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SMD型
晶体管
IC
NPN外延平面硅晶体管
2SC3689
SOT-23
单位：mm
特点
小玉米棒（COB =取1.5pF典型值）。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
高直流电流增益（H
FE
= 800 3200 ） 。
1
2
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
采用FBET过程。
低集电极 - 发射极饱和电压（V
CE （ SAT ）
高V
EBO
(V
EBO
15V).
0.5V).
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
cp
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
15
100
200
200
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
EB
= 10V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
800
1500
200
1.5
0.1
0.8
60
50
15
0.5
1.1
民
典型值
最大
0.1
0.1
3200
兆赫
pF
V
V
V
V
V
单位
ìA
ìA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 50mA时我
B
= 1毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 50mA时我
B
= 1毫安
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10ìA ，我
C
= 0
记号
记号
GY
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SC3689
SOT-23
单位：mm
特点
小玉米棒（COB =取1.5pF典型值）。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
高直流电流增益（H
FE
= 800 3200 ） 。
1
2
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
采用FBET过程。
低集电极 - 发射极饱和电压（V
CE （ SAT ）
高V
EBO
(V
EBO
15V).
0.5V).
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
cp
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
15
100
200
200
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
EB
= 10V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
800
1500
200
1.5
0.1
0.8
60
50
15
0.5
1.1
民
典型值
最大
0.1
0.1
3200
兆赫
pF
V
V
V
V
V
单位
ìA
ìA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 50mA时我
B
= 1毫安
V
BE （ SAT ）
I
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= 50mA时我
B
= 1毫安
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（ BR ） CBO
I
C
= 10ìA ，我
E
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= 1毫安，R
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=
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10ìA ，我
C
= 0
记号
记号
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0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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2-1415038-1
27LC128-17ESO
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封装
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操作
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC3689
    -
    -
    -
    -
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