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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第157页 > 2SC3515
SMD型
高压控制应用
2SC3515
晶体管
特点
高电压： V
CBO
= 300V , V
首席执行官
= 300V
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 0.5V （最大）
小集电极输出电容：C
ob
= 3pF的（典型值）。
P
C
= 1 2W （安装在陶瓷基板）
小扁包
补充2SA1384
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在一个陶瓷基体（ 250毫米
2
×0.8 T）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
300
300
6
100
20
500
1000
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 300V ，我
E
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
300
300
30
150
0.5
1
50
80
3
4
V
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
0.1
0.1
单位
ìA
ìA
V
V
V
（ BR ） CBO
I
C
= 0.1毫安，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
h
FE
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA下
V
CE （ SAT ）
I
C
= 20mA时，我
B
= 2毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 20mA时，我
B
= 2毫安
f
T
C
ob
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA下
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SC3515
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
30
R
90
50
I
O
150
晶体管
电气特性曲线
2
www.kexin.com.cn
SMD型
2SC3515
晶体管
www.kexin.com.cn
3
SMD型
2SC3515
晶体管
4
www.kexin.com.cn
2SC3515
东芝晶体管硅NPN三重扩散型（ PCT程序）
2SC3515
高压控制应用
等离子显示器，数码管驱动器应用
阴极射线管的亮度控制中的应用
高电压： V
CBO
= 300 V, V
首席执行官
= 300 V
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.5 V （最大值）
小集电极输出电容：C
ob
= 3 PF（典型值）。
补充2SA1384
小扁包
P
C
= 1.02.0 W（安装在陶瓷基板）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
集电极耗散功率
P
C
（注1 ）
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
等级
300
300
6
100
20
500
1000
150
55
150
2
单位
V
V
V
mA
mA
PW- MINI
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-62
2-5K1A
mW
重量0.05克（典型值）。
°C
°C
注1 ：安装在一个陶瓷基体（ 250毫米× 0.8万吨）
1
2004-07-07
2SC3515
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
直流电流增益
（注2 ）
h
FE （2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 300 V，I
E
= 0
V
EB
= 6 V，I
C
= 0
I
C
= 0.1毫安，我
E
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
I
C
= 20 mA时，我
B
= 2毫安
I
C
= 20 mA时，我
B
= 2毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
V
CB
= 20 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
300
300
30
20
―
―
50
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
80
3
最大
0.1
0.1
―
―
150
―
0.5
1.0
―
4
V
V
兆赫
pF
单位
A
A
V
V
―
注2 ：小时
FE （1）
分类
R： 30 90 ，O： 50 150
记号
产品型号（或缩写代码）
I
LOT号
性能指标
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2004-07-07
2SC3515
I
C
– V
CE
（低电压区域）
120
共发射极
10
Ta
=
25°C
100
120
共发射极
Ta
=
100°C
10
7
80
5
4
3
2
1
0.6
0.4
0.2
IB
=
0.1毫安
0
2
4
6
8
10
12
14
I
C
– V
CE
（低电压区域）
100
（MA ）
集电极电流I
C
2
60
1
0.8
0.6
0.5
0.4
0.3
20
0.2
IB
=
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0
14
集电极电流I
C
(V)
80
3
（MA ）
60
40
20
5
40
0
0
集电极 - 发射极电压
V
CE
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
I
C
– V
CE
（低电压区域）
120
共发射极
100
10
5
3
80
2
Ta
= 55°C
10
100
90
80
8
12
I
C
– V
CE
（低电流区）
共发射极
Ta
=
25°C
（MA ）
（MA ）
集电极电流I
C
60
1
0.8
集电极电流I
C
70
60
50
40
30
6
40
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
IB
=
0.1毫安
2
4
6
8
10
12
0
14
4
20
2
20
IB
=
10
A
0
40
80
120
160
200
240
280
0
0
0
0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
I
C
– V
CE
（低电流区）
12
共发射极
10
80
70
60
8
50
40
30
20
2
IB
=
10
A
0
40
80
120
160
200
240
280
0
0
Ta
=
100°C
8
10
共发射极
Ta
= 55°C
I
C
– V
CE
（低电流区）
（MA ）
（MA ）
集电极电流I
C
集电极电流I
C
6
100
90
6
4
80
70
60
50
40
30
20
IB
=
10
A
40
80
120
160
200
240
4
2
0
0
0
280
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
3
2004-07-07
2SC3515
h
FE
– I
C
500
300
共发射极
Ta
=
25°C
VCE
=
10 V
500
300
h
FE
– I
C
共发射极
VCE
=
10 V
Ta
=
100°C
100
50
30
25
55
h
FE
100
50
30
1
直流电流增益
5
10
5
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
直流电流增益
h
FE
10
5
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流
I
C
（MA ）
集电极电流
I
C
（MA ）
V
CE （SAT）
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
3
10
V
BE （SAT）
– I
C
基射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
共发射极
IC / IB
=
10
5
3
共发射极
IC / IB
=
10
1
0.5
0.3
Ta
=
100°C
1
0.5
0.3
Ta
= 55°C
0.1
0.05
0.03
0.1
0.3
1
25
55
25
100
3
10
30
100
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流
I
C
（MA ）
集电极电流
I
C
（MA ）
f
T
– I
C
500
（兆赫）
共发射极
300
Ta
=
25°C
集电极输入电容C
ib
（PF ）
集电极输出电容C
ob
（PF ）
C
ib
, C
ob
– V
R
300
f
=
1兆赫
100
50
30
CIB （ IC = 0 ）
Ta
=
25°C
f
T
跃迁频率
100
50
30
VCE = 20 V
5
10
10
5
3
穗轴（IE = 0）
10
0.3
1
3
10
30
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极电流
I
C
（MA ）
反向电压
V
R
(V)
4
2004-07-07
2SC3515
P
C
- TA
1.2
500
(1)
（1）安装在陶瓷基板
2
(250 mm
×
0.8万吨）
（ 2 ）无散热片
0.8
300
安全工作区
IC MAX（脉冲）
IC MAX（连续）
10毫秒*
1毫秒*
P
C
(W)
1.0
100
100毫秒*
集电极耗散功率
（MA ）
50
30
直流操作
Ta
=
25°C
10
5
3
0.6
0.4
0.2
集电极电流I
C
20
40
60
80
100
120
140
160
(2)
0
0
1
*:
单不重复脉冲
0.5
0.3
Ta
=
25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高VCEO最大
测试：无基材。
3
10
30
100
300
1000
环境温度
Ta
(°C)
0.1
1
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
5
2004-07-07
SMD型
产品speci fi cation
2SC3515
特点
高电压： V
CBO
= 300V , V
首席执行官
= 300V
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 0.5V （最大）
小集电极输出电容：C
ob
= 3pF的（典型值）。
P
C
= 1 2W （安装在陶瓷基板）
小扁包
补充2SA1384
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在一个陶瓷基体（ 250毫米
2
×0.8 T）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
300
300
6
100
20
500
1000
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 300V ，我
E
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
300
300
30
150
0.5
1
50
80
3
4
V
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
0.1
0.1
单位
ìA
ìA
V
V
V
（ BR ） CBO
I
C
= 0.1毫安，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
h
FE
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA下
V
CE （ SAT ）
I
C
= 20mA时，我
B
= 2毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 20mA时，我
B
= 2毫安
f
T
C
ob
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA下
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
http://www.twtysemi.com
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4008-318-123
1 4
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SC3515
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
30
R
90
50
I
O
150
电气特性曲线
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 4
SMD型
产品speci fi cation
2SC3515
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4008-318-123
3of 4
SMD型
产品speci fi cation
2SC3515
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4008-318-123
4 4
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2SC3339
253A104B45NB
24C02A-ESN
27C256I12D
2SC4173B12
2SC4703SH
2SB1308-R
2SB1308R
22-55-2321
2SK982_07
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
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    2SC3515
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：075582788161
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联系人：肖佳欣
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TOSHIBA
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8000000
SMD
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
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联系人：朱经理、张小姐
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TOSHIBA
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电话：13510131896
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SOT89
产品优势可售样板
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SOT89
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电话：0755-82574045
联系人：张女士
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原装正品，支持实单
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联系人：夏先生 朱小姐
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2SC3515
TOSHIBA
25+
4500
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