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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC3797
描述
·集电极基
击穿电压 -
: V
（ BR ） CBO
= 800V （最小）。
ULOW
集电极饱和电压
高
高速开关
·
应用
·设计
用于高速开关应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
800
V
V
CES
集电极 - 发射极电压
800
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
500
V
V
EBO
I
C
发射极 - 基极电压
8
V
集电极电流连续
7
A
I
CM
集电极电流峰值
15
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
a
=25℃
4
A
2.5
W
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
T
j
结温
100
150
℃
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC3797
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2A ; L = 25mH
500
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
1.0
V
V
BE （
SAT
)
I
CBO
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 800V ;我
E
= 0
100
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
100
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V
15
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
8
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ; F = 1MHz的
8
兆赫
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
= 5A ;我
B1
= -I
B2
= 1A;
V
CC
= 200V
1.0
t
s
贮存时间
3.0
μs
t
f
下降时间
1.0
μs
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24LC00T-I/OT
24LC00TI/OT
2SC3396
2SA1702S
24AA16IP
2412THB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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