【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2SC3693描述·带TO】,IC型号2SC3693,2SC3693 PDF资料,2SC3693经销商,ic,电子元器件-51电子网

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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3693

描述

·带

TO- 220Fa包

●大

目前，高速

ULOW

集电极饱和电压

应用

For

在驱动诸如DC / DC使用

转换器和驱动器

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器

辐射源

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

条件

集电极 - 基极电压

发射极开路

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

a

=25℃

开基

集电极开路

OR

CT

U

价值

100

60

7

10

20

5.0

2

单位

V

V

V

A

A

A

P

T

总功耗

T

C

=25℃

30

150

-55~150

W

T

j

T

英镑

结温

储存温度

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A,L=1mH

I

C

= 6A ;我

B

=0.3A

I

C

= 8A ;我

B

=0.4A

I

C

= 6A ;我

B

=0.3A

I

C

= 8A ;我

B

=0.4A

V

CB

= 60V ;我

E

=0

V

CE

=60V; V

BE

=-1.5V

Ta=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

100

100

60

民

60

2SC3693

典型值。

最大

单位

V

0.3

0.5

1.2

1.5

10

10

1.0

10

V

V

V

V

μA

μA

mA

μA

开关时间

t

on

t

s

t

f

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

I

C

= 2A ; V

CE

=2V

I

C

= 6A ; V

CE

=2V

输出电容

I

E

=0; V

CB

=10V;f=1MHz

跃迁频率

I

C

= 1.0A ; V

CE

=10V

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=6A;R

L

=8.3Ω

I

B1

=-I

B2

=0.3A

V

CC

≈50V

OR

CT

U

200

400

150

140

pF

兆赫

0.3

1.5

0.3

μs

μs

μs

h

FE-2

分类

M

100-200

L

150-300

K

200-400

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3693

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

OR

CT

U

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3693

描述

·采用TO- 220Fa包

·大电流，高速

·低集电极饱和电压

应用

·对于司机如DC / DC使用

转换器和驱动器

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器

辐射源

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

a

=25

P

T

总功耗

T

C

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

30

150

-55~150

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

100

60

7

10

20

5.0

2

W

单位

V

V

V

A

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A,L=1mH

I

C

= 6A ;我

B

=0.3A

I

C

= 8A ;我

B

=0.4A

I

C

= 6A ;我

B

=0.3A

I

C

= 8A ;我

B

=0.4A

V

CB

= 60V ;我

E

=0

V

CE

=60V; V

BE

=-1.5V

Ta=125

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

I

C

= 2A ; V

CE

=2V

I

C

= 6A ; V

CE

=2V

I

E

=0; V

CB

=10V;f=1MHz

I

C

= 1.0A ; V

CE

=10V

100

100

60

民

60

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

C

OB

f

T

2SC3693

典型值。

最大

单位

V

0.3

0.5

1.2

1.5

10

10

1.0

10

V

V

V

V

A

A

mA

A

200

400

150

140

pF

兆赫

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=6A;R

L

=8.3D

I

B1

=-I

B2

=0.3A

V

CC

E50V

0.3

1.5

0.3

s

s

s

h

FE-2

分类

M

100-200

L

150-300

K

200-400

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3693

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3693

描述

·带

TO- 220Fa包

●大

目前，高速

ULOW

集电极饱和电压

应用

For

在驱动诸如DC / DC使用

转换器和驱动器

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器

辐射源

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

a

=25℃

P

T

总功耗

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

30

150

-55~150

℃

℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

100

60

7

10

20

5.0

2

W

单位

V

V

V

A

A

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A,L=1mH

I

C

= 6A ;我

B

=0.3A

I

C

= 8A ;我

B

=0.4A

I

C

= 6A ;我

B

=0.3A

I

C

= 8A ;我

B

=0.4A

V

CB

= 60V ;我

E

=0

V

CE

=60V; V

BE

=-1.5V

Ta=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

I

C

= 2A ; V

CE

=2V

I

C

= 6A ; V

CE

=2V

I

E

=0; V

CB

=10V;f=1MHz

I

C

= 1.0A ; V

CE

=10V

100

100

60

150

140

200

民

60

2SC3693

典型值。

最大

单位

V

0.3

0.5

1.2

1.5

10

10

1.0

10

V

V

V

V

μA

μA

mA

μA

400

pF

兆赫

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=6A;R

L

=8.3Ω

I

B1

=-I

B2

=0.3A

V

CC

≈50V

0.3

1.5

0.3

μs

μs

μs

h

FE-2

分类

M

100-200

L

150-300

K

200-400

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3693

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3

功率晶体管

www.jmnic.com

2SC3693

硅NPN晶体管

特点

·带

TO- 220Fa包

高

速度快，功率开关应用

BCE

绝对最大额定值TC = 25 ℃

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

等级

100

60

5

10

30

150

-55~150

单位

V

V

V

A

W

℃

℃

TO-220Fa

电气特性TC = 25 ℃

符号

I

CBO

I

EBO

I

首席执行官

V

CBO

V

CEO （ SUS ）

V

EBO

V

CE(sat-1)

V

CE(sat-2)

h

FE-1

h

FE-2

V

BE(sat)1

V

BE(sat)2

f

T

C

ob

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

正向电流传输比

正向电流传输比

基射极饱和电压

基射极饱和电压

过渡frepuency

集电极输出电容放

I

C

= 1A ; V

CE

=10V

I

C

=0, V

CB

= 10V F = 1MHz的

140

150

兆赫

pF

I

C

= 8A ;我

B

=0.4A

1.5

V

I

C

= 2A ; V

CE

=2V

100

400

I

C

= 8A ;我

B

=0.4A

0.5

V

I

C

= 30毫安;我

B

=0

60

V

条件

V

CB

= 60V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

民

典型值。

最大

10

10

单位

uA

uA

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