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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4232
描述
·采用TO- 247封装
·开关功率晶体管
·高击穿电压
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1200
800
7
2
4
1
2
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.7
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4232
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
在额定电压
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
在额定电压
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 1毫安; V
CE
=5V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V
8
7
8
兆赫
0.1
mA
0.1
mA
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
民
800
1.0
1.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=1A
I
B1
= 0.2A ;我
B2
=0.4A
V
BB2
= 4V ，R
L
=250B
0.5
3.5
0.3
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4232
图2外形尺寸
3
新电元
开关功率晶体管
HFX系列
(T2W80HFX)
2A NPN
2SC4232
外形尺寸
案例： MTO -3P
单位：mm
评级
“绝对
最大额定值
项
储存温度
结温
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流DC
集电极电流峰值
基极电流DC
基极电流峰值
总晶体管耗散
安装力矩
符号
TSTG
Tj
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
器
条件
TC = 25 ？
(Recommended torque : 0.5N½m)
评级
-55½150
150
1200
800
7
2
4
1
2
70
0.8
评级
800分钟
最大0.1
最大0.1
最大0.1
8分钟
7分钟
最大
1.0
最大
1.5
最大
1.7
TYP 8
最大0.5
MAX 3.5
最大0.3
单位
℃
℃
V
V
V
A
A
W
N½m
ⅵELECTRICAL
特性（TC = 25 ??）
项
符号
集电极到发射极耐受电压
V
首席执行官
（ SUS）的
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
I
EBO
直流电流增益
h
FE
h
FEL
集电极到发射极饱和电压
V
CE
（SAT）
基地发射极饱和电压
V
BE
（SAT）
热阻
θJC
跃迁频率
f
T
启动时间
吨
贮存时间
ts
下降时间
tf
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
条件
I
C
= 0.1A
在额定电压
在额定电压
V
CE
= 5V ，我
C
=
1A
V
CE
= 5V ，我
C
=
1mA
I
C
=
1A
I
B
= 0.2A
结到外壳
V
CE
=
10V,
I
C
= 0.2A
I
C
=
1A
I
B1
= 0.2A ，我
B2
= 0.4A
R
L
= 250Ω, V
BB2
= 4V
单位
V
mA
mA
V
V
℃/W
兆赫
μs
2SC4232
h
FE
- I
C
V
CE
= 5V
100
TC = 150℃
100°C
50°C
25°C
10
0°C
25°C
直流电流增益
FE
55°C
1
0.001
0.01
0.1
1
4
集电极电流I
C
[A]
2SC4232
饱和电压
3
0.5A
1A
2A
4A
2.5
3
I
C
= 0.25A
2.5
2
2
1.5
4A
0.5A
1A
2A
1.5
集电极 - 发射极电压V
CE
[V]
I
C
=
0.25A
0.5
0.5
TC = 25°C
0
0.1
1
2
0
0.01
基极电流I
B
[A]
基极 - 发射极电压V
BE
[V]
1
1
2SC4232
10
切换时间 - 我
C
t
s
1
开关时间t
SW
[s]
t
on
0.1
t
f
I
B1
= 0.2I
C
I
B2
= 0.4I
C
V
BB2
= 4V
V
CC
= 250V
TC = 25°C
0.01
0
0.5
1
1.5
2
集电极电流I
C
[A]
2SC4232
10
切换时间 - V
CC
t
s
1
开关时间t
SW
[s]
t
on
t
f
0.1
I
C
= 1A
I
B1
= 0.2A
I
B2
= 0.4A
V
BB2
= 4V
TC = 25°C
0.01
0
50
100
150
200
250
300
集电极电压V
CC
[V]
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4232
描述
·带
TO- 247封装
切换
功率晶体管
高
击穿电压
·
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1200
800
7
2
4
1
2
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.7
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4232
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
在额定电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
在额定电压
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 1毫安; V
CE
=5V
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V
8
7
8
兆赫
0.1
mA
0.1
mA
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
I
C
= 1A ;我
B
=0.2A
民
800
1.0
1.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=1A
I
B1
= 0.2A ;我
B2
=0.4A
V
BB2
= 4V ，R
L
=250Ω
0.5
3.5
0.3
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4232
图2外形尺寸
3
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推荐型号
2SK2201
231902B
2SK2029-01S
2SCR533P
2N4992
281742-3
2N4395
2SK4081-S15-AY
2N7002DW-TP
2013022-2
24LC04B-E/MS
2SB795M
27C64-15SO
2SD1276AQ
2SB1191AP
2SK3906
2SK3235
2-1761606-1
2N243
250U20B501A2CA
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2SC4232
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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2SC4232
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2SC4232
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