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2SC3710A
东芝三极管
硅NPN外延型(厘过程)
2SC3710A
高功率开关应用
单位:mm
低集电极饱和电压: V
CE (SAT)
= 0.4伏(最大)
高速开关:吨
英镑
= 1.0
μs
(典型值)。
补充2SA1452A
绝对最大额定值
(T
a
= 25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
( TC = 25 ° C)
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
80
80
6
12
2
30
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
°C
°C
2-10R1A
JEITA
东芝
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
重量:2.7克(典型值)。
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使操作
条件(即工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2010-12-21
2SC3710A
电气特性
(T
a
= 25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
直流电流增益
(注)
h
FE (2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
on
20
μs
I
B1
开关时间
贮存时间
t
英镑
输入
I
B2
测试条件
V
CB
= 80 V,I
E
= 0
V
EB
= 6 V,I
C
= 0
I
C
= 50 mA时,我
B
= 0
V
CE
= 1 V,I
C
= 1 A
V
CE
= 1 V,I
C
= 6 A
I
C
= 6 A,I
B
= 0.3 A
I
C
= 6 A,I
B
= 0.3 A
V
CE
= 5 V,I
C
= 1 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
产量
5
80
70
40
典型值。
0.2
0.9
80
220
0.2
最大
10
10
240
0.4
1.2
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
I
B1
I
B2
1
μs
V
CC
30 V
下降时间
t
f
I
B1
= 0.3 A,I
B2
= 0.3 A,
占空比
1%
0.2
注:H
FE (1)
分类○: 70 140 , Y: 120240
记号
C3710A
产品型号(或缩写代码)
LOT号
特征
指标
注2 :
注2 :根据批号的行标识产品标签的指示。
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27个理事会2003年1月就
限制在电子电器设备中使用某些有害物质。
2
2010-12-21
2SC3710A
I
C
– V
CE
1.0
10
100 80 70
60
50
40
常见
辐射源
TC = 25°C
V
CE
– I
C
共发射极
TC = 25°C
60 80 100
150
200
V
CE
(V)
(A)
0.8
IB = 20毫安
40
8
集电极电流I
C
集电极 - 发射极电压
6
30
0.6
300
0.4
4
20
400
600
2
IB = 10毫安
0.2
0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE
– I
C
1.0
1.0
共发射极
TC =
55°C
60
80
100
150
200
V
CE
– I
C
共发射极
TC = 100℃
0.8
IB = 50毫安
0.6
100
150
200
300
V
CE
(V)
0.8
IB = 20毫安
40
集电极 - 发射极电压
0.6
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
0.4
300
600
0.4
400
700
0.2
0.2
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
h
FE
– I
C
500
300
共发射极
VCE = 1V
TC = 100℃
100
50
30
25
55
1
V
CE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
共发射极
IC / IB = 20
0.5
0.3
直流电流增益
FE
0.1
0.05
TC =
55°C
25
100
10
0.1
0.3
1
3
10
20
0.02
0.1
0.3
1
3
10
20
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
3
2010-12-21
2SC3710A
V
BE (SAT)
– I
C
5
10
共发射极
IC / IB = 20
I
C
– V
BE
共发射极
VCE = 1V
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
3
集电极电流I
C
1
0.5
0.3
TC =
55°C
100
(A)
8
6
TC = 100℃
4
25
55
25
0.1
0.1
2
0.3
1
3
10
20
0
0
集电极电流I
C
(A)
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
基射极电压
V
BE
(V)
r
th
– t
w
100
瞬态热阻R
th
( ° C / W)
曲线应该在热面积有限施加。
30
(单非重复脉冲)
( 1 )无限散热器
( 2 )无散热片
10
(1)
3
(2)
1
0.3
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
30
集成电路最大值(脉冲) *
10我最大
C
(连续)
5
3
直流操作
TC = 25°C
1毫秒*
50
( 1 )锝= TA
无限大的散热器
( 2 )无散热片
(1)
30
P
C
- TA
(W)
集电极耗散功率
P
C
10毫秒*
40
20
10
(2)
0
0
40
80
120
160
200
240
100
集电极电流I
C
(A)
1
0.5
0.3
*:
单一不重复的脉冲
TC = 25°C
曲线必须线性降额
VCEO
温度上升。
最大
0.1
3
10
30
1
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
环境温度Ta (C )
4
2010-12-21
2SC3710A
限制产品使用
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与该产品将被用于或应用程序的说明。客户全权负责各方面的
自己的产品设计和应用,包括但不限于: ( a)确定在这样的使用本产品的适当性
设计或应用程序; (二)评估和确定的任何信息本文件所载的适用性,或图表,
图表,程序,算法,样本应用电路,或任何其他引用的文件; (三)确认所有操作
参数对这样的设计和应用。
东芝半导体公司没有责任为客户的产品设计或
应用程序。
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设备,工业机器人和家用电子电器) ,或针对特定应用本文件中的明确规定。
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2010-12-21
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