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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3890
描述
·采用TO- 220F封装
·高电压
·高速开关
应用
·对于开关稳压器和
通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
10
7
14
2
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 25毫安;我
B
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ，我
B
=0.6A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
f=1MHz;V
CB
=10V
10
民
400
2SC3890
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.3
100
100
30
10
50
V
V
A
A
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 3.0A ;我
B1
=0.3A;I
B2
=-0.6A
V
CC
= 200V ，R
L
=66@
1.0
3.0
0.5
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3890
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3890
4
2SC3890
硅NPN三重扩散平面晶体管
（高电压和高速Switchihg晶体管）
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
2SC3890
500
400
10
7(
脉冲
14)
2
30(Tc=25°C)
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
应用：
开关稳压器和通用
外形尺寸
FM20(TO220F)
4.0
±0.2
10.1
±0.2
4.2
±0.2
2.8 c0.5
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
OB
条件
V
CB
=500V
V
EB
=10V
I
C
=25mA
V
CE
= 4V ，我
C
=3A
I
C
= 3A ，我
B
=0.6A
I
C
= 3A ，我
B
=0.6A
V
CE
= 12V，我
E
=–0.5A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
100
最大
100
最大
400
民
10至30
0.5
最大
1.3
最大
10
典型值
50
典型值
(Ta=25°C)
2SC3890
单位
A
V
V
V
兆赫
pF
13.0min
16.9
±0.3
8.4
±0.2
A
1.35
±0.15
1.35
±0.15
0.85
+0.2
-0.1
0.45
+0.2
-0.1
2.54
2.2
±0.2
2.4
±0.2
s
典型的开关特性（共发射极）
V
CC
(V)
200
R
L
()
66
I
C
(A)
3
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
(A)
0.3
I
B2
(A)
–0.6
t
on
(
s)
1
最大
t
英镑
(
s)
3
最大
t
f
(
s)
0.5
最大
2.54
3.9
B权证
I
C
– V
权证
特征
（典型值）
7
V
CE
（SAT） ，V
BE
（SAT） - 我
C
温度特性
（典型值）
OLL EC T或 - 在我的EM伊特尔萨吨乌尔上武升踏歌V
CE（ s的）
(V )
巴s的UR通报BULLETIN武升踏歌V E- ê手套ER S
BE （ SA T）
(V )
( I
C
/I
B
= 5 )
I
C
– V
BE
温度特性
（典型值）
7
( V
CE
=4 V )
mA
6
00mA
6
800
6
C 0 L L权证吨 R C ü R R鄂西北我
C
( A )
V
Bé
（S一T）
1
-55 （CAS
25℃ （CA
125C
I
B
=
40 0米一
联合L L权证T O服务铜R R EN T I
C
( A)
30 0米一
4
20 0米一
温度）
)
本身温度
4
em
p
)
±0.2
0.8
±0.2
a
b
3.3
±0.2
重量：约2.0克
一。型号
B 。批号
)
EMP
SE牛逼
as
e
2 5
统
p)
C
eT
（案例
125
25C
(C
12
5
C
V
权证
（S一T）
0
0 .0 2
0 .0 5
0. 1
0 .5
1
–5
5
C
0
0
1
2
3
4
5 7
0
0
0 .2
0. 4
0. 6
0.8
–55
C (C
2
2
（CA
C(
100mA
ASE牛逼
CAS
EMP
)
温度
)
1 .0
1.2
山口升EC T或 - 惠吨T E 武L标签ê V
权证
(V )
联合L L EC为R C乌尔 - [R EN T I
C
( A)
巴发E - ê M I TT 诉OL吨AG电子V
BE
( V)
(V
权证
= 4 V )
70
D C铜R R连接的Tg A I N·H
FE
50
SW I T C H I N G - T I M E
t
上？
t
STG ...
t
f
(
s )
瞬态热阻
θ
J- á
（ C / W ）
h
F ê
– I
C
特征
（典型值）
7
5
t
0：N
t
S T摹
t
f
– I
C
特征
（典型值）
θ
的J - 一
- T特征
5
典型值
V
CC
2 0 0 V
I
C
: I
B1
: I
B 2
=1 0: 1: – 2
1
0.5
t
s TG
1
t
on
10
7
0.02
0.05
0.1
0.5
1
5
7
0 .5
0 .3
t
f
0.1
0 .2
0. 5
1
5
7
1
10
T I M E T（米每秒）
100
1000
联合L L ECT R C urre NT I
C
(A)
OL升EC T或C乌尔 - [R EN T I
C
( A)
安全工作区
（单脉冲）
20
10
5
合作llec于r铜R R简T I
C
( A)
欧莱器铜重新N t个我
C
( A )
10
反向偏置安全工作区
20
10
30
电脑 - 钽降额
0
s
5
M AX IM ü M·P ·我们R D所I S的I P A T I O 4 N P
C
( W )
W
第i个
20
In
鳍
ITE
he
at
si
1
无需散热器
自然冷却
1
无需散热器
自然冷却
L=3mH
–I
B2
=1A
职务：小于1 ％
nk
0.5
0 .5
10
W I个 ü吨 E A吨的I N·K
2
0.1
5
10
50
10 0
500
科尔EC T或 - 惠吨T E 武L T AG电子V
权证
( V)
0 .1
5
10
50
1 00
50 0
0
0
25
50
75
10 0
125
150
C 0 LL ê CT的R - EM I T TE 武℃的GE V
权证
( V)
A M B即N t个牛逼EM P·E·R在ü 吨（ C）
81
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3890
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压
高
高速开关
应用
For
开关稳压器和
通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
10
7
14
2
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 25毫安;我
B
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ，我
B
=0.6A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
f=1MHz;V
CB
=10V
10
民
400
2SC3890
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.3
100
100
30
10
50
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 3.0A ;我
B1
=0.3A;I
B2
=-0.6A
V
CC
= 200V ，R
L
=66Ω
1.0
3.0
0.5
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3890
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3890
4
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推荐型号
2N3867S
2SA1151
2082-6183-09
24LC16B/SM
2322-594-1316
2SC2542
2SC5682
2SK1253
2SA1790
25-02-2034
22-23-5054
24AA128ESM
24AA128-ESM
2N5138
2S50-510
2.5MSF10
27HC1616-70I/L
24VL014H/MNY
24LC16B/P
24LC16B-/P
供货商
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    联系人：杨小姐
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    2SC3890
    -
    -
    -
    -
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深圳市集创讯科技有限公司
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2SC3890
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323
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