添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第72页 > 2SC3873
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SC3873
描述
·带
TO- 3PFa包
高
V
CBO
高
高速开关
良好
h的线性度
FE
ùWide
安全工作区
应用
For
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
3
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
7
12
22
5
100
W
单位
V
V
V
A
A
A
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SC3873
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
=10mA;I
B
=0
I
C
= 7A ，我
B
=1.4A
I
C
= 7A ，我
B
=1.4A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 7A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
15
8
30
兆赫
民
400
1.0
1.5
100
100
典型值。
最大
单位
V
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 7A ; V
CC
=150V
I
B1
=1.4A;I
B2
=-2.8A
0.7
2.0
0.3
μs
μs
μs
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3873
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
JMnic
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3873
描述
·带
TO- 3PFa包
高
V
CBO
高
高速开关
良好
h的线性度
FE
ùWide
安全工作区
应用
For
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
3
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
7
12
22
5
100
W
单位
V
V
V
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3873
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
=10mA;I
B
=0
I
C
= 7A ，我
B
=1.4A
I
C
= 7A ，我
B
=1.4A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 7A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
15
8
30
兆赫
民
400
1.0
1.5
100
100
典型值。
最大
单位
V
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 7A ; V
CC
=150V
I
B1
=1.4A;I
B2
=-2.8A
0.7
2.0
0.3
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3873
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3873
描述
·采用TO- 3PFa包
●高V
CBO
·高速开关
· h的线性度好
FE
·安全运行的广域
应用
·对于高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
3
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
7
12
22
5
100
W
单位
V
V
V
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3873
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
=10mA;I
B
=0
I
C
= 7A ，我
B
=1.4A
I
C
= 7A ，我
B
=1.4A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 7A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
15
8
30
兆赫
民
400
1.0
1.5
100
100
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 7A ; V
CC
=150V
I
B1
=1.4A;I
B2
=-2.8A
0.7
2.0
0.3
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3873
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3873
描述
·带
TO- 3PFa包
高
V
CBO
高
高速开关
良好
h的线性度
FE
ùWide
安全工作区
应用
For
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
500
400
7
12
22
5
100
W
3
150
-55~150
℃
℃
单位
V
V
V
A
A
A
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3873
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
=10mA;I
B
=0
I
C
= 7A ，我
B
=1.4A
I
C
= 7A ，我
B
=1.4A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 7A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
15
民
400
1.0
1.5
100
100
典型值。
最大
单位
V
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
开启时间
贮存时间
I
C
= 7A ; V
CC
=150V
I
B1
=1.4A;I
B2
=-2.8A
下降时间
OR
CT
U
8
30
0.7
2.0
0.3
兆赫
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3873
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
查看更多2SC3873PDF信息
推荐型号
2SC5007(NE68119)
225-930-22
280510-1
251B00F253B3TB
22C050G
295S324R103C11
2-1393767-5
222K04PP460R
2312T
2SC4277
25LC040XT-I/P
20KP180CA
2SB963-ZM
2-103688-3
20020010-G031B01LF
2SB905_07
22386024472
20020106-H181A01LF
2254581198
209CNQ150
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC3873
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SC3873
MAT
24+
32000
TO-3P
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SC3873
MAT
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营，原装现货，价格优势
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SC3873
MAT
14+
56000
DIP
全新原装正品/质量有保证
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SC3873
PANASONIC/松下
21+
15360
TO-3PF
全新原装正品/质量有保证
德国显周集团有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SC3873
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8039
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2433532182 复制

电话：0755-23607529/23603360/83258002
联系人：江先生
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
2SC3873
O
2015+
3000
TO-3P
香港原装现货 3-5天
查询更多2SC3873供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！