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数据表
硅功率晶体管
2SC3569
NPN
硅三重扩散型晶体管
高压
高速开关
该2SC3569是开发高模功率晶体管
电压高速开关，并且非常适用于驱动程序，如使用
开关稳压器，DC / DC转换器，和高频功率
放大器器。
封装图（单位：mm ）
特点
模具包，不需要绝缘板或
绝缘套管
低集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
= 1.0 V MAX 。 （ @ 0.7 A ）
开关速度快：
t
f
≤
1.0
s最大。 （ @ 0.7 A ）
宽底座反向偏置SOA ：
V
CEX （ SUS）的
= 450 V MIN 。 （ @ 0.5 A ）
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
（ TC = 25 ° C）
P
T
（ TA = 25°C ）
T
j
T
英镑
评级
500
400
7.0
2.0
4.0
1.0
15
2.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
电极连接
1.基地
2.收集
3.辐射源
* PW
≤
300
S，占空比
≤
10%
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号D16187EJ1V0DS00
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
2SC3569
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX(SUS)1
V
CEX(SUS)2
I
CBO
I
CER
I
CEX1
I
CEX2
I
EBO
h
FE1
*
h
FE2
*
V
CE （ SAT ）
*
V
BE （ SAT ）
*
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
= 0.5 A，I
B1
= 0.1 A ， L = 1毫亨
I
C
= 0.5 A，I
B1
=
I
B2
= 0.1 A,
L = 180
H，钳位
I
C
= 1.0 A，I
B1
= 0.2 A,
I
B2
= 0.1 A,
L = 180
H，钳位
V
CB
= 400 V，I
E
= 0
V
CE
= 400 V ，R
BE
= 51
,
TA = 125°C
V
CE
= 400 V, V
BE （OFF）的
=
1.5
V
V
CE
= 400 V, V
BE （OFF）的
=
1.5
V,
TA = 125°C
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 0.2 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.7 A，I
B
= 0.14 A
I
C
= 0.7 A，I
B
= 0.14 A
I
C
= 0.7 A，R
L
= 214
,
I
B1
=
I
B2
= 0.14 ，V
CC
150 V
参考测试电路。
20
10
1.0
1.2
1.0
2.5
1.0
V
V
分钟。
400
450
400
10
1.0
10
1.0
10
80
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
mA
A
mA
A
s
s
s
*脉冲试验PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
h
FE
分类
记号
H
FE1
M
20至40
L
30至60
K
40至80
典型特性（ TA = 25 ° C）
°
总功耗P
T
(W)
案例温度T
C
(
°
C)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
数据表D16187EJ1V0DS
2SC3569
瞬态热阻R
日（J -C ）
(
°
C / W ）
I
C
降额的dT （ ％ ）
TA = 25 ° C（无散热器）
（具有无限散热器）
案例温度T
C
(
°
C)
脉冲宽度PW （S ）
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
基本饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
直流电流增益
FE
集电极电流I
C
（MA ）
数据表D16187EJ1V0DS
3
2SC3569
导通时间t
on
(
s)
StorageTime吨
英镑
(
s)
秋季时间t
f
(
s)
集电极电流I
C
(A)
基极电流
波形
集电极电流
波形
4
数据表D16187EJ1V0DS
2SC3569
[备忘录]
数据表D16187EJ1V0DS
5
SavantIC半导体
产品SpecificationI
硅NPN功率晶体管
2SC3569
描述
·采用TO- 220F封装
·低集电极饱和电压
应用
·高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
7
2
4
1
15
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.5A ;我
B
=0.1A;L=1mH
I
C
= 0.5 A;我
B
=0.1A
I
C
= 0.5 A;我
B
=0.1A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
20
10
民
400
2SC3569
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.2
10
10
80
V
V
A
A
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=0.5A;R
L
=300=
I
B1
=- I
B2
=0.1A
V
CC
=150V
1.0
2.5
1.0
s
s
s
h
FE-1
分类
R
20-40
O
30-60
Y
40-80
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3569
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品SpecificationI
硅NPN功率晶体管
2SC3569
描述
·带
TO- 220F封装
ULOW
集电极饱和电压
应用
高
高速开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
7
2
4
1
15
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.5A ;我
B
=0.1A;L=1mH
I
C
= 0.5 A;我
B
=0.1A
I
C
= 0.5 A;我
B
=0.1A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
20
10
民
400
典型值。
2SC3569
最大
单位
V
1.0
1.2
10
10
80
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=0.5A;R
L
=300Ω
I
B1
=- I
B2
=0.1A
V
CC
=150V
1.0
2.5
1.0
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
R
20-40
O
30-60
Y
40-80
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3569
图2外形尺寸
3
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推荐型号
2020AN103J5
2N55551ZL1G
2SD2641
24AA01T-E/MS
2026-6004-20
2SC3359STPR
2SC3076O
2SJ486
24LC00T-E/ST
24AA04-/SN
2SB0819R
2N5461
20D270K
249-1264-000
28C64AF-20ITS
296HA102C1B
20020006-H121B01LF
2106111-2
2SD2341R
2SK3740
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC3569
    -
    -
    -
    -
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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电话：18926544209/18025435189
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9509
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电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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联系人：刘经理
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联系人：朱生
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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32570
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电话：0755-23607529/23603360/83258002
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地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
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