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数据表
数据表
硅晶体管
2SC4094
微波低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
4引脚MINI模具
描述
该2SC4094是设计用于在使用一个NPN外延硅晶体管
低噪声和VHF频段小信号放大器UHF频段。低
噪声系数,高增益和高电流的能力实现了非常宽的
动态范围和出色的线性度。
专有的新的制造技术。
这实现了由直接氮化
2.9±0.2
(1.8)
0.85 0.95
包装尺寸
(单位:毫米)
0.4
0.05
0.4
0.05
0.16
+0.1
0.06
2.8
0.3
+0.2
1.5
0.1
2
3
4
0-0.1
+0.2
+0.1
钝化的基面处理( DNP过程),这是一个NEC
+0.1
特点
NF = 1.2 dB典型值。 @f = 1.0千兆赫,V
CE
= 8 V,I
C
= 7毫安

S
21e

2
= 15 dB典型值。 @f = 1.0千兆赫,V
CE
= 8 V,I
C
= 20毫安
1
0.6
0.05
+0.1
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
20
10
1.5
65
200
150
V
V
V
mA
mW
1.1
0.1
0.8
绝对最大额定值(T
A
= 25

C)
+0.2

65 150

C

C
引脚连接
1.集热器
2.辐射源
3. BASE
4.发射器
电气特性(T
A
= 25

C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
最大可用增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
50
9
0.25
13
15
17
1.2
2.0
0.8
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
250
GHz的
pF
dB
dB
dB
单位
测试条件
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
V
CE
= 8V ,我
C
= 20毫安
V
CE
= 8 V,I
C
= 20 mA时, F = 1.0 GHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
V
CE
= 8 V,I
C
= 20 mA时, F = 1.0 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 20 mA时, F = 1.0 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 7 mA时, F = 1.0 GHz的

A

A

S
21e

2
MAG
NF
h
FE
分类
记号
h
FE
R36 / RCF *
R36
50至100
R37 / RCG *
R37
80至160
R38 / RCH *
R38
125至250
*旧规格/新规范
一号文件P10366EJ1V1DS00 (第1版)
发布日期1997年三月
日本印刷
0.4
+0.1
0.05
(1.9)
1987
2SC4094
典型特征(T
A
= 25

C)
总功耗对比
环境温度
P
T
- 总功率耗散mW的
2.0
反馈电容与
集电极 - 基极电压
F = 1.0 GHz的
自由的空气
C
re
-Feed回电容pF的
200
1.0
0.7
0.5
100
0.3
0.2
0
50
100
150
0.1
T
A
- 环境温度 - ℃,
1
2
3
5
7
10
20
V
CB
-collector基极电压-V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
V
CE
= 8 V
20
插入增益与
集电极电流
V
CE
= 8 V
F = 1.0 GHz的
|S
21e
|
2
-Insertion增益分贝
100
h
FE
-DC电流增益
50
10
20
10
0.5
1
5
10
50
0
1
2
5
10
20
40
I
C
-collector电流毫安
I
C
-collector电流毫安
30
20
f
T
- 获得带宽积GHz的
增益带宽产品货号对比
集电极电流
V
CE
= 8 V
|S
21e
|
2
-Insertion增益-dB
MAG-最大可用增益分贝
30
最大可用增益,插入
增益与频率
V
CE
= 8 V
I
C
= 20毫安
MAG
20
|S
21e
|
2
10
7
5
3
2
10
0
0.1
1
2
3
5
7
10
20
30
I
C
-collector电流毫安
0.2
0.5
F-频率GHz的
1.0
2.0
2
2SC4094
噪声系数与
集电极电流
7
6
V
CE
= 8 V
F = 1.0 GHz的
NF-噪声系数分贝
5
4
3
2
1
0
0.5
1
5
10
50 70
I
C
-collector电流毫安
S参数
V
CE
= 8.0 V,I
C
= 5.0毫安,Z
O
= 50

F(兆赫)
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000

S
11

0.774
0.631
0.523
0.460
0.426
0.416
0.417
0.430
0.443
0.458

S
11

47.8

88.8

120.9

145.1

166.6
178.2
163.0
152.1
142.1
136.5

S
21

12.689
9.952
7.813
5.966
4.841
4.065
3.413
3.035
2.659
2.482

S
21
146.5
119.4
100.9
87.6
76.7
68.8
60.7
54.1
48.0
44.3

S
12

0.031
0.048
0.058
0.067
0.074
0.083
0.087
0.098
0.105
0.114

S
12
65.4
53.4
46.2
43.9
43.8
43.5
41.2
42.8
40.1
43.0

S
22

0.882
0.723
0.611
0.564
0.515
0.488
0.459
0.443
0.428
0.414

S
22

19.1

29.5

33.4

34.5

37.6

39.6

44.1

45.9

51.1

53.5
V
CE
= 8.0 V,I
C
= 20.0毫安,Z
O
= 50

F(兆赫)
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000

S
11

0.461
0.364
0.338
0.330
0.334
0.344
0.359
0.383
0.401
0.419

S
11

89.8

135.8

163.4
177.9
163.2
153.9
143.1
136.1
128.3
124.7

S
21

23.331
13.501
9.535
7.083
5.604
4.722
3.982
3.517
3.094
2.882

S
21
121.6
99.2
86.4
77.5
69.3
63.5
56.8
51.1
45.6
42.7

S
12

0.021
0.033
0.046
0.056
0.070
0.084
0.091
0.104
0.116
0.127

S
12
60.7
61.2
61.5
62.1
60.0
60.4
54.9
54.5
49.9
50.8

S
22

0.665
0.511
0.448
0.430
0.402
0.385
0.362
0.350
0.337
0.323

S
22

27.7

30.5

29.5

29.5

32.5

34.8

39.5

42.1

47.4

50.5
3
2SC4094
S参数
S
11e
, S
22e
- 频率条件V
CE
= 8 V,I
C
= 20/5毫安,频率。 = 0.2 2吉赫(步骤200 MHz)的
0.10
0.40
0.11
0.39
100
0.9
0.8
0.12
0.38
0.13
0.37
0
07
43
0.
0
13
8
0.0 2
0.4
.09
90
1.0
1.2
1
0.4
0.14
0.36
80
0.15
0.35
110
0.7
70
1.4
0.1
6
0.3
4
0.6
0.
0.
0. 06
44
1.8
0.2
1.6
12
0
6
00
0.1
0.3
7
3
0.
5
0 .0
0.4
5
5
POS
14
ITIV
0
ER
EA
CT
+
A
- JX
的nCE
Z
O
––
CO
M
PO
N
T
EN
0.4
2.0
0.
1
0. 8
32
50
19
0.
31
0.
0
0.2 0
40
0.3
WAVELE
NGTH
S
0.02
0.0
基因
0.48
3
RA
FCIENT
0.4
0.0
IN
DE
7
4
GRE
0.4
ES
6
15
0
)
(
0
1.
0
0.01
0.49
0.48
0
0.49
0.01
2
RD
负载
0.0
A
挠度
COEF
W
L
I
C
= 20毫安
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
电抗分量
R
––––
0.2
Z
O
0
7
0.4
REF
3
TO
6
0.0
THS
OF
0.4
NG
60
4
ELE
1
0.0
AV
W
45
0.
5
50
1
0.0
4
.4
6
0
0
耳鼻喉科
40
ON
MP
0.
1
CO
0.1
0.4
S
22e
2 GHz的
0.
8
0.6
0.2 GHz的
0
0.2
1.
I
C
= 5毫安
4.0
E
NC
TA
X –
AC
J –
O
RE
––Z
E
IV
AT
)
0.3
0
.4
0.
5
0.7
0.8
0.9
1.2
1.4
1.0
S
21e
- 频率
条件V
CE
= 8 V
I
C
= 20/5毫安
频率。 = 0.2 2吉赫(步骤200 MHz)的
90°
120°
0.2 GHz的
I
C
= 20毫安
60°
S
12e
- 频率
条件V
CE
= 8 V
I
C
= 20/5毫安
频率。 = 0.2 2吉赫(步骤200 MHz)的
90°
120°
60°
150°
S
21e
30°
150°
I
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安
180°
0
2GHz
4
0.2 GHz的
8
12
16
20
0° 180°
0
0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
150°
30°
150°
120°
90°
60°
120°
90°
4
0.
4
0.3
6
3
0.1
0.3
7
0.1
60
32
18
0.
0
0.6
1.6
1.8
5
2.0
0.35
0.15
70
0.36
0.14
80
0.37
0.13
0.4
I
C
= 5毫安
3.
0
0.2 GHz的
(
S
12e
20
S
11e
I
C
= 20毫安
50
(
)
10
5.0
1.0
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
0.2
0.2
90
0.38
0.12
0.39
0.11
1
00
0.40
0.10
11
0
0.4
1
0
0.4
0.0
2
20
8
.09
1
NE
G
1
0.
4
0.
3
07
30
0.
4
0.6
3.
0.8
0
1
0.2
9
0.2
30
0.3
2 GHz的
4.0
0.24
0.23
0.26
2
0.2
0.27
8
10
0.2
20
0
1.
6.0
0.2
10
0.1
20
50
0.25
0.25
0
0.3
0.2
0
0
0.26
0.27
0.24
0.2
0.23
8
0.2
10
0.2
2
9
20
0.2
1
3
0
4
0
0.
0.
31
19
I
C
= 20毫安
2GHz
30°
30°
60°
2SC4094
[备忘录]
5
为了我们的客户,
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年, NEC电子公司合并,瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此,尽管老公司的名称仍然是这个文件中,它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站: http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出:
瑞萨电子公司
( http://www.renesas.com )
任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。
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“标准” :
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
(注1 ) “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
(注2 ) “瑞萨电子的产品(S ) ”,是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
数据表
数据表
硅晶体管
2SC4094
微波低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
4引脚MINI模具
描述
该2SC4094是设计用于在使用一个NPN外延硅晶体管
低噪声和VHF频段小信号放大器UHF频段。低
噪声系数,高增益和高电流的能力实现了非常宽的
动态范围和出色的线性度。
专有的新的制造技术。
这实现了由直接氮化
2.9±0.2
(1.8)
0.85 0.95
包装尺寸
(单位:毫米)
0.4
0.05
0.4
0.05
0.16
+0.1
0.06
2.8
0.3
+0.2
1.5
0.1
2
3
4
0-0.1
+0.2
+0.1
钝化的基面处理( DNP过程),这是一个NEC
+0.1
特点
NF = 1.2 dB典型值。 @f = 1.0千兆赫,V
CE
= 8 V,I
C
= 7毫安

S
21e

2
= 15 dB典型值。 @f = 1.0千兆赫,V
CE
= 8 V,I
C
= 20毫安
1
0.6
0.05
+0.1
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
20
10
1.5
65
200
150
V
V
V
mA
mW
1.1
0.1
0.8
绝对最大额定值(T
A
= 25

C)
+0.2

65 150

C

C
引脚连接
1.集热器
2.辐射源
3. BASE
4.发射器
电气特性(T
A
= 25

C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
最大可用增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
50
9
0.25
13
15
17
1.2
2.0
0.8
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
250
GHz的
pF
dB
dB
dB
单位
测试条件
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
V
CE
= 8V ,我
C
= 20毫安
V
CE
= 8 V,I
C
= 20 mA时, F = 1.0 GHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
V
CE
= 8 V,I
C
= 20 mA时, F = 1.0 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 20 mA时, F = 1.0 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 7 mA时, F = 1.0 GHz的

A

A

S
21e

2
MAG
NF
h
FE
分类
记号
h
FE
R36 / RCF *
R36
50至100
R37 / RCG *
R37
80至160
R38 / RCH *
R38
125至250
*旧规格/新规范
一号文件P10366EJ1V1DS00 (第1版)
发布日期1997年三月
日本印刷
0.4
+0.1
0.05
(1.9)
1987
2SC4094
典型特征(T
A
= 25

C)
总功耗对比
环境温度
P
T
- 总功率耗散mW的
2.0
反馈电容与
集电极 - 基极电压
F = 1.0 GHz的
自由的空气
C
re
-Feed回电容pF的
200
1.0
0.7
0.5
100
0.3
0.2
0
50
100
150
0.1
T
A
- 环境温度 - ℃,
1
2
3
5
7
10
20
V
CB
-collector基极电压-V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
V
CE
= 8 V
20
插入增益与
集电极电流
V
CE
= 8 V
F = 1.0 GHz的
|S
21e
|
2
-Insertion增益分贝
100
h
FE
-DC电流增益
50
10
20
10
0.5
1
5
10
50
0
1
2
5
10
20
40
I
C
-collector电流毫安
I
C
-collector电流毫安
30
20
f
T
- 获得带宽积GHz的
增益带宽产品货号对比
集电极电流
V
CE
= 8 V
|S
21e
|
2
-Insertion增益-dB
MAG-最大可用增益分贝
30
最大可用增益,插入
增益与频率
V
CE
= 8 V
I
C
= 20毫安
MAG
20
|S
21e
|
2
10
7
5
3
2
10
0
0.1
1
2
3
5
7
10
20
30
I
C
-collector电流毫安
0.2
0.5
F-频率GHz的
1.0
2.0
2
2SC4094
噪声系数与
集电极电流
7
6
V
CE
= 8 V
F = 1.0 GHz的
NF-噪声系数分贝
5
4
3
2
1
0
0.5
1
5
10
50 70
I
C
-collector电流毫安
S参数
V
CE
= 8.0 V,I
C
= 5.0毫安,Z
O
= 50

F(兆赫)
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000

S
11

0.774
0.631
0.523
0.460
0.426
0.416
0.417
0.430
0.443
0.458

S
11

47.8

88.8

120.9

145.1

166.6
178.2
163.0
152.1
142.1
136.5

S
21

12.689
9.952
7.813
5.966
4.841
4.065
3.413
3.035
2.659
2.482

S
21
146.5
119.4
100.9
87.6
76.7
68.8
60.7
54.1
48.0
44.3

S
12

0.031
0.048
0.058
0.067
0.074
0.083
0.087
0.098
0.105
0.114

S
12
65.4
53.4
46.2
43.9
43.8
43.5
41.2
42.8
40.1
43.0

S
22

0.882
0.723
0.611
0.564
0.515
0.488
0.459
0.443
0.428
0.414

S
22

19.1

29.5

33.4

34.5

37.6

39.6

44.1

45.9

51.1

53.5
V
CE
= 8.0 V,I
C
= 20.0毫安,Z
O
= 50

F(兆赫)
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000

S
11

0.461
0.364
0.338
0.330
0.334
0.344
0.359
0.383
0.401
0.419

S
11

89.8

135.8

163.4
177.9
163.2
153.9
143.1
136.1
128.3
124.7

S
21

23.331
13.501
9.535
7.083
5.604
4.722
3.982
3.517
3.094
2.882

S
21
121.6
99.2
86.4
77.5
69.3
63.5
56.8
51.1
45.6
42.7

S
12

0.021
0.033
0.046
0.056
0.070
0.084
0.091
0.104
0.116
0.127

S
12
60.7
61.2
61.5
62.1
60.0
60.4
54.9
54.5
49.9
50.8

S
22

0.665
0.511
0.448
0.430
0.402
0.385
0.362
0.350
0.337
0.323

S
22

27.7

30.5

29.5

29.5

32.5

34.8

39.5

42.1

47.4

50.5
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NEC
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NEC
24+
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SC4094
NEC
2024
20918
SOT143
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
2SC4094
NEC
25+23+
34956
Sot-143
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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