数据表
硅晶体管
2SC4187
微波低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
超级迷你模具
描述
该2SC4187的设计主要是在低电压和低使用
目前应用最多的UHF频段。该2SC4187是理想的寻呼机,
电光检测器后置放大器的应用,以及其他电池pow-
ERED系统。超级迷你模具包使得它适用于小型应用
类型的设备,如高收入国家。
包装尺寸
以毫米为单位
2.1 ±0.1
1.25 ±0.1
低噪声: NF = 3.0 dB典型值。 @V
CE
= 1 V,I
C
= 250
A,F = 1.0 GHz的
高增益: | S
21e
|
2
= 6.5 dB典型值。 @V
CE
= 1 V,I
C
= 1毫安, F = 1.0 GHz的
小包装
0.65 0.65
2.0 ±0.2
0.3
+0.1
–0
特点
2
0.3
+0.1
–0
0.15
+0.1
–0.05
1
3
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
15
8
2
5
50
150
-65到+150
V
V
V
mA
mW
C
C
0.9 ±0.1
0.3
绝对最大额定值(T
A
= 25 C)
记号
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性(T
A
= 25 C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
|S
21e
|
2
NF
4.0
50
100
4.0
0.5
6.5
3.0
4.5
0.7
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
0.1
250
GHz的
pF
dB
dB
单位
测试条件
V
CB
= 5 V,I
E
= 0
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
V
CE
= 1 V,I
C
= 250
A,脉冲
V
CE
= 1 V,I
C
= 1毫安, F = 1 GHz的
V
CB
= 1 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 1 V,I
E
= 1毫安, F = 1 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 250
A,F = 1 GHz的
A
A
h
FE
分类
类
记号
h
FE
R6A
R6A
50至100
R6B
R6B
80至160
R6C
R6C
125至250
注意事项
避免高静态电压或电场,使该设备不会遭受因这些电压或字段的任何损害。
一号文件P10370EJ3V0DS00 (第3版)
发布日期1996年P月
日本印刷
0-0.1
1996