\u003c小信号晶体管\u003e
2SC4155A
低频AMPLIFY应用
NPN硅外延型（超级迷你型）
描述
2SC4155A是密封的超小型封装树脂
NPN硅外延晶体管，
它是专为低频电压的应用。
.
0.425
2.1
1.25 0.425
外形绘图
Unit：½½
0.65
①
②
③
2.0
1.30
特征
●小集电极到发射极饱和电压。
VCE （SAT） = 0.3V最大
●直流正向增益优秀的线性度。
●超小型封装，易于安装
0.9
0.6 5
0.7
应用
对于混合集成电路，小型机器的低频电压
扩大应用。
JEITA：SC-70
端子连接器
内部BASE
评级
50
50
6
200
200
＋150
-55½＋150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
最大额定值
（Ta=25℃）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
② ：辐射源
--Collector
P
c
T
j
T
英镑
电气特性
（Ta=25℃）
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
C至ê饱和Vlotage
增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
符号
V（ BR ）
首席执行官
I
CBO
I
EBO
的hFE
的hFE
VCE （ SAT ）
fT
COB
NF
测试条件
IC=100μA,RBE=∞
VCB=50V,IE=0
VEB=4V,IC=0
VCE=6V,IC=1mA
VCE=6V,IC=0.1mA
IC=100mA,IB=10mA
VCE=6V,IE=-10mA
VCB=6V,IE=0,f=1MHz
VCE=6V,IE=-0.1mA,f=1kHz,RG=2kΩ
范围
民
50
－
－
120
70
－
－
－
－
典型值
－
－
－
(※)
－
－
200
4
－
最大
－
0.1
0.1
820
－
0.3
－
－
15
单位
V
μA
μA
－
－
V
兆赫
pF
dB
※ ）它显示在下面的表的hFE分类。
项
½ＦＥ
项
Ｑ
120~270
0½0.1
Ｒ
180~390
0.15
Ｓ
270~560
0.3
Ｔ
390~820
谏早电子股份有限公司
市场营销事业部，营销策划部
6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065日本
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·
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总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
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硬伤。
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日本政府许可，不能导入超过核定目的地之外的国家。任何
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h
禁止的。
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材料或其中包含的产品。
Jan.2003
SMD型
NPN硅外延
2SC4155A
晶体管
IC
特点
小集电极到发射极饱和电压。
V
CE （ SAT ）
=0.3max
直流正向电流增益优秀的直系。
晚餐的迷你包，便于安装。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
6
200
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
Testconditons
民
50
0.1
0.1
120
820
0.3
200
4
15
V
兆赫
pF
dB
典型值
最大
单位
V
ìA
ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=100ìA,R
BE
=
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
EB
= 4 V，I
C
= 0
V
CE
= 6 V，I
C
= 1毫安
V
CE （SAT）
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
f
T
C
ob
NF
V
CE
= 6 V，I
C
= -10毫安
V
CB
= 6 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 6 V，I
E
= 0 ， F = 1MHz时， RG = 2KU
h
FE
分类
记号
的hFE
HQ
120 270
HR
180 390
HS
270 560
HT
390 820
www.kexin.com.cn
1
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SC4155A
特点
小集电极到发射极饱和电压。
V
CE （ SAT ）
=0.3max
直流正向电流增益优秀的直系。
晚餐的迷你包，便于安装。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
6
200
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
Testconditons
民
50
0.1
0.1
120
820
0.3
200
4
15
V
兆赫
pF
dB
典型值
最大
单位
V
ìA
ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=100ìA,R
BE
=
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
EB
= 4 V，I
C
= 0
V
CE
= 6 V，I
C
= 1毫安
V
CE （SAT）
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
f
T
C
ob
NF
V
CE
= 6 V，I
C
= -10毫安
V
CB
= 6 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 6 V，I
E
= 0 ， F = 1MHz时， RG = 2KU
h
FE
分类
记号
的hFE
HQ
120 270
HR
180 390
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270 560
HT
390 820
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