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> 2SC3949
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3949
描述
·带
TO- 3PML包
高
电压,高速
应用
For
电视机行输出和电源
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
850
500
7
15
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC3949
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安; R
BE
=∞
500
V
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安,我
C
=0
850
V
发射极 - 基极击穿电压
7
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=2A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=2A
V
CE
= 800V ;我
E
=0
T
C
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
1.5
0.1
1.0
0.1
V
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE
f
T
直流电流增益
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
10
30
跃迁频率
20
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
260
pF
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3949
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3949
描述
·带
TO- 3PML包
高
电压,高速
应用
For
电视机行输出和电源
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
850
500
7
15
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC3949
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安; R
BE
=∞
500
V
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安,我
E
=0
I
E
= 1毫安,我
C
=0
850
V
发射极 - 基极击穿电压
7
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=2A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 10A ;我
B
=2A
V
CE
= 800V ;我
E
=0
T
C
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
1.5
0.1
1.0
0.1
V
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE
f
T
直流电流增益
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
10
30
跃迁频率
20
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
260
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3949
图2外形尺寸
3
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22-28-2346
212U0102N324KN
2SJ78
290-0001
27C2000A-10
2SD1484K
2SD1815T-TL-E
20020004-C021B01LF
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