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产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SC3858
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SA1494
应用
·音频
和通用
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( MT- 200 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
200
200
6
17
5
200
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
u
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 10 A ,我
B
=1 A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
50
20
300
200
典型值。
2SC3858
最大
单位
V
2.5
100
100
180
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=10A;R
L
=4Ω
I
B1
=- I
B2
=1A
V
CC
=40V
0.50
1.80
0.60
μs
μs
μs
h
FE
分类
Y
50-100
P
70-140
G
90-180
2
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3858
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SC3858
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3858
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SA1494
应用
·音频
和通用
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( MT- 200 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
200
200
6
17
5
200
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 10 A ,我
B
=1 A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
50
20
200
2SC3858
典型值。
最大
单位
V
2.5
100
100
180
V
μA
μA
兆赫
pF
300
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=10A;R
L
=4Ω
I
B1
=- I
B2
=1A
V
CC
=40V
0.50
1.80
0.60
μs
μs
μs
h
FE
分类
Y
50-100
P
70-140
G
90-180
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3858
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3858
4
2SC3858
硅NPN三重扩散平面晶体管
(补键入2SA1494 )
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
2SC3858
200
200
6
17
5
200(Tc=25°C)
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
应用:
音频和通用
(Ta=25°C)
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
V
CE
(SAT)
f
T
C
OB
条件
V
CB
=200V
V
EB
=6V
I
C
=50mA
V
CE
= 4V ,我
C
=8A
I
C
= 10A ,我
B
=1A
V
CE
= 12V,我
E
=–1A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
100
最大
100
最大
200
外形尺寸
MT-200
36.4
±0.3
24.4
±0.2
2-3.2
±0.1
9
7
21.4
±0.3
2.1
6.0
±0.2
2SC3858
单位
A
A
V
a
b
50
2.5
最大
20
典型值
300
典型值
V
兆赫
pF
20.0min
4.0max
2
3
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
B
C
E
5.45
±0.1
0.65
+0.2
-0.1
3.0
+0.3
-0.1
h
FE
等级Y( 50100 ),P( 70140 )中,G (90 180)
s
典型的开关特性(共发射极)
V
CC
(V)
40
R
L
()
4
I
C
(A)
10
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
(A)
1
I
B2
(A)
–1
t
on
(
s)
0.5typ
t
英镑
(
s)
1.8typ
t
f
(
s)
0.6typ
重量:约18.4克
一。型号
B 。批号
I
C
– V
权证
特征
(典型值)
5A
V
CE
(SAT) - 我
B
特征
(典型值)
ollector - 在V OL吨AG电子V EM伊特尔萨图拉缇
CE( SA T)
(V )
3
I
C
– V
BE
温度特性
(典型值)
17
15
( V
CE
= 4V )
17
15
1.
1A
70
0
mA
500
mA
30
C 0 L L EC为R C ü R R简T I
C
( A )
0mA
200mA
2
C 0升L E C到R C ü R R简T I
C
( A )
10
100米
10
p)
I
B
=20mA
10 A
5A
0
0
1
2
3
0
0
0
0
1
2
3
4
–30C
I
C
= 15 A
(案例
5
50mA
5
125
C
(CA
25C
se
1
1
B一个发E - EM I T T O服务武L T A G é V
( V )
温度
)
2
醇L E CT或 - EM它吨呃武L T AG电子V
权证
(V )
巴斯式C ü R R鄂西北我
B
( A)
(V
权证
= 4 V )
300
DC C-UR 鄂西北嘎我N·H
F ê
D C铜R R连接的Tg A I N·H
FE
200
1 25 C
100
2 5 C
50
– 3 0 C
( V
权证
= 4 V)
瞬态热阻
θ
J-一
( ° C / W)
h
FE
– I
C
特征
(典型值)
h
F ê
– I
C
温度特性
(典型值)
θ
的J - 一
- T特征
2
100
典型值
1
0.5
50
20
0.02
0.1
0. 5
1
5
10 17
10
0 .0 2
0. 1
0 .5
1
5
1 0 17
0.1
1
10
10 0
时间t( ms)的
1000
2000
醇L E CT或C urre NT I
C
(A )
OL升EC T或C UR 鄂西北我
C
( A)
f
T
– I
E
特征
(典型值)
(V
权证
= 1 2 V )
30
50
安全工作区
(单脉冲)
200
20
m
s
10
3m
电脑 - 钽降额
m
s
D
M IM AX UM P 2 O疫情周报迪S S小我P A T I O 4 N P
C
( W )
典型值
F的FRE曲简 F c的UT-
T
( M·H
Z
)
10
5
s
C
160
10
0m
s
W
第i个
20
合作llec于r铜R R EN T I
C
( A )
In
120
ITE
he
at
si
nk
1
0 .5
无需散热器
自然冷却
80
10
40
W I吨H 2 O UT ^ h ê时的I N·K
0
25
50
75
100
1 25
150
0
–0.02
0 .1
– 0. 1
–1
EMI吨T E Curre NT I
E
(A )
–10
2
10
10 0
30 0
合作LL ê CT的R - EM I T TE 武℃的GE V
权证
( V)
5
0
我的双鄂西北率T e米PE R A吨ü T A ( C)
80
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3858
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SA1494
应用
·音频
和通用
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( MT- 200 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极开路
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
OR
CT
U
价值
200
200
6
17
5
200
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 10 A ,我
B
=1 A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
50
20
200
2SC3858
典型值。
最大
单位
V
2.5
100
100
180
V
μA
μA
兆赫
pF
300
开关时间
t
on
t
s
t
f
h
FE
分类
Y
50-100
P
70-140
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
开启时间
贮存时间
I
C
=10A;R
L
=4Ω
I
B1
=- I
B2
=1A
V
CC
=40V
下降时间
OR
CT
U
0.50
1.80
0.60
μs
μs
μs
G
90-180
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3858
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
图2外形尺寸
OR
CT
U
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3858
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3858
描述
·采用MT- 200封装
·补键入2SA1494
应用
·音频和通用
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( MT- 200 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
200
200
6
17
5
200
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 10 A ,我
B
=1 A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 8A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
50
200
2SC3858
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
2.5
100
100
180
20
300
V
A
A
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=10A;R
L
=4A
I
B1
=- I
B2
=1A
V
CC
=40V
0.50
1.80
0.60
s
s
s
h
FE
分类
Y
50-100
P
70-140
G
90-180
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3858
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3858
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC3858
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1269876724 复制 点击这里给我发消息 QQ:807746069 复制

电话:0755-29275935
联系人:李小姐
地址:广东省深圳市华强北赛格科技园6C18
2SC3858
SANKEN
新年份
35600
TO-3P
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SC3858
SANKEN/三肯
2024
18000
MT-200
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SC3858
SK
2024
4235
TO-3PM
上海自己现货!能供多量!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
2SC3858
Sanken
2025+
26820
3-ESIP
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2675049463 复制

电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
2SC3858
三肯
23+
9000
原厂封装
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
2SC3858
SANKEN
24+
1860
原厂进口
高频管原装进口正品现货供应,假一罚十。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SC3858
SAK
24+
9634
MT-200
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388352 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388354 复制
电话:0755-83035139
联系人:陈小姐
地址:深圳市福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
2SC3858
SKN
50
原装正品!价格优势!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388359 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388357 复制
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