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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC3720
描述
高
集电极 - 发射极击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 800V （最小值）
高
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·设计
用于高速开关和水平偏转
输出的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
最大
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1200
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
800
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
10
A
I
CM
集电极电流峰值
15
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
5
A
P
C
200
W
T
j
175
℃
T
英镑
存储温度范围
-65~175
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC3720
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
800
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
1.5
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
2.0
V
h
FE
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
6
20
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1000V ;我
E
= 0
0.1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
0.1
mA
开关时间
t
on
开启时间
I
C
= 4A ;我
B1
= 0.8A ;我
B2
= -1.6A;
V
CC
= 250V
1.0
μs
t
英镑
贮存时间
3.5
μs
t
f
下降时间
0.3
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3720
描述
高
集电极 - 发射极击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 800V （最小值）
高
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·设计
用于高速开关和水平偏转
输出的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
最大
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1200
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
800
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
10
A
I
CM
集电极电流峰值
15
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
5
A
P
C
200
W
T
j
175
℃
T
英镑
存储温度范围
-65~175
℃
网址： www.jmnic.com
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电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC3720
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
800
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
1.5
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
2.0
V
h
FE
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
6
20
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1000V ;我
E
= 0
0.1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
0.1
mA
开关时间
t
on
开启时间
I
C
= 4A ;我
B1
= 0.8A ;我
B2
= -1.6A;
V
CC
= 250V
1.0
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贮存时间
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μs
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下降时间
0.3
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