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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC3884
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1400V （最小值）
高
开关速度
应用
·水平
偏转输出高分辨率的显示。
高
高速开关稳压器的输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流 - 连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1400
V
600
V
5
V
6
A
12
A
3
A
50
W
I
CM
集电极电流 - 峰值
I
B
B
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC3884
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
= 0
B
600
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 1A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1400V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
10
μA
h
FE
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
C
OB
输出电容
开关时间，电阻性负载
t
英镑
贮存时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
I
CP
= 4A ，我
B1
= 0.8A ;我
B2
= -1.6A;
R
L
= 50Ω
3
兆赫
210
pF
2.5
μs
t
f
下降时间
0.15
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC3884
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1400V （最小值）
高
开关速度
应用
·水平
偏转输出高分辨率的显示。
高
高速开关稳压器的输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1400
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
600
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流 - 连续
6
A
I
CM
集电极电流 - 峰值
12
A
I
B
B
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
3
A
P
C
50
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC3884
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
= 0
B
600
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 1A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1400V ;我
E
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
3
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
210
pF
开关时间，电阻性负载
t
英镑
贮存时间
I
CP
= 4A ，我
B1
= 0.8A ;我
B2
= -1.6A;
R
L
= 50Ω
2.5
μs
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f
下降时间
0.15
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215-532-76-38
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