【LAPT评级符号2SC3519 2SC3519AVCBO160180V首席执行官VEBOICIBPC】,IC型号2SC3519A,2SC3519A PDF资料,2SC3519A经销商,ic,电子元器件-51电子网

LAPT

评级

符号

2SC3519 2SC3519A

V

CBO

160

180

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

英镑

160

5

15

4

130(Tc=25°C)

150

-55到+150

180

2SC3519/3519A

应用：

音频和通用

(Ta=25°C)

评级

2SC3519 2SC3519A

100

最大

160

民

180

100

最大

180

民

50

民

50

典型值

250

典型值

兆赫

pF

5.45

±0.1

B

C

E

20.0min

4.0max

NPN硅外延平面晶体管

（补键入2SA1386 / A ）

s

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

单位

V

A

W

°C

I

EBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

V

CE

（SAT）

f

T

C

OB

V

EB

=5V

I

C

=25mA

V

CE

= 4V ，我

C

=5A

I

C

= 5A ，我

B

=0.5A

V

CE

= 12V，我

E

=–2A

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

s

电气特性

符号

I

CBO

V

CB

=

条件

外形尺寸

MT-100(TO3P)

5.0

±0.2

15.6

±0.4

9.6

2.0

1.8

4.8

±0.2

2.0

±0.1

单位

A

V

19.9

±0.3

4.0

A

V

a

b

3.2

±0.1

2.0

最大

2

3

1.05

+0.2

-0.1

5.45

±0.1

0.65

+0.2

-0.1

1.4

h

FE

秩为O（ 50100 ），P（ 70140 ）中，Y （90 180）

s

典型的开关特性（共发射极）

V

CC

(V)

40

R

L

()

4

I

C

(A)

10

V

BB1

(V)

10

V

BB2

(V)

–5

I

B1

(A)

1

I

B2

(A)

–1

t

on

(

s)

0.2typ

t

英镑

(

s)

1.3typ

t

f

(

s)

0.45typ

重量：约6.0克

一。产品型号

B 。批号

I

C

– V

权证

特征

（典型值）

0m

60

0m

A

V

CE

（SAT） - 我

B

特征

（典型值）

OLL EC T或 - EM伊特尔萨TUR在我的V OL吨AG电子V

CE（ s的）

( V )

3

I

C

– V

Bé

温度特性

（典型值）

15

( V

权证

= 4V )

15

A

70

500

mA

400

mA

300

mA

C 0升L E C到R C ü R R简T I

C

( A)

10

2

C 0 L L权证T或C ü R R简T I

C

( A )

200m

A

10

100mA

p)

(C

as

eT

em

5

1

5

50mA

12

C

0

1

2

3

4

0

0 .2

0.4

0. 6

0 .8

1 .0

0

–30

25

1

B一个发E - EM I T T O服务武升TA克ê V

Bé

( V)

C

I

B

=20mA

5A

5

（CA

C

se

Te

m

I

C

= 10 A

p)

2

C 0升乐克拉的R - EM I T吨ER武L T AG电子V

权证

(V)

巴斯式C乌尔鄂西北我

B

( A)

(V

权证

= 4 V )

300

DC铜R R鄂西北嘎我N·H

FE

DC C-UR重新NT嘎我N·H

FE

300

( V

权证

= 4V)

瞬态热阻

θ

J-一

（ C / W ）

h

F ê

– I

C

特征

（典型值）

h

F ê

– I

C

温度特性

（典型值）

θ

的J - 一

- T特征

3

12 5 C

100

2 5 C

50

– 3 0 C

100

1

0.5

典型值

50

10

0.02

0.1

0. 5

1

5

10 15

10

0 .0 2

0. 1

0.5

1

5

1 0 15

0.1

1

10

100

T I M E T（米每秒）

1 00 0 2 00 0

联合L L ECT R C ü rren T I

C

(A)

联合L L EC为R C乌尔 - [R EN T I

C

( A)

f

T

– I

E

特征

（典型值）

(V

权证

=1 2 V)

80

40

安全工作区

（单脉冲）

1 30

10

ms

电脑 - 钽降额

10

切-o FF量F r é Q ü简和Y F

T

（ M·H

Z

)

60

合作LLE CT R C ü R R简T I

C

( A )

马个IM UM P流è R D所I S的I P A T I对P

C

( W )

典型值

5

DC

1 00

W

第i个

In

鳍

ITE

he

40

at

1

0.5

无需散热器

自然冷却

1.2 SC 35 19

2. 2 SC3 5月19日一

0.1

1

2

20 0

si

nk

50

20

W I吨浩ü吨 EA吨的I NK

3 .5

0

25

50

75

100

125

150

0

–0.02

–0. 1

–1

–5

–10

0 .0 5

5

10

50

1 00

EMI吨T E R C乌尔仁T I

E

(A )

联合升乐C到的R - ê米它吨呃武升踏歌V

权证

( V)

上午B I E N t个率T e米PE R A吨ü 吨（ C）

67

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3519 2SC3519A

描述

·采用TO- 3PN封装

·补键入2SA1386 / A

应用

·音频和通用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

参数

2SC3519

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SC3519A

2SC3519

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SC3519A

V

EBO

I

C

I

B

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

180

5

15

4

130

150

-55~150

V

A

W

发射极开路

180

160

V

条件

价值

160

V

单位

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2SA1386

I

C

= 25毫安，我

B

=0

2SA1386A

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

V

CB

= 160V ;我

E

=0

条件

2SC3519 2SC3519A

符号

民

160

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

V

180

2.0

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

2SA1386

2SA1386A

I

CBO

集热器

截止电流

100

V

CB

= 180V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1MHz

I

C

= 2A ; V

CE

=12V

50

250

50

100

180

A

I

EBO

h

FE

C

ob

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

A

pF

兆赫

开关时间

t

on

t

s

t

f

上升时间

存储

时间

下降时间

I

C

=10A;R

L

=4B

I

B1

=- I

B2

=1A

V

CC

=40V

0.20

1.30

0.45

s

h

FE

分类

O

50-100

P

70-140

Y

90-180

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC3519 2SC3519A

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC3519 2SC3519A

4

A

A

A

LAPT

2SC3519/3519A

应用：

音频和通用

(Ta=25°C)

2SC3519

2SC3519A

单位

NPN硅外延平面晶体管

（补键入2SA1386 / A ）

s

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

符号2SC3519 2SC3519A

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

英镑

160

5

15

4

130(Tc=25°C)

150

-55到+150

180

单位

V

A

W

°C

I

EBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

V

CE

（SAT）

f

T

C

OB

V

EB

=5V

I

C

=25mA

V

CE

= 4V ，我

C

=5A

I

C

= 5A ，我

B

=0.5A

V

CE

= 12V，我

E

=–2A

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

s

电气特性

符号

I

CBO

V

CB

=

160

民

条件

外形尺寸

MT-100(TO3P)

5.0

±0.2

15.6

±0.4

9.6

2.0

1.8

4.8

±0.2

2.0

±0.1

100

最大

180

100

最大

180

民

50

民

50

典型值

250

典型值

A

V

19.9

±0.3

4.0

A

V

兆赫

pF

a

b

3.2

±0.1

20.0min

4.0max

2.0

最大

2

3

1.05

+0.2

-0.1

0.65

+0.2

-0.1

1.4

h

FE

秩为O（ 50100 ），P（ 70140 ）中，Y （90 180）

5.45

±0.1

B

C

E

5.45

±0.1

s

典型的开关特性（共发射极）

V

CC

(V)

40

R

L

()

4

I

C

(A)

10

V

BB1

(V)

10

V

BB2

(V)

–5

I

B1

(A)

1

I

B2

(A)

–1

t

on

(

s)

0.2typ

t

英镑

(

s)

1.3typ

t

f

(

s)

0.45typ

重量：约6.0克

一。型号

B 。批号

I

C

– V

权证

特征

（典型值）

0m

60

0m

A

V

CE

（SAT） - 我

B

特征

（典型值）

ollector - è手套儿个TU配给武ltage V

CE（ SA T）

(V )

3

I

C

– V

Bé

温度特性

（典型值）

15

( V

CE

= 4V )

15

A

70

5

A

00m

400

mA

300

mA

醇L E （C T） R C乌尔 - [R EN T I

C

( A)

10

2

C 0 L L权证吨 R C ü R R简T I

C

( A)

200m

A

10

100mA

p)

(C

as

eT

50mA

12

C

I

B

=20mA

5A

0

1

2

3

4

0

0 .2

0.4

0. 6

0 .8

1 .0

0

–30

25

1

巴发E - ê米I T T或V 0 1吨GE V

Bé

( V )

C

（CA

5

C

se

Te

5

1

5

em

I

C

= 10 A

mp

)

2

合作LL ê CT R- EM I T吨ER武L T AG电子V

权证

(V )

巴斯式C乌尔 - [R EN T I

B

( A)

(V

权证

= 4 V )

300

D C ú RR连接的Tg AI N·H

FE

D C铜R R连接的Tg A I N·H

FE

300

( V

权证

= 4V)

瞬态热阻

θ

-a

（℃ / W）的

h

FE

– I

C

特征

（典型值）

h

F ê

– I

C

温度特性

（典型值）

θ

的J - 一

- T特征

3

12 5 C

100

2 5 C

50

– 30 C

100

1

0 .5

典型值

50

10

0.02

0.1

0.5

1

5

10 15

10

0 .0 2

0. 1

0.5

1

5

10 15

0 .1

1

10

10 0

时间t（ ms）的

1000 2000

C 0 LL ê CT R C乌尔仁T I

C

( A)

联合L L EC为R C乌尔 - [R EN T I

C

( A)

f

T

– I

E

特征

（典型值）

(V

权证

= 1 2 V )

80

40

安全工作区

（单脉冲）

13 0

10

ms

电脑 - 钽降额

10

铜吨-O FF FRE曲简和Y F

T

（ M·H

Z

)

60

CO LLE 器铜重新NT I

C

( A)

M AX IM ü米P 2 O WE R迪S S小我P A T I O 4 N P

C

( W )

典型值

5

DC

10 0

W

第i个

In

鳍

ITE

he

40

at

1

0.5

无需散热器

自然冷却

1.2 SC 35 19

2. 2 SC3 51 9的

0.1

1

2

20 0

si

nk

50

20

W I吨H 2 O UT ^ h E A TS我N·K

3. 5

0

25

50

75

1 00

125

15 0

0

–0.02

– 0. 1

–1

–5

–10

0 .0 5

5

10

50

10 0

EM I T吨ER姜黄素仁T I

E

(A )

COL L E CT或 - EM I T TE 卷吨AG电子V

权证

( V)

上午B I E N t个率T e米PE R A吨ü 吨（ C）

66

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

2SC3519/A

描述

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

V

（ BR ） CEO

= 160V （最小值） -2SC3519

= 180V （最小值） -2SC3519A

良好

h的线性度

FE

.Complement

到类型2SA1386 / A

应用

·设计

音频和通用应用

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

参数

V

CBO

集电极 - 基

电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极

电压

w

.CN

i

em

cs

。是

w

价值

单位

2SC3519

160

V

2SC3519A

180

2SC3519

160

V

2SC3519A

180

5

V

15

A

4

A

130

W

℃

V

EBO

发射极 - 基极电压

I

C

集电极电流连续

I

B

基极电流连续

集电极耗散功率

@ T

C

=25℃

结温

P

C

T

J

150

T

英镑

存储温度范围

-55~150

℃

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

2SC3519

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SC3519A

集电极 - 发射极饱和电压

2SC3519

I

CBO

集热器

截止目前

2SC3519A

I

EBO

h

FE

C

OB

f

T

发射Cuto FF电流

直流电流增益

V

CB

= 180V ;我

E

= 0

V

EB

= 5V ;我

C

= 0

I

C

= 5A ; V

CE

= 4V

I

C

= 5.0A ;我

B

= 0.5A

V

CB

= 160V ;我

E

= 0

I

C

= 25毫安;我

B

= 0

180

条件

民

160

2SC3519/A

典型值。

最大

单位

V

CE

（SAT）

2.0

100

V

μA

100

输出电容

电流增益带宽积

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

w

Y

em

cs

。是

w

I

E

= -2A ; V

CE

= 12V

I

C

= 10A ，R

L

= 4Ω,

I

B1

= -I

B2

= 1A ，V

CC

=

40V

I

E

= 0; V

CB

= 10V ; F

TEST

= 1.0MHz的

.CN

i

50

100

180

250

50

μA

pF

兆赫

0.2

1.3

0.45

μs

h

FE

分类

O

50-100

P

70-140

90-180

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2