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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第706页 > 2SC3944
功率晶体管
2SC3944 ， 2SC3944A
NPN硅外延平面型
低频驱动器和高功率放大
补充2SA1535和2SA1535A
单位：mm
0.7±0.1
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
φ3.1±0.1
1.4±0.1
1.3±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
3
4.2±0.2
s
特点
q
7.5±0.2
浸焊
4.0
14.0±0.5
q
q
q
满意盼着电流传输比H
FE
与集电极电流
我租
C
特征
高转换频率f
T
构成一对互补与2SA1535和2SA1535A ，
这是最适合的一个60的驱动级100W的输出
扩音器
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25C)
评级
150
180
150
180
5
1.5
1
15
2.0
150
-55到+150
单位
V
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SC3944
2SC3944A
2SC3944
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
发射极电压2SC3944A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
V
A
A
W
C
C
16.7±0.3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220全包套餐（一）
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
收藏家基地
电压
2SC3944
2SC3944A
2SC3944
2SC3944A
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 150V ，我
E
= 0
V
CB
= 180V ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 150毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 500毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA ， F = 10MHz时
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
150
180
5
95
50
160
100
0.5
1
200
30
50
2
2
V
V
兆赫
pF
220
民
典型值
最大
10
10
单位
A
V
V
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*
h
FE1
等级分类
Q
95至155
R
130至220
秩
h
FE1
1
功率晶体管
P
C
- TA
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
25
T
C
= TA
10
2SC3944 ， 2SC3944A
V
CE （ SAT ）
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
10
V
BE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
(W)
20
3
3
T
C
=–25C
100C
0.3
25C
1
1
15
0.3
T
C
=100C
0.1
25C
10
0.1
5
0.03
–25C
0.03
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
环境温度Ta （C ）
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
h
FE
— I
C
1000
V
CE
=10V
400
f
T
— I
E
100
V
CB
=10V
f=10MHz
T
C
=25C
300
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
80
正向电流传输比H
FE
300
25C
100
–25C
过渡频率f
T
（兆赫）
T
C
=100C
60
30
200
40
10
100
20
3
1
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0
– 0.01
0
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
安全操作区（ ASO ）
10
3
I
CP
单脉冲
T
C
=25C
集电极电流I
C
(A)
1
0.3
I
C
t=<50s
DC
t=10ms
0.1
1ms
0.03
0.01
0.003
0.001
1
3
10
30
100
2SC3944A
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
2SC3944
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3944 2SC3944A
描述
·带
TO- 220Fa包
.Complement
键入2SA1535 / 1535A
高
跃迁频率
应用
For
低频驱动器和高
功率放大
=优化
对于60W的驱动级
100W的输出放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC3944
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC3944A
2SC3944
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SC3944A
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
15
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
180
5
1.0
1.5
2.0
W
V
A
A
发射极开路
180
150
V
条件
价值
150
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2SC3944
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SC3944A
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3944
I
CBO
集热器
截止电流
2SC3944A
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
V
CB
= 180V ;我
E
=0
I
C
= 150毫安; V
CE
=10V
I
C
= 500毫安; V
CE
=5V
I
C
= 50毫安; V
CB
=10V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50米一
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50米一
V
CB
= 150V ;我
E
=0
I
C
= 1毫安;我
B
=0
条件
2SC3944 2SC3944A
民
150
典型值。
最大
单位
V
180
5
2.0
2.0
V
V
V
10
μA
95
50
200
30
220
兆赫
pF
h
FE
分类
Q
95-155
R
130-220
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3944 2SC3944A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3944 2SC3944A
描述
·采用TO- 220Fa包
·补键入2SA1535 / 1535A
·高转换频率
应用
·对于低频驱动器和高
功率放大
·优化的60W的驱动级
100W的输出放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SC3944
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC3944A
2SC3944
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SC3944A
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
15
150
-55~150
集电极开路
开基
180
5
1.0
1.5
2.0
W
V
A
A
发射极开路
180
150
V
条件
价值
150
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SC3944
I
C
= 1毫安;我
B
=0
2SC3944A
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50米一
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50米一
V
CB
= 150V ;我
E
=0
条件
2SC3944 2SC3944A
符号
民
150
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
180
5
2.0
2.0
V
V
V
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3944
2SC3944A
I
CBO
集热器
截止电流
10
V
CB
= 180V ;我
E
=0
I
C
= 150毫安; V
CE
=10V
I
C
= 500毫安; V
CE
=5V
I
C
= 50毫安; V
CB
=10V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
95
50
200
30
220
A
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
兆赫
pF
h
FE
分类
Q
95-155
R
130-220
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3944 2SC3944A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
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2AM6
299DS1LP11000
2SD2211P
24LC08BSN
2N408
2SB1316F5
2SB939AQ
26-48-1031
206-111S
296HA102C3C
22-18-2223
212U10S220FN2
201JHT2007L
2.5MSFW11
291-02A-1500
2SA1577-P
2SA1577P
28LV64A-FT-20/SO
2SC5142
2-103957-0
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    2SC3944
    -
    -
    -
    -
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