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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3756
描述
·采用TO- 3PML包
·高速
·高击穿电压
高可靠性
应用
·对于电视水平偏转输出
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
Ta=25
P
C
集电极耗散
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
60
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
1200
800
6
6
3.0
W
单位
V
V
V
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
= 4A ，我
B
=1A
I
C
= 4A ，我
B
=1A
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
CE
= 1200V ;
BE
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
8
4
民
800
2SC3756
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
5.0
1.5
10
1.0
10
36
V
V
A
mA
A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3756
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3756
描述
·带
TO- 3PML包
高
速度
高
击穿电压
高
可靠性
应用
For
电视水平偏转输出
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
Ta=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
60
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
1500
800
6
6
3.0
W
单位
V
V
V
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC3756
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
800
V
V
CESAT
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ，我
B
=1A
I
C
= 4A ，我
B
=1A
5.0
V
基射极饱和电压
1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 800V ，我
E
=0
10
I
CES
集电极截止电流
V
CE
= 1500V ;
BE
=0
1.0
mA
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 4V ，我
C
=0
10
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
8
36
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
4
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3756
图2外形尺寸
3
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200KP295CVCL
2SK247
28LV64A-30/L
28LV64A--30/L
2SD1516
供货商
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    2SC3756
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