【2SC3503 / KSC3503 - NPN外延硅晶体管2008年3月2SC3503/KSC350】,IC型号2SC3503ESTU,2SC3503ESTU PDF资料,2SC3503ESTU经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC3503 / KSC3503 - NPN外延硅晶体管

2008年3月

2SC3503/KSC3503

NPN外延硅晶体管

应用

音频，电压放大器和电流源

CRT显示器，视频输出

通用放大器

特点

高电压： V

首席执行官

= 300V

低反向传输电容：C

re

= 1.8pF在V

CB

= 30V

出色的增益线性度低THD

高频： 150MHz的

全热和电Spice模型可用

补充2SA1381 / KSA1381 。

1

TO-126

2.Collector

3.Base

1.发射器

绝对最大额定值*

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

C

I

CP

P

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（DC）的

集电极电流（脉冲）

T

a

= 25 ° C除非另有说明

参数

评级

300

5

100

200

7

1.2

- 55 ~ +150

单位

V

mA

W

°C

器件总功耗，T

C

=25°C

T

C

=125°C

结温和存储温度

*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

热特性*

符号

R

θJC

*设备安装在最小焊盘尺寸

T

a

= 25 ° C除非另有说明

参数

热阻，结到外壳

马克斯。

17.8

单位

° C / W

h

FE

分类

h

FE

C

40 ~ 80

D

60 ~ 120

E

100 ~ 200

F

160 ~ 320

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电气特性*

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

f

T

C

ob

C

re

参数

集电极 - 基极击穿电压

Collecto-发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

电流增益带宽积

输出电容

反向传输电容

测试条件

I

C

= 10μA ，我

E

= 0

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

V

CB

= 200V ，我

E

= 0

V

EB

= 4V ，我

C

= 0

V

CE

= 10V ，我

C

= 10毫安

I

C

= 20mA时，我

B

= 2毫安

I

C

= 20mA时，我

B

= 2毫安

V

CE

= 30V ，我

C

= 10毫安

V

CB

= 30V ， F = 1MHz的

V

CB

= 30V ， F = 1MHz的

分钟。

300

5

典型值。

马克斯。

单位

V

0.1

40

320

0.6

1

150

2.6

1.8

A

V

兆赫

pF

*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％

订购信息

零件号*

2SC3503CSTU

2SC3503DSTU

2SC3503ESTU

2SC3503FSTU

KSC3503CSTU

KSC3503DSTU

KSC3503ESTU

KSC3503FSTU

记号

2SC3503C

2SC3503D

2SC3503E

2SC3503F

C3503C

C3503D

C3503E

C3503F

包

TO-126

包装方法

管

备注

hFE1 C级

hFE1 D级

hFE1 E级

hFE1 F级

hFE1 C级

hFE1 D级

hFE1 E级

hFE1 F级

* 1。词缀“ -S- ”指标准的TO126封装。（见包装尺寸）。如果词缀“ -STS- ”，而不是“ -S- ” ，这意味着短引线TO126封装。

2.后缀“ -TU ”是指管包装，后缀“恩”可以替换为其他字符的后缀为包装方法。

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典型特征

20

I

B

= 120

A

10

I

B

= 60

A

I

C

[马] ，集电极电流

I

C

[马] ，集电极电流

16

I

B

= 100

A

I

B

= 80

A

8

I

B

= 50

A

I

B

= 40

A

12

6

I

B

= 60

A

8

I

B

= 30

A

4

I

B

= 40

A

4

I

B

= 20

A

I

B

= 10

A

I

B

= 20

A

2

I

B

= 0

0

2

4

6

8

10

0

20

40

I

B

= 0

60

80

100

V

CE

[V] ，集电极 - 发射极电压

V

CE

[V] ，集电极 - 发射极电压

图1.静态特性

图2.静态特性

V

BE

（SAT），V

CE

（饱和） [ V]时，饱和电压

1000

10

V

CE

= 10V

I

C

= 10 I

B

h

FE

，直流电流增益

100

1

V

BE

（SAT）

10

0.1

V

CE

（SAT）

1

0.1

1

10

100

1000

0.01

0.1

1

10

100

I

C

[马] ，集电极电流

I

C

[马] ，集电极电流

图3.直流电流增益

图4.基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

160

100

V

CE

= 10V

140

F = 1MHz的

I

C

[马] ，集电极电流

C

ob

[ pF的] ，电容

120

100

80

60

40

20

0

0.0

10

1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.1

1

10

100

1000

V

BE

[ V]时，基极发射极电压

V

CB

[V] ，集电极 - 基极电压

图5.基射极电压上

图6.集电极输出电容

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典型特征

（续）

100

f

T

[兆赫] ，电流增益带宽积

f=1MHz

1000

V

CE

= 30V

C

re

[ pF的] ，电容

10

100

1

10

0.1

1

10

100

1000

1

0.1

1

10

100

1000

V

CB

[V] ，集电极 - 基极电压

I

C

[马] ，集电极电流

图7.反向传输电容

图8.电流增益Gandwidth产品

1000

8

7

I

C

[马] ，集电极电流

P

C

[W] ，功率耗散

I

C

MAX 。（脉冲）

0

50

6

5

4

3

2

1

0

25

50

o

I

C

马克斯。

100

s

DC

(T

D

C

T

c

=25 C

o

c

=

(T

a

25

=

1ms

10ms

o

C)

25

C

o

10

)

T

C

=125 C

o

1

10

100

1000

75

100

125

150

175

V

CE

[V] ，集电极 - 发射极电压

T [ C] ，温度

图9.安全工作区

图10.功率降额

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包装尺寸

TO-126

±0.10

3.90

8.00

±0.30

3.25

±0.20

14.20MAX

3.20

±0.10

11.00

±0.20

(1.00)

0.75

±0.10

1.60

±0.10

±0.30

(0.50)

1.75

±0.20

0.75

±0.10

#1

2.28TYP

[2.28±0.20]

2.28TYP

[2.28±0.20]

13.06

16.10

±0.20

0.50

–0.05

+0.10

单位：毫米

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