订购数量： ENA0629
2SC3807MP
三洋半导体
数据表
NPN外延平面硅晶体管
2SC3807MP
应用
25V / 2A高-HFE ，低频
通用运算放大器应用
低频通用放大器，驱动器。
特点
大电流能力（ IC = 2A） 。
通过MBIT过程。
高直流电流增益（HFE = 1000至2000年） 。
低集电极 - 发射极饱和电压（ VCE （SAT）
≤0.5V
).
高VEBO （ VEBO
≥15V).
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
条件
评级
30
25
17
2
4
1.1
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
42507LA TI IM TC- 00000660号A0629-1 / 4
2SC3807MP
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = 20V ， IE = 0A
VEB = 10V ， IC = 0A
VCE = 5V ， IC = 500毫安
VCE = 5V ， IC = 1A
VCE = 10V ， IC = 50毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 1A ， IB = 20mA下
IC = 1A ， IB = 20mA下
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
30
25
17
0.14
0.8
0.1
1000
600
260
24
0.135
0.85
0.5
1.2
兆赫
pF
V
V
V
V
V
s
s
s
评级
民
典型值
最大
0.1
0.1
2000
单位
A
A
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7520-002
6.0
5.0
4.7
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
VR
IB1
IB2
RB
产量
RL
8.5
50
+
100F
+
470F
VCC=10V
1.0
0.5
0.6
0.5
3.0
0.5
--5V
14.0
7IB1 = --7IB2 = IC = 700毫安
1 2 3
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
1.45
1.45
三洋： MP
2.0
IC - VCE
A
10
7
A
m
.0
A
mA
A
5.0
4.0m
3.0m
2.0
IC - VBE
VCE=5V
1.8
.0m
2.0mA
集电极电流， IC - 一个
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
集电极电流， IC - 一个
20.0mA
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
6
A
.0m
1.0mA
5
°
C
25
°
C
0.6
0.4
0.2
IB=0mA
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT11143
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT11142
基极发射极电压VBE - V
TA
7
0.5mA
0.8
--25
°
C
第A0629-2 / 4
2SC3807MP
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超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
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本文描述或包含的产品。
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烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
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设计。
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PS第A0629-4 / 4
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