电流连续

集电极耗散功率

=25℃

0.1

结温

150

℃

英镑

存储温度范围

-55~150

℃

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

RF产品规格

ISC

硅NPN晶体管RF

电气特性

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

2SC4265

典型值。

最大

单位

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

= 10μA ;我

= 0

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

= 1毫安;

∞

CBO

收藏家Cuto FF电流

= 15V ;我

= 0

0.5

μA

EBO

发射Cuto FF电流

= 3V ;我

= 0

μA

CE（

SAT

)

集电极 - 发射极饱和电压

= 20mA下;我

= 4毫安

1.0

直流电流增益

= 10毫安; V

= 10V

电流增益带宽积

= 10毫安; V

= 10V

600

兆赫

输出电容

= 0 ; V

= 10V ; F = 1.0MHz的

1.5

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

RF产品规格

ISC

硅NPN晶体管RF

2SC4265

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

RF产品规格

ISC

硅NPN晶体管RF

2SC4265

ISC的网站： www.iscsemi.cn