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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第510页 > 2SC4135
SMD型
高压开关的应用
2SC4135
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
晶体管
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
高耐压和大电流的能力。
快速开关速度。
+0.2
9.70
-0.2
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
120
100
6
2
3
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
3
.8
0
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SC4135
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 100V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 100毫安
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
晶体管
民
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
100
120
16
0.13
0.85
120
100
6
80
400
兆赫
pF
0.4
1.2
V
V
V
V
V
ns
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10ìA ，我
C
= 0
t
on
贮存时间
t
英镑
1000
ns
下降时间
t
f
50
ns
h
FE
分类
秩
的hFE
R
100 200
S
140 280
T
200 400
2
www.kexin.com.cn
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SC4135
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
高耐压和大电流的能力。
快速开关速度。
+0.2
9.70
-0.2
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
120
100
6
2
3
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SC4135
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 100V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 100毫安
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
100
120
16
0.13
0.85
120
100
6
80
0.4
1.2
民
典型值
最大
100
100
400
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
单位
nA
nA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10ìA ，我
C
= 0
t
on
贮存时间
t
英镑
1000
ns
下降时间
t
f
50
ns
h
FE
分类
秩
的hFE
R
100 200
S
140 280
T
200 400
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
订购数量： EN2511B
2SA1593/2SC4135
三洋半导体
数据表
2SA1593/2SC4135
应用
PNP / NPN外延平面硅晶体管
高压开关
应用
电源，继电器derivers ，灯驱动器
高击穿电压和电流容量大
采用FBET的， MBIT流程
开关速度快
机可以制造得更紧凑小型且薄型的封装允许2SA1593 / 2SC4135施加的套
特点
特定网络阳离子
（）： 2SA1593
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
条件
评级
(-
-)120
(-
-)100
(-
-)6
(-
-)2
(-
-)3
单位
V
V
V
A
A
接下页。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7518-003
6.5
5.0
4
2.3
1.5
0.5
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7003-003
2SA1593S-E
2SA1593T-E
2SC4135S-E
2SC4135T-E
6.5
5.0
4
2.3
1.5
0.5
7.0
2SA1593S-TL-E
2SA1593T-TL-E
2SC4135S-TL-E
2SC4135T-TL-E
5.5
5.5
7.0
0.5
0.8
1.6
7.5
0.6
1
2
3
0.5
0.6
1
2
0.8
1.2
3
2.5
0.85
0.7
0.85
1.2
0 0.2
1.2
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
4 ：收藏家
三洋： TP
2.3
2.3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
4 ：收藏家
三洋： TP -FA
2.3
2.3
产品&包装信息
封装： TP
JEITA ， JEDEC ： SC- 64 ， TO- 251
最小包装数量： 500个/包。
封装： TP -FA
JEITA ， JEDEC ： SC- 63 ， TO- 252
最小包装数量： 700个/卷。
记号
（ TP ， TP -FA ）
包装类型（ TP - FA ） ： TL
A1593
秩
LOT号
电气连接
2,4
2,4
C4135
秩
LOT号
TL
1
1
2SA1593
3
2SC4135
3
http://www.sanyosemi.com/en/network/
80812 TKIM / N1003TN （ KT ） / 8219MO / 4097TA ， TS No.2511-1 / 9
2SA1593/2SC4135
从接下页。
参数
集电极耗散
结温
储存温度
符号
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
1
15
150
-
-55到+150
单位
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = （ - ） 100V ， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 100毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 1A ， IB = （ - ）百毫安
IC = （ - ） 1A ， IB = （ - ）百毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
(--)120
(--)100
(--)6
(80)80
(750)1000
(40)50
100*
120
(25)16
(--0.22)0.13
(--)0.85
(-
-0.6)0.4
(--)1.2
评级
民
典型值
最大
(-
-)100
(--)100
400*
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
nA
nA
*
：本2SA1593 / 2SC4135的分类网络版由100毫安hFE参数如下：
秩
的hFE
R
100至200
S
140至280
T
200至400
开关时间测试电路
IB1
IB2
输入
PW=20μs
DC≤1%
50Ω
VR
RB
+
100μF
--5V
+
470μF
50V
产量
RL
IC = 10IB1 = --10IB2 = 0.7A
（对于PNP ，极性是相反的）
订购信息
设备
2SA1593S-E
2SA1593T-E
2SC4135S-E
2SC4135T-E
2SA1593S-TL-E
2SA1593T-TL-E
2SC4135S-TL-E
2SC4135T-TL-E
包
TP
TP
TP
TP
TP -FA
TP -FA
TP -FA
TP -FA
航运
500pcs./bag
500pcs./bag
500pcs./bag
500pcs./bag
700pcs./reel
700pcs./reel
700pcs./reel
700pcs./reel
无铅
备忘录
No.2511-2/9
2SA1593/2SC4135
--2.0
IC - VCE
2SA1593
2.0
IC - VCE
2SC4135
集电极电流， IC - 一个
--1.2
mA
50
--
--10mA
集电极电流， IC - 一个
--1.6
A
0m
-4
-
mA
--30
A
--20m
1.6
1.2
A
50m
A
40m
A
30m
A
20m
10mA
--0.8
--5mA
0.8
5mA
--3mA
--0.4
3mA
--2mA
--1mA
IB=0
0
--1
--2
--3
--4
--5
ITR04011
0.4
2mA
1mA
0
0
0
1
2
3
IB=0
4
5
ITR04012
集电极 - 发射极电压VCE - V
--1.0
IC - VCE
集电极 - 发射极电压VCE - V
1.0
IC - VCE
集电极电流， IC - 一个
--4mA
--0.6
--3mA
集电极电流， IC - 一个
--0.8
A
--6m
A
--5m
0.8
5.0
mA
2SA1593
A
4.5m
4.0mA
2SC4135
3.5mA
3.0mA
2.5mA
0.6
--0.4
--2mA
--1mA
2.0mA
0.4
1.5mA
0.2
--0.2
1.0mA
0.5mA
0
0
--10
IB=0
--20
--30
--40
--50
ITR04013
0
0
10
IB=0
20
30
40
50
ITR04014
集电极 - 发射极电压VCE - V
--2.4
IC - VBE
集电极 - 发射极电压VCE - V
2.4
IC - VBE
2SA1593
VCE=--5V
集电极电流， IC - 一个
2SC4135
VCE=5V
--2.0
2.0
集电极电流， IC - 一个
--1.6
1.6
--1.2
1.2
Ta=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
--0.8
0.8
--0.4
0.4
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
ITR04016
基极发射极电压VBE - V
1000
7
5
ITR04015
1000
基极发射极电压VBE - V
的hFE - IC
2SA1593
VCE=--5V
直流电流增益， hFE参数
的hFE - IC
2SC4135
VCE=5V
7
5
直流电流增益， hFE参数
3
2
Ta=75
°C
25°C
3
2
Ta=75
°
C
--25
°C
--25°C
100
7
5
100
7
5
25
°
C
3
7 --0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
3
7 0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流， IC - 一个
ITR04017
集电极电流， IC - 一个
Ta=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
ITR04018
No.2511-3/9
2SA1593/2SC4135
3
F T - IC
2SA1593 / 2SC4135
VCE=10V
输出电容，科夫 - pF的
1000
7
5
COB - VCB
2SA1593 / 2SC4135
f=1MHz
增益带宽积， F T - 兆赫
2
100
7
5
2SA
2
3
159
3
41
5
3
2
2SA
2SC
159
3
SC
413
5
3
2
100
7
5
为PNP型，省略了负号
10
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
3
7
1.0
2
3
5
7
为PNP型，省略了负号
10
2
3
5
7
集电极电流， IC - 一个
--1000
7
ITR04019
1000
7
VCE （SAT） - IC
集电极 - 基极电压VCB - V
2
100
ITR04020
VCE （SAT） - IC
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） - V
5
3
2
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） - V
2SA1593
IC / IB = 10
5
3
2
2SC4135
IC / IB = 10
--100
7
5
3
2
--10
7 --0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
100
7
5
3
2
10
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
75
°
C
TA
5
°
C
--2
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
25
°
C
集电极电流， IC - 一个
--10
7
ITR04021
10
7
VBE （星期六） - IC
集电极电流， IC - 一个
ITR04022
VBE （星期六） - IC
基极 - 发射极
饱和电压VBE （星期六） - V
5
基极 - 发射极
饱和电压VBE （星期六） - V
2SA1593
IC / IB = 10
2SC4135
IC / IB = 10
5
3
2
3
2
--1.0
7
5
3
7 --0.01
Ta=--25
°
C
25
°
C
1.0
7
5
3
Ta=--25
°
C
25
°
C
75
°
C
75
°
C
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
7 0.01
2
3
5 7
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
集电极电流， IC - 一个
5
3
2
ITR04023
16
ASO
集电极电流， IC - 一个
ITR04024
PC - TA
ICP=3.0A
IC=2.0A
DC
op
DC
1m
s
15
14
2SA1593 / 2SC4135
1.0
5
3
2
0.1
5
3
2
0.01
5
3
集电极耗散，电脑 - 含
集电极电流， IC - 一个
s
10m
12
10
8
6
4
2
1
0
op
er
ATI
ERA
on
TIO
n
Ta
=2
100
ms
5
°
C
5
°
C
=2
Tc
2SA1593 / 2SC4135
Tc=25
°
C
单脉冲
为PNP型，省略了负号
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7 100
2
无散热器
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压VCE - V
ITR04025
环境温度，钽 -
°
C
ITR04026
No.2511-4/9
2SA1593/2SC4135
大坪特定网络阳离子
2SA1593S - TL -E ， 2SA1593T - TL -E ， 2SC4135S - TL -E ， 2SC4135T - TL -E
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