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数据表
硅晶体管
2SC4228
高频低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
超级迷你模具
描述
该2SC4228是设计用于甚高频低电源电压的晶体管,
超高频低噪声放大器。
它适合于高密度的表面,因为安装组件
晶体管已经应用于超小型模压封装。
这是通过直接钝化氮化物基面处理实现
(纳沙
TM
过程),这是一个NEC专有制造技术。
包装尺寸
以毫米为单位
2.1 ± 0.1
1.25 ± 0.1
2.0 ± 0.2
+0.1
0.3
–0
0.65 0.65
2
3
+0.1
0.3
–0
特点
高F
T
低C
re
: 8.0 GHz的典型。 ( @ V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安, F = 2千兆赫)
: 0.3 pF的典型。 ( @ V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz)的
1
高| S
21e
|
2
7.5 dB典型值。 ( @ V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安, F = 2千兆赫)
超级迷你模具套餐。 ( EIAJ : SC- 70 )
记号
0.9 ± 0.1
订购信息
部分
2SC4228-T1
0.3
QUANTITY
3千件/卷。
包装方式
压纹带8mm宽。
引脚3 (珍藏)脸侧穿孔
的磁带。
压纹带8mm宽。
PIN1 (发射极) ,PIN2 (基地)的脸
带的穿孔侧。
2SC4228-T2
3千件/卷。
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
*
请与NEC负责人,如果你需要评估咨询,
样本。样本股数量为50个。 (部件号: 2SC4228 )
一号文件P10372EJ2V0DS00 (第2版)
(上一页第TC- 2404 )
发布日期1995年P月
日本印刷
0-0.1
0.15
+0.1
–0.05
1993
2SC4228
绝对最大额定值(T
A
= 25 C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
20
10
1.5
35
150
150
-65到+150
V
V
V
mA
mW
C
C
电气特性(T
A
= 25 C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
|S
21e
|
2
NF
5.5
50
5.5
100
8.0
0.3
7.5
1.9
3.2
0.7
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
250
GHz的
pF
dB
dB
单位
测试条件
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安*
1
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1兆赫*
2
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
A
A
*1
脉冲测量; PW
350
S,占空比
2 %
*2
发射端和外壳应连接到三端电容的保护终端
桥梁。
h
FE
分类
记号
h
FE
R43
R43
50至100
R44
R44
80至160
R45
R45
125至250
2
2SC4228
典型特征(T
A
= 25 C)
总功耗对比
环境温度
25
P
T
- 总功率耗散 - 毫瓦
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
自由的空气
200
I
C
- 集电极电流 - 毫安
20
15
A
160
A
140
120
A
100
A
80
A
100
10
60
A
5
40
A
I
B
= 20
A
0.5
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
1.0
0
50
100
150
0
T
A
- 环境温度 - °C
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
20
V
CE
= 3 V
I
C
- 集电极电流 - 毫安
h
FE
- 直流电流增益
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
V
CE
= 3 V
100
10
50
20
0
0.5
V
BE
- 基地发射极电压 - V
1.0
10
0.5
1
5
10
50
I
C
- 集电极电流 - 毫安
反馈电容与
集电极 - 基极电压
5.0
F = 1 MHz的
2.0
1.0
0.5
f
T
- 增益带宽积 - GHz的
C
re
- 反馈电容 - pF的
增益带宽积主场迎战
集电极电流
10
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
8
6
4
0.2
0.1
2
0
0.5
1
2
5
10
20
50
1
5
10
50
V
CB
- 集电极基极电压 - V
I
C
- 集电极电流 - 毫安
3
2SC4228
插入功率增益与
集电极电流
12
插入功率增益与
频率
25
|S
21e
|
2
- 插入功率增益 - 分贝
|S
21e
|
2
- 插入功率增益 - 分贝
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V
I
C
= 5毫安
20
8
15
10
4
5
0
0.1
0
0.5
1
5
10
50
0.5
1.0
5.0
I
C
- 集电极电流 - 毫安
的F - 频率 - GHz的
噪声系数与
集电极电流
5
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
NF - 噪声系数 - 分贝
4
3
2
1
0
0.5
1
5
10
50
I
C
- 集电极电流 - 毫安
4
2SC4228
S参数
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安,Z
O
= 50
频率
兆赫
100.00
200.00
300.00
400.00
500.00
600.00
700.00
800.00
900.00
1000.00
1100.00
1200.00
1300.00
1400.00
1500.00
1600.00
1700.00
1800.00
1900.00
2000.00
MAG
.875
.762
.677
.565
.495
.425
.372
.327
.289
.255
.236
.214
.195
.182
.165
.153
.145
.139
.134
.129
S11
–18.6
–35.0
–47.2
–59.4
–67.5
–76.1
–81.6
–88.5
–93.6
–100.5
–105.2
–112.2
–117.6
–123.8
–129.9
–137.4
–144.3
–151.8
–157.0
–164.7
MAG
14.087
12.290
10.888
9.275
8.300
7.184
6.454
5.818
5.231
4.820
4.444
4.142
3.842
3.554
3.343
3.218
3.091
2.857
2.764
2.624
S21
161.1
145.1
133.6
123.6
115.7
108.9
104.8
99.5
95.5
92.0
88.8
85.3
83.2
79.3
77.4
75.3
73.6
70.4
68.7
66.4
MAG
.018
.034
.048
.055
.063
.074
.084
.089
.092
.104
.105
.113
.122
.127
.139
.140
.152
.162
.168
.176
S12
78.2
68.6
66.6
65.8
63.5
61.1
63.8
62.7
64.6
62.8
64.2
64.2
63.6
65.0
64.1
64.5
65.4
64.3
62.3
64.8
MAG
.958
.888
.800
.719
.669
.610
.600
.560
.543
.519
.512
.497
.476
.481
.467
.466
.458
.456
.451
.445
S22
–10.1
–17.7
–24.4
–26.7
–28.7
–30.3
–30.6
–31.3
–30.1
–33.4
–31.8
–33.4
–33.2
–34.2
–34.6
–34.8
–37.2
–36.1
–38.4
–39.0
V
CE
= 3 V,I
C
= 3毫安,Z
O
= 50
频率
兆赫
100.00
200.00
300.00
400.00
500.00
600.00
700.00
800.00
900.00
1000.00
1100.00
1200.00
1300.00
1400.00
1500.00
1600.00
1700.00
1800.00
1900.00
2000.00
MAG
.943
.868
.815
.717
.655
.577
.518
.468
.420
.380
.344
.321
.291
.273
.250
.228
.219
.199
.193
.182
S11
–13.4
–26.6
–37.7
–48.9
–56.8
–65.5
–71.2
–78.1
–83.7
–90.6
–94.8
–101.6
–105.9
–111.7
–117.2
–122.4
–128.5
–135.3
–139.6
–146.9
MAG
9.384
8.668
8.165
7.279
6.780
6.061
5.504
5.074
4.632
4.340
3.951
3.717
3.485
3.306
3.134
2.959
2.819
2.699
2.572
2.474
S21
165.9
152.8
142.9
132.9
125.5
118.0
112.8
106.7
102.8
98.3
94.8
90.5
87.6
84.3
80.7
79.0
76.0
73.9
71.9
68.3
MAG
.020
.038
.051
.062
.075
.084
.091
.098
.102
.105
.112
.121
.128
.135
.140
.145
.153
.161
.163
.175
S12
84.1
77.2
67.9
63.9
63.9
60.0
59.7
57.0
59.0
56.6
57.8
59.0
58.7
59.8
58.0
59.5
59.0
58.4
60.3
59.8
MAG
.969
.936
.876
.804
.764
.708
.685
.639
.611
.592
.579
.551
.532
.535
.511
.516
.504
.493
.489
.482
S22
–7.7
–13.8
–20.9
–23.5
–26.7
–29.7
–31.1
–32.0
–32.8
–35.0
–34.1
–35.0
–35.9
–36.6
–37.5
–37.7
–39.0
–39.9
–41.4
–41.4
5
为了我们的客户,
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年, NEC电子公司合并,瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此,尽管老公司的名称仍然是这个文件中,它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站: http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出:
瑞萨电子公司
( http://www.renesas.com )
任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。
通告
1.
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如有更改,恕不另行通知。购买或使用本文中列出的任何瑞萨电子的产品,请前
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瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为: “标准” , “高品质” ,而
“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级,
如下所示。在特定的使用它之前,你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级
应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序
瑞萨电子的书面同意。此外,您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序
它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子,不得以任何方式
从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任
应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面
瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ,除非另有
在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” :运输设备(汽车,火车,船舶等) ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” :
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统(如人工生命支持设备或系统) ,外科手术植入,或保健
介入治疗(如切除等) ,并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内,
特别是相对于最大额定值,工作电源电压范围,移动电源电压范围时,热辐射
特点,安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性,半导体产品有
具体特点,如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外,
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施,
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性,并伤害或损坏
瑞萨电子产品,如安全性设计的硬件和软件,包括但不限于冗余,火
控制和故障的预防,对于老化降解或任何其他适当的措施,适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的,请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系,以环境问题,如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
该规范的受控物质列入或使用,包括但不限于欧盟RoHS法规
指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任
适用法律和法规。
本文不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,瑞萨没有事先书面同意
电子产品。
如果需要了解关于本资料的任何问题,请联系瑞萨电子销售办事处
文档或瑞萨电子的产品,或者如果您有任何疑问。
“标准” :
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
(注1 ) “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
(注2 ) “瑞萨电子的产品(S ) ”,是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
数据表
NPN硅晶体管RF
2SC4228
NPN外延硅晶体管RF
高频低噪声放大
3引脚超Minimold
描述
该2SC4228是一个低电源电压的晶体管设计为VHF,UHF低噪声放大器。
由于晶体管已经施加3针超级minimold它适合于高密度的表面安装装配
封装。
特点
低噪音: NF = 1.9 dB典型值。 @ V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
·高增益:
S
21e
2
= 7.5 dB典型值。 @ V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
3引脚超minimold包
订购信息
产品型号
2SC4228
2SC4228-T1
QUANTITY
50个(非卷轴)
3千件/卷
8毫米宽压纹带卷
引脚3(集电极)面对带的穿孔侧
供给方式
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
评级
20
10
1.5
35
150
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
自由的空气
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文件前,请确认
这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PU10452EJ01V0DS (第1版)
(上一页第P10372EJ2V0DS00 )
发布日期2003年12月CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
NEC化合物半导体器件1993年, 2003
2SC4228
电气特性(T
A
= +25°C)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
f
T
S
21e
NF
C
re
注2
2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 10 V,I
E
= 0毫安
V
EB
= 1 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
50
100
1.0
1.0
250
A
A
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CB
= 3 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
5.5
5.5
8.0
7.5
1.9
0.3
3.2
0.7
GHz的
dB
dB
pF
注意事项1 。
脉搏测量: PW
350
S,占空比
2%
2.
集电极基极电容,当发射器接地
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
R43
R43
50至100
R44
R44
80至160
R45
R45
125至250
2
数据表PU10452EJ01V0DS
2SC4228
典型特征(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
总功耗
- 环境温度
反向传输电容C
re
(PF )
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
5
F = 1 MHz的
2
1
0.5
250
总功耗P
合计
( mW)的
自由的空气
200
150
100
50
0.2
0.1
0
25
50
75
100
125
150
1
2
5
10
20
50
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
20
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
25
160
20
A
140
A
15
120
A
100
A
80
A
10
10
60
A
5
40
A
I
B
= 20
A
0.5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
1
0
0.5
基极至发射极电压V
BE
(V)
1
0
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
增益带宽积
与集电极电流
10
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
8
V
CE
= 3 V
100
直流电流增益
FE
6
50
4
20
2
0
0.5
10
0.5
1
5
10
50
1
5
10
50
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
备注
该图表显示的标称特性。
数据表PU10452EJ01V0DS
3
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