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晶体管
2SC3526(H)
NPN硅外延平面型
对于显示视频输出
单位:mm
5.9±0.2
4.9±0.2
q
q
q
2.54±0.15
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
R
EB
(Ta=25C)
评级
110
100
50
3.5
300
150
1.0
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
V
mA
mA
W
C
C
0.45
–0.1
1.27
1.27
+0.2
符号
V
CBO
V
CER *
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
13.5±0.5
0.7
–0.2
+0.3
高转换频率f
T
.
小集电极输出电容C
ob
.
宽的电流范围。
0.7±0.1
8.6±0.2
s
特点
0.45
–0.1
+0.2
= 470
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*
(Ta=25C)
符号
I
首席执行官
V
CBO
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T1
f
T2
C
ob
条件
V
CE
= 35V ,我
B
= 0
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
I
C
= 500μA ,R
BE
= 470
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 100μA ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 100毫安
*
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
*
V
CB
= 10V ,我
E
= -10mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= -110mA , F = 200MHz的
V
CB
= 30V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
300
350
3
110
100
50
3.5
20
0.5
V
兆赫
兆赫
pF
典型值
最大
10
单位
A
V
V
V
V
脉冲测量
3.2
1
2
3
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
EIAJ : SC- 51
TO- 92L封装
1
晶体管
P
C
- TA
1.6
240
Ta=25C
2SC3526(H)
I
C
— V
CE
120
V
CE
=5V
100
25C
Ta=75C
80
–25C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
1.4
200
集电极电流I
C
(MA )
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
4.5mA
160
4.0mA
3.5mA
120
3.0mA
2.5mA
80
2.0mA
1.5mA
40
1.0mA
0.5mA
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极电流I
C
(MA )
I
B
=5.0mA
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
30
10
3
1
Ta=75C
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
25C
–25C
I
C
/I
B
=10
120
h
FE
— I
C
600
V
CE
=5V
f
T
— I
E
V
CB
=10V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
100
过渡频率f
T
(兆赫)
30
100
500
80
400
60
Ta=75C
25C
–25C
300
40
200
20
100
0
0.1
0.3
1
3
10
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
C
ob
— V
CB
6
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
4
3
2
1
0
1
3
10
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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