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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3461
描述
·带
TO- 3PN封装
高
击穿电压和高的可靠性。
·快速
开关速度
ùWide
ASO （安全工作区）
应用
800V/8A
开关稳压器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1100
800
7
8
25
4
140
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安; R
BE
=∞
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.6A ; V
CE
=10V
10
8
155
15
民
800
1100
7
2SC3461
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=6A;R
L
=66.7Ω
I
B1
= 1.2A ;我
B2
=-2.4A
V
CC
=400V
0.5
3.0
0.3
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
K
10-20
L
15-30
M
20-40
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3461
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3461
4
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SC3461
描述
·带
TO- 3PN封装
高
击穿电压和高的可靠性。
·快速
开关速度
ùWide
ASO （安全工作区）
应用
800V/8A
开关稳压器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1100
800
7
8
25
4
140
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安; R
BE
=∞
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.6A ; V
CE
=10V
10
8
155
15
民
800
1100
7
2SC3461
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=6A;R
L
=66.7Ω
I
B1
= 1.2A ;我
B2
=-2.4A
V
CC
=400V
0.5
3.0
0.3
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
K
10-20
L
15-30
M
20-40
2
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3461
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SC3461
固电
IN
导½
半
昂
CH
MIC
ê SE
OR
CT
国防大学
O
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3461
描述
·采用TO- 3PN封装
·高击穿电压和高的可靠性。
·快速开关速度
·宽ASO （安全工作区）
应用
· 800V / 8A开关稳压器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1100
800
7
8
25
4
140
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安; R
BE
？ ＆ LT ;
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.6A ; V
CE
=10V
10
8
民
800
1100
7
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
2SC3461
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
A
A
155
15
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=6A;R
L
=66.7C
I
B1
= 1.2A ;我
B2
=-2.4A
V
CC
=400V
0.5
3.0
0.3
s
s
s
h
FE-1
分类
K
10-20
L
15-30
M
20-40
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3461
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3461
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3461
描述
·带
TO- 3PN封装
高
击穿电压和高的可靠性。
·快速
开关速度
ùWide
ASO （安全工作区）
应用
800V/8A
开关稳压器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
1100
800
7
8
25
4
140
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 5毫安; R
BE
=∞
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=0.8A
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
10
8
民
800
1100
7
2SC3461
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
跃迁频率
I
C
= 0.6A ; V
CE
=10V
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=6A;R
L
=66.7Ω
I
B1
= 1.2A ;我
B2
=-2.4A
V
CC
=400V
OR
CT
U
155
15
0.5
3.0
0.3
pF
兆赫
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
K
10-20
L
15-30
M
20-40
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3461
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
OR
CT
U
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3461
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
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2N7299H4
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2534R-52L
2N5551YBU
2089-6417-00
2SB940
28C256-90/P
275V220A501A1A1
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