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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第319页 > 2SC3663
数据表
硅晶体管
2SC3663
NPN外延硅晶体管
高频低噪声放大
特点
低电压，低电流，低噪声和高增益
NF = 3.0 dB典型值。
G
A
= 3.5 dB典型值。
无绳电话等。
金电极提供高可靠性。
迷你模具封装，非常适合混合集成电路。
@V
CE
= 1 V，I
C
= 250
P
A，F = 1.0 GHz的
@V
CE
= 1 V，I
C
= 250
P
A，F = 1.0 GHz的
包装尺寸（单位：mm ）
0.4
+0.1
–0.05
2.8 ± 0.2
1.5
0.65
–0.15
+0.1
适用于寻呼机电池驱动，紧凑型无线电设备，
0.95
0.95
2.9 ± 0.2
B
E
C
绝对最大额定值（T
A
= 25
q
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
15
8
2
5
50
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
qC
qC
引脚连接
E：发射器
B：基本
C：收藏家
标记： R62
0.3
记号
1.1至1.4
电气特性（T
A
= 25
q
C)
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
插入功率增益
最大可用增益
噪声系数
相关的功率增益
集电极电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
°S
21e
°
2
MAG
NF
G
A
C
ob
记
测试条件
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 1 V，I
C
= 250
P
A，脉冲
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安， F = 1 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安， F = 1 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 250
P
A，F = 1.0 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 250
P
A，F = 1.0 GHz的
V
CB
= 1 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
0.1
0-0.1
0.16
+0.1
–0.06
50
100
4
250
GHz的
dB
dB
4.5
dB
dB
0.6
pF
4.0
6.5
12.5
3.0
3.5
0.4
记
用3-针桥测量，且发射极管脚连接到桥式后卫销。
一号文件P10406EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1997年八月
日本印刷
0.4
+0.1
–0.05
单位
P
A
P
A
1997
2SC3663
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
K / P
记
R62
50至250
记
现有的等级分类/新增排名
2
2SC3663
典型特征（T
A
= 25
q
C)
增益带宽积主场迎战
集电极电流
V
CE
= 1 V
10
8
6
4
10
插入功率增益与频率
V
CE
= 1 V
I
C
= 1毫安
f
T
- 增益带宽积 - GHz的
|S
21e
|
2
- 插入功率增益 - 分贝
5
2
1
0.1
1
I
C
- 集电极电流 - 毫安
10
0
0.1
1
的F - 频率 - GHz的
10
最大可用增益与频率
V
CE
= 1 V
I
C
= 1毫安
插入功率增益与集电极
当前
MAG - 最大可用增益 - 分贝
|S
21e
|
2
- 插入功率增益 - 分贝
40
10
20
20
5
10
0
0.1
1
的F - 频率 - GHz的
10
0
0.1
0
1
I
C
- 集电极电流 - 毫安
10
噪声系数和功率增益AT OPUTIMUM NF
与集电极电流
V
CE
= 1 V
F = 1.0 GHz的
G
A
- 相关功率增益 - 分贝
NF - 噪声系数 - 分贝
10
G
A
5
NF
0
0.1
1
I
C
- 集电极电流 - 毫安
10
3
MAG - 最大可用增益 - 分贝
V
CE
= 1 V
F = 1.0 GHz的
0.1
WAVELE
NGTH
S
0.02
往
0.0
基因
0.48
.47
3
RA
0
W
屈曲
系数可
0.4
0.0
器
6
IN
DE
.03
THS
TO
GLE
OF
RE
7
0
G
4
GRE
0.4
N
60
AN
0.4
ES
0
4
Vele的
–1
6
0.0
A
W
0.2
0.2
5
0.4 5
0.0
50
–1
0.2
15
0.
0
14
0.4 6
0
4
0.1
0.3
0.3
4
0.
07
43
0.
0
13
07
43
0.
0
13
CO
CE
AN
CT
JX-
A
– ––
O
RE
–Z
NE
G
8
0.0 2
0.4
NE
G
8
0.0 2
0.4
0.
5
E
IV
AT
0.
5
0.
5
(
PO
N
E
IV
AT
)
4
(
0.
0.2
POS
ITIV
ER
EA
CT
+
A
- JX
的nCE
Z
O
––
CO
M
)
CO
CE
AN
CT
JX-
A
– ––
O
RE
–Z
(
)
(
0.2
POS
14
ITIV
0
ER
EA
CT
+
A
- JX
的nCE
Z
O
––
CO
M
PO
N
0.1
)
0.3
0.
4
0.4
1
0
.09
0.4
0 2
–1
.08
0
20
00
.43
0
–1
.07
30
0.10
0.40
110
0.10
0.40
110
0.40
0
.10
–11
0
0.8
0.6
0.8
0.8
0.40
0.
10
–11
0
0.7
0.4
1
0.
09
0.4
0 2
–1
.08
0
20
00
.43
0
–1
.07
30
0.38
0.39
0.12
0.11
–100
0.38
0.39
0.12
0.11
–100
–90
0.2
–90
0.2
0.2
0.2
0.4
0.4
0.13
0.37
0.4
0.13
0.37
0.37
0.13
0.37
0.13
0.6
0.6
1.2
1.2
0.6
0.4
0.6
8
0.6
0.
0.8
–80
2.0
1.
0
1.
0
0
1.
–80
1.
1.6
0
1.
0
0.8
1.2
0.8
0.2
0.
1.4
1.2
1.4
8
0.
8
0.36
0.04
0.36
0.04
–70
–70
0.35
0.15
0.35
0.15
1.2 1.0
0.8 0.6
2.0 1.6 1.2
4
0.3
6
3
0.1
0.3
7
0.1
60
–
32
0.
18
0.
0
–5
32
0. 8
1
0.
0
–5
3.
0
4.0
4.0
6.0
10
10
20
20
50
1
0.2
9
0.2
30
0.2 GHz的
0.24
0.23
0.26
2
0.2
0.27
8
10
0.2
20
0.2 GHz的
0.25
0.25
0
0.26
0.24
–10
0.27
0.23
0.2
8
0.2
2
0.2
00
9
0.2
0.3
1
–3
0.2 0
0
0
0.
3
–4
0.1
1
0
9
1
0.2
9
0.2
30
0.2
0.2
2
8
20
0.23
0.27
10
0.4
0.6
0.8
50
0
0.2 0
–20
0
0.2 0
0.3
50
10
6.0
50
20
0. 3
20
6.0
20
10
19
0.
31
0.
40
19
0.
31
0.
40
10
3.
3.
0
0.24
0.26
0.25
0.25
0
0.26
0.24
–10
0.27
0.2
0.23
8
0.2
2
–20
1.8 1.4 1.0
5.0
4
0.3
6
3
0.1
0.3
7
0.1
60
–
0.2
00
9
0.2
0.3
1
–3
0.2 0
0
0
0.
3
–4
0.1
1
0
9
4
0.49
0.48
0.01
2
RD
负载
0.0
A
0
0.1
0
0
0.01
0.49
0
0.01
0.49
0.48
0
0.49
0.01
2
RD
负载
0.0
A
W
经文
COEF
WAVELE
NGTH
S
0.02
往
0.0
基因
0.48
3
RA
FCIENT
0.4
0.0
器
IN
DE
7
4
GRE
0.4
ES
0.1
0.2
0
0.3
0.0
0.4
5
5
7
0.4
REF
3
TO
6
0.0
THS
角
OF
0.4
NG
60
4
ELE
–1
0.0
AV
5
W
0.4 5
50
–1
0.0
耳鼻喉科
ON
MP
6
15
0
0.0
0.4
5
5
44
0. 06
40
0.
–1
耳鼻喉科
ON
MP
0.1
0.3
44
0. 06
40
0.
–1
0.
0. 06
44
0.
0.
0.
4
5
0.
T
EN
T
EN
0.3
12
0
0.6
12
0
0
0.6
.09
9
0.0
1
0.4
0.4
0.7
0.7
0.6
0.4
0. 6
0.4
1
0.7
0.5
0.5
0.6
0.8
0.11
0.39
100
0.11
0.39
100
0.7
0.8
0.9
0.7
0.8
O
0.9
O
R
(
–––
)
Z
0.9
R
(
–––
)
Z
0.9
0.12
0.38
0.12
0.38
0.9
0.9
电抗分量
电抗分量
1.0
90
90
1.0
0.2
1.0
1.0
1.0
0.2
1.0
0.4
0.4
0.6
0.4
0.4
1.8
8
0.
1.6
1.4
0.6
0.6
0.2
0.8
1.
0
0.14
0.36
80
0.14
0.36
80
1.6
1.8
1.
0
1.
0
1.4
1.8
2.0
1.4
1.4
2.0
1.4
70
0.15
0.35
0.15
0.35
70
1.6
1.6
1.6
1.6
1.8
0.1
6
0.3
4
0.1
6
0.3
4
S
22
3.0
1.8
1.8
3.0
1. 8
2.0
4.0
2.0
0.1
0.3
7
3
6
00
0.1
0.3
7
3
6
00
2.0
4.0
2.0
S
11
5.0
0.
1
0. 8
32
50
0.
1
0. 8
32
50
3.
0
0
10
0.4
4.0
4.0
6.0
20
50
50
V
CE
= 1 V
I
C
= 1毫安
V
CE
= 1 V
I
C
= 1毫安
2SC3663
2SC3663
[备忘录]
5
SMD型
NPN外延硅晶体管
2SC3663
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
低电压，低电流，低噪声和高增益
NF = 3.0 dB典型值。 @V
CE
= 1 V，I
C
= 250 PA ， F = 1.0 GHz的
G
A
= 3.5 dB典型值。 @V
CE
= 1 V，I
C
= 250 PA ， F = 1.0 GHz的
理想的寻呼机电池驱动，紧凑的无线电设备无绳电话等。
金电极提供高可靠性。
0-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
微型模具封装，非常适合混合集成电路。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
15
8
2
5
50
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
插入功率增益
最大可用增益
噪声系数
相关的功率增益
集电极电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
|S
21e
|
2
MAG
NF
G
A
C
Testconditons
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 1 V，I
C
= 250 PA ，脉冲
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安， F = 1 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安， F = 1 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 250 IA ， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 250 IA ， F = 1.0 GHz的
V
CB
= 1 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
4.0
50
100
4
6.5
12.5
3.0
3.5
0.4
0.6
4.5
民
典型值
最大
0.1
0.1
250
GHz的
dB
dB
dB
dB
pF
单位
ìA
ìA
记号
记号
R62
www.kexin.com.cn
1
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SC3663
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
低电压，低电流，低噪声和高增益
NF = 3.0 dB典型值。 @V
CE
= 1 V，I
C
= 250 PA ， F = 1.0 GHz的
G
A
= 3.5 dB典型值。 @V
CE
= 1 V，I
C
= 250 PA ， F = 1.0 GHz的
理想的寻呼机电池驱动，紧凑的无线电设备无绳电话等。
金电极提供高可靠性。
0-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
微型模具封装，非常适合混合集成电路。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
15
8
2
5
50
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
插入功率增益
最大可用增益
噪声系数
相关的功率增益
集电极电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
|S
21e
|
2
MAG
NF
G
A
C
Testconditons
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 1 V，I
C
= 250 PA ，脉冲
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安， F = 1 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安， F = 1 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 250 IA ， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 250 IA ， F = 1.0 GHz的
V
CB
= 1 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
4.0
50
100
4
6.5
12.5
3.0
3.5
0.4
0.6
4.5
民
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