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数据表

硅晶体管

2SC3583

微波低噪声放大器

NPN硅外延型晶体管

描述

该2SC3583是设计用于在使用一个NPN外延硅晶体管

低噪声和VHF频段小信号放大器UHF频段。低

噪声系数，高增益和高电流的能力实现了非常宽的

动态范围和出色的线性度。这是通过直接氮化物来实现

钝化的基面处理（ DNP过程），这是一个NEC

专有的新的制造技术。

包装尺寸

（单位：毫米）

2.8±0.2

0.4

0.05

+0.1

1.5

0.65

0.15

+0.1

0.95

特点

NF -

嘎

1.2分贝TYP 。

13分贝TYP 。

@f = 1.0 GHz的

2.9±0.2

2

绝对最大额定值（T

A

= 25

C)

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

j

T

英镑

20

10

1.5

65

200

150

65 150

V

mA

mW

C

0.3

记号

1.1至1.4

引脚连接

1.发射器

2.基

3.收集

电气特性（T

A

= 25

C)

特征

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

反馈电容

插入功率增益

最大可用增益

噪声系数

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

*

f

T

C

re

**

50

100

9

0.35

11

13

15

1.2

2.5

0.9

分钟。

典型值。

马克斯。

1.0

250

GHz的

pF

dB

单位

测试条件

V

CB

= 10 V，I

E

= 0

V

EB

= 1 V，I

E

= 0

V

CE

= 8 V，I

C

= 20毫安

V

CE

= 8 V，I

C

= 20毫安

V

CB

= 10 V，I

E

= 0中，f = 1.0兆赫

V

CE

= 8 V，I

C

= 20 mA时， F = 1.0 GHz的

V

CE

= 8 V，I

C

= 20 mA时， F = 1.0 GHz的

V

CE

= 8 V，I

E

= 7 mA时， F = 1.0 GHz的

A

S

21e

2

MAG

NF

*脉冲测量PW

350

S，占空比

2 %

**的发射端和外壳应连接到三端电容桥的gurad终端。

h

FE

分类

类

记号

h

FE

R33 / Q *

R33

50至100

R34/R *

R34

80至160

R35 / S *

R35

125至250

*旧规格/新规范

一号文件P10360EJ4V1DS00 （第4版）

发布日期1997年三月

日本印刷

0-0.1

0.16

0.06

+0.1

0.4

0.05

+0.1

1

3

1984

2SC3583

典型特征（T

A

= 25

C)

总功耗对比

环境温度

3

P

T

- 总功率耗散-W

自由的空气

C

re

-Feed回电容pF的

200

F = 1.0 MHz的

2

反馈电容与

集电极 - 基极电压

1

0.7

0.5

0.3

0.2

100

0

50

100

150

0.1

1

T

A

- 环境温度 - ℃，

2

3

5

7

10

V

CB

-collector基极电压-V

插入增益与

集电极电流

20

30

直流电流增益主场迎战

集电极电流

200

V

CE

= 8 V

15

|S

21e

|

2

-Insertion增益分贝

100

h

FE

-DC电流增益

10

50

5

20

V

CE

= 8 V

F = 1.0 GHz的

10

0.5

1

5

10

50

0

0.5

1

5

10

50 70

I

C

-collector电流毫安

增益带宽PRODUUT对比

集电极电流

30

V

CE

= 8 V

f

T

- 获得带宽积兆赫

20

MAG-最大可用增益分贝

|S

21e

|

2

-Insertion增益-dB

16

20

I

C

-collector电流毫安

插入增益，最大可用

增益与频率

V

CE

= 8 V

I

C

= 20毫安

MAG

|S

21e

|

2

12

10

7

5

3

2

8

4

1

2

3

5

7

10

I

C

-collector电流毫安

20

30

0

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7. 1.0

F-频率GHz的

2.0 3.0

2

2SC3583

噪声系数与

集电极电流

7

6

NF-噪声系数分贝

5

4

3

2

1

0

0.5

V

CE

= 8 V

F = 1.0 GHz的

1

5

10

50 70

I

C

-collector电流毫安

S参数

V

CE

= 8.0 V，I

C

= 5.0毫安，Z

O

= 50

F（兆赫）

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

2000

S

11

0.728

0.490

0.343

0.253

0.202

0.176

0.179

0.186

0.211

S

11

45.3

74.5

93.2

110.1

131.1

148.9

162.8

173.9

163.3

151.1

S

21

12.107

8.097

6.260

4.623

4.004

3.250

3.021

2.575

2.520

2.183

S

21

138.7

114.2

102.3

90.1

83.6

75.8

69.4

63.4

58.9

53.4

S

12

0.036

0.065

0.079

0.090

0.101

0.125

0.144

0.160

0.188

0.202

S

12

66.2

61.6

61.2

61.3

60.8

60.0

59.8

59.1

58.9

S

22

0.825

0.675

0.582

0.529

0.500

0.470

0.448

0.427

0.406

0.386

S

22

21.6

26.6

29.0

28.6

30.1

31.4

33.4

34.8

37.5

44.5

V

CE

= 8.0 V，I

C

能力= 20 mA ，Z

O

= 50

F（兆赫）

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

2000

S

11

0.366

0.194

0.124

0.077

0.063

0.065

0.074

0.108

0.116

0.134

S

11

66.8

88.9

104.3

132.0

156.4

179.5

168.0

147.0

137.6

131.2

S

21

19.757

10.502

7.591

5.446

4.653

3.754

3.460

2.934

2.870

2.479

S

21

116.9

98.8

91.1

82.0

77.6

71.6

66.5

61.9

58.2

53.4

S

12

0.033

0.055

0.072

0.095

0.107

0.135

0.164

0.178

0.205

0.221

S

12

62.6

70.6

74.6

73.2

72.1

70.1

69.6

66.3

64.0

S

22

0.587

0.485

0.453

0.419

0.413

0.392

0.369

0.347

0.333

0.312

S

22

22.5

23.8

24.3

23.2

24.2

26.4

29.9

32.2

34.3

42.1

3

2SC3583

S参数

S

11e

, S

22e

- 频率条件

V

CE

= 8 V

200 MHz的步骤

8

0.0 2

0.4

0.9

1.0

0.8

1.2

9

0.0

1

0.4

0.10

0.40

0.11

0.39

100

0.12

0.38

0.13

0.37

90

0.14

0.36

80

110

0.7

0.15

0.35

70

1.4

0.1

6

0.3

4

0.6

0.

0. 06

44

0.

5

07

43

0.

0

13

1. 8

0.2

1.6

1

20

6

00

0.1

0.3

7

3

0 .0

0.4

5

POS

14

ITIV

0

ER

EA

CT

+

A

- JX

的nCE

Z

O

––

CO

M

PO

N

T

EN

0.4

2.0

0.

1

0. 8

32

50

19

0.

31

0.

0

0.2 0

40

0.3

WAVELE

NGTH

S

0.02

往

0.0

基因

0.48

47

3

RA

0.

W

屈曲

系数可

0.4

0.0

器

6

IN

DE

7

.03

THS

TO

GLE

OF

RE

0

NG

4

GRE

0.4

0

AN

E

0.4

ES

0

04

VEL

16

6

0.

WA

15

0

)

(

0

1.

2.0 GHz的我

C

= 20毫安

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

3.0

4.0

5.0

10

20

电抗分量

R

––––

0.2

Z

O

0.01

0.49

0

0.49

0.48

0.01

0.02

RD

负载

A

0.1

0.4

0.6

0.2 GHz的

0.

8

T

NEN

PO

0

0.2

OM

EC

NC

TA

X –

AC

J –

O

RE

––Z

E

IV

AT

0

5

1

0.3

(

5

0.4

5

0.0

40

1

0.

4

44

0.

06

0.

5

0.7

0.8

0.9

1.2

1.4

1.0

S

21e

- 频率条件

90°

120°

0.2 GHz的

150°

I

C

= 5毫安

V

CE

= 8 V

S

12e

- 频率

60°

I

C

= 20毫安

30°

150°

120°

I

C

= 20毫安

0.2 GHz的

180°

0

4

8

12

16

0° 180°

20

0

S

21e

150°

30°

150°

30°

120°

90°

60°

120°

90°

4

0.

4

0.3

6

3

0.1

0.3

7

0.1

60

32

18

0.

0

0.6

1.6

1.8

2.0

3.

0

0.2 GHz的

5

S

12e

0.2 GHz的

0°

0.04 0.08 0.12 0.16 0.20

4.0

)

0.35

0.15

70

0.36

0.14

80

1.0

S

11e

0.8

0.6

5.0

I

C

= 5毫安

1.

10

I

C

= 5毫安

20

2.0 GHz的

I

C

= 20毫安

50

(

)

0.8

0.6

0.37

0.13

0.4

0.2

90

0.38

0.12

0.39

0.11

1

00

0.40

0.10

11

0

.09

0.4

1

0.4

0.0

2

20

8

NE

G

1

0.

4

0.

3

07

30

0.

4

0.6

3.

0.8

0

1

0.2

9

0.2

30

0.3

4.0

0

1.

6.0

0.24

0.23

0.26

2

0.2

0.27

8

10

0.2

20

0.2

10

0.1

20

50

0.25

S

22e

0

0.26

0.27

0.24

0.2

0.23

8

0.2

10

0.2

2

9

20

0.2

1

3

0

.3

0.2

0

0.

3

4

0.1

1

0

9

条件

90°

V

CE

= 8 V

2.0 GHz的

60°

30°

I

C

= 5毫安

60°

2SC3583

[备忘录]

5