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富士半导体公司 - P.O.箱702708 - 达拉斯，德克萨斯州75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3505
描述
·带
TO- 3PN封装
高
电压，高可靠性
高
高速开关
应用
切换
稳压器
·超声波
发电机
高
变频调速器
■一般
目的功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
700
10
6
3
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结热阻到外壳
最大
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
10
民
700
900
典型值。
2SC3505
最大
单位
V
V
0.5
1.2
1.0
1.0
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=3A;I
B1
=0.6A;I
B2
=-1.2A
R
L
=100Ω,P
W
=20μs
Duty≤2%
1.0
5.0
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3505
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3505
描述
·带
TO- 3PN封装
高
电压，高可靠性
高
高速开关
应用
切换
稳压器
·超声波
发电机
高
变频调速器
■一般
目的功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
700
10
6
3
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结热阻到外壳
最大
1.5
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
10
民
700
900
典型值。
2SC3505
最大
单位
V
V
0.5
1.2
1.0
1.0
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=3A;I
B1
=0.6A;I
B2
=-1.2A
R
L
=100Ω,P
W
=20μs
Duty≤2%
1.0
5.0
1.0
μs
μs
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3505
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3505
描述
·带
TO- 3PN封装
高
电压，高可靠性
高
高速开关
应用
切换
稳压器
·超声波
发电机
高
变频调速器
■一般
目的功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
OR
CT
U
价值
900
700
10
6
3
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结热阻到外壳
最大
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
10
民
700
900
典型值。
2SC3505
最大
单位
V
V
0.5
1.2
1.0
1.0
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=3A;I
B1
=0.6A;I
B2
=-1.2A
R
L
=100Ω,P
W
=20μs
Duty≤2%
OR
CT
U
1.0
5.0
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3505
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
图2外形尺寸
OR
CT
U
3
富士半导体公司 - P.O.箱702708 - 达拉斯，德克萨斯州75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3505
描述
·采用TO- 3PN封装
·高电压，高可靠性
·高速开关
应用
开关稳压器
超声波发生器
高频逆变器
通用功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
700
10
6
3
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结热阻到外壳
最大
1.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
10
民
700
900
2SC3505
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
0.5
1.2
1.0
1.0
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=3A;I
B1
=0.6A;I
B2
=-1.2A
R
L
=100D,P
W
=20s
DutyE2%
1.0
5.0
1.0
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3505
图2外形尺寸
3
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2SC1501P
27C64AA15N
258-532-64
20020010-C021B01LF
23HSX-202E
2040727-4
2-179396-4
2SC3326
2SC4713KQ
2SB1017
2CL105
2SD1643O
2SK715W
24AA025T-I/ST
24C00T-E/SN
2020-6617-20
20D-1C22E1
296UB252B3B
2SC5078
2N4352
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC3505
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市银芯龙科技有限公司
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电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
2SC3505
TOSHIBA
20+
88800
TO-3P
进口原装公司现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SC3505
FUJITSU/富士通
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营，原装现货，价格优势
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SC3505
TOSHIBA
2024
20000
TO-252
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市毅创腾电子科技有限公司
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电话：755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道）
联系人：张小姐
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2SC3505
TOSHIBA
22+
6200
SOT-252
【新到原装现货】诚信经营，热卖！量大可订货！可开17%增票!
深圳德田科技有限公司
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电话：0755-83254070/18680328178
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地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
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TOSHIBA
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19500
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全新原装现货，质量保证，可开税票，可出样品！
深圳市芯满林科技有限公司
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电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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FUJITSU/富士通
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百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SC3505
TOSHIBA
21+
8200
SOT-252
全新原装正品/质量有保证
深圳市成源运利电子科技有限公司
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电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
2SC3505
23+
18690
TO-3P
全新原装现货 市场最低价！
深圳市恒意法电子有限公司
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电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人：朱小姐 刘小姐
地址：深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
2SC3505
TOSHIBA
18+
3000
SOT-252
全新原装正品现货
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SC3505
TOSHIBA
21+
8200
SOT-252
全新原装正品/质量有保证
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