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晶体管
2SC3940 , 2SC3940A
NPN硅外延平面型
对于低频输出放大和驱动放大
补充2SA1534和2SA1534A
5.0±0.2
4.0±0.2
单位:mm
s
特点
q
0.7±0.2
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
.
让供应与径向录音。
参数
集电极
基极电压
集电极
2SC3940
2SC3940A
2SC3940
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
30
60
25
50
5
1.5
1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
0.45
–0.1
+0.15
13.5±0.5
s
绝对最大额定值
(Ta=25C)
0.7±0.1
8.0±0.2
0.45
–0.1
+0.15
发射极电压2SC3940A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
A
A
W
C
C
1 2 3
2.54±0.15
2.3±0.2
V
1.27
1.27
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
TO- 92NL套餐
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家基地
电压
集电极到发射极
电压
2SC3940
2SC3940A
2SC3940
2SC3940A
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 20V ,我
E
= 0
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 500毫安
*2
V
CE
= 5V ,我
B
= 1A
*2
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
*2
I
B
= 500毫安,我
a
= 50毫安
*2
V
CB
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
30
60
25
50
5
85
50
0.2
0.85
200
11
*2
典型值
最大
0.1
单位
A
V
V
V
340
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
h
0.4
1.2
V
V
兆赫
20
pF
脉冲测量
FE1
等级分类
Q
85 ~ 170
R
120 ~ 240
S
170 ~ 340
h
FE1
1
晶体管
P
C
- TA
1.2
1.5
Ta=25C
2SC3940 , 2SC3940A
I
C
— V
CE
1.2
V
CE
=10V
Ta=25C
1.0
I
C
— I
B
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
1.25
集电极电流I
C
(A)
0.8
1.0
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
集电极电流I
C
(A)
I
B
=10mA
9mA
0.8
0.6
0.75
0.6
0.4
0.5
3mA
2mA
0.4
0.2
0.25
1mA
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
12
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(MA )
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
3
1
Ta=75C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
0.01 0.03
25C
–25C
V
BE ( SAT )
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
100
30
10
3
25C
1
75C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=–25C
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
正向电流传输比H
FE
500
400
300
Ta=75C
200
25C
100
–25C
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
— I
E
200
C
ob
— V
CB
50
120
V
CER
— R
BE
集电极到发射极电压V
CER
(V)
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
I
C
=10mA
Ta=25C
100
160
集电极输出电容C
ob
(PF )
V
CB
=10V
Ta=25C
过渡频率f
T
(兆赫)
40
80
120
30
60
2SC3940A
40
2SC3940
20
80
20
40
10
0
–1
0
–3
–10
–30
–100
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
发射极电流I
E
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
基极 - 射极电阻R
BE
(k)
2
晶体管
I
首席执行官
- TA
10
4
V
CE
=10V
10
3
I
CP
10
3
2SC3940 , 2SC3940A
安全操作区( ASO )
单脉冲
Ta=25C
集电极电流I
C
(A)
1
0.3
I
C
t=10ms
t=1s
I
首席执行官
(TA)
I
首席执行官
(Ta=25C)
10
2
0.1
0.03
0.01
0.003
10
1
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.001
0.1
0.3
1
3
10
30
2SC3940A
100
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2SC3940
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
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通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
( 7 )本资料的任何部分,未经书面许可,不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
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产品类型,技术参数等,如有更改,恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处,并获得最新信息
在开始之前,精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性,但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此,
松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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联系人:刘先生
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