数据表
硅晶体管
2SC4226
高频低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
超级迷你模具
描述
该2SC4226是一个低电源电压的晶体管设计为VHF，UHF低
噪声放大器。
它适合于高密度的表面由于晶体管安装组件
已应用于小型微型模具封装。
包装尺寸
以毫米为单位
2.1 ± 0.1
1.25 ± 0.1
特点
2.0 ± 0.2
+0.1
0.3
–0
0.65 0.65
- 低噪声
NF = 1.2 dB典型值。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
高增益
|S
21e
| = 9.0分贝TYP 。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
小型微型模具套餐
EIAJ ： SC- 70
2
2
3
+0.1
0.3
–0
1
0.9 ± 0.1
部分
数
2SC4226-T1
QUANTITY
3千件/卷。
包装方式
压纹带8mm宽。
引脚3 （珍藏）面的侧面穿孔
胶带。
压纹带8mm宽。
PIN1 （发射极） ，PIN2 （基地）面穿孔
带的一侧。
2SC4226-T2
3千件/卷。
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
*
请与NEC负责人，如果你需要评估咨询，
样本。样本股数量为50个。 （部件号： 2SC4226 ）
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件P10368EJ3V0DS00 （第3版）
（上一页第TC- 2402 ）
发布日期1995年P月
日本印刷
0-0.1
0.15
+0.1
–0.05
订购信息
0.3
记号
1993
SMD型
NPN硅外延型晶体管
2SC4226
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
低噪声和高增益。
NF = 1.2 dB典型值。 @V
CE
= 3V ，我
C
= 7 mA时， F = 1.0 GHz的
高增益。
|S
21e
|
2
= 9.0分贝TYP 。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
1辐射源
2
BASE
BASE
2
3
3
集热器
Collecotr
1辐射源
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
12
3.0
100
150
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
跃迁频率
* 。脉搏测量： PW
350
S，占空比
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
S
21e
NF
C
re
f
T
2%.
2
Testconditons
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 3V ，我
C
= 7毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 7毫安
民
典型值
最大
1.0
1.0
单位
A
A
40
7
110
9
1.2
0.7
250
dB
2.5
1.5
dB
pF
GHz的
3.0
4.5
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
R23
R23
40
80
R24
R24
70
140
R25
R25
125
250
www.kexin.com.cn
www.kesenes.com
1
PreliminaryData
片
2SC4226
R09DS0022EJ0200
NPN硅晶体管RF
Rev.2.00
2011年6月29日
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold
描述
该2SC4226是一个低电源电压的晶体管设计为VHF，UHF低噪声放大器。
由于晶体管已经施加3针超级minimold它适合于高密度的表面安装装配
封装。
特点
低噪音： NF = 1.2 dB典型值。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
·高增益：
S
21e
2
= 9 dB典型值。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
3引脚超minimold包
<R>
订购信息
产品型号
2SC4226
2SC4226-T1
订单号
2SC4226-A
2SC4226-T1-A
包
3引脚超
Minimold
（无铅）
QUANTITY
50个（非卷轴）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3（集电极）面对带的穿孔侧
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
20
12
3
100
150
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
记
自由的空气
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0022EJ0200 Rev.2.00
2011年6月29日
第1页6
2SC4226
S-参数
设在我们的网站上的格式（ S2P ），使直接导入S参数和噪声参数
的参数，以微波电路仿真，而不需要键盘输入。
点击这里下载S参数。
[RF与微波]
→
[设备参数]
网址http://www2.renesas.com/microwave/en/download.html
R09DS0022EJ0200 Rev.2.00
2011年6月29日
分页： 5 6
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SC4226
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
低噪声和高增益。
NF = 1.2 dB典型值。 @V
CE
= 3V ，我
C
= 7 mA时， F = 1.0 GHz的
高增益。
|S
21e
|
2
= 9.0分贝TYP 。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
1辐射源
2
BASE
BASE
2
3
3
集热器
Collecotr
1辐射源
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
12
3.0
100
150
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
跃迁频率
* 。脉搏测量： PW
350
S，占空比
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
S
21e
NF
C
re
f
T
2%.
2
Testconditons
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 3V ，我
C
= 7毫安
V
CE
= 3V ，我
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 7毫安
民
典型值
最大
1.0
1.0
单位
A
A
40
7
110
9
1.2
0.7
250
dB
2.5
1.5
dB
pF
GHz的
3.0
4.5
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
R23
R23
40
80
R24
R24
70
140
R25
R25
125
250
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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